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cmos.dram 文章 进入cmos.dram技术社区

三星与美光在DRAM市场低迷之际表现出色

  •   据IHS iSuppli公司的DRAM市场简报,DRAM市场第三季度形势困难,但几家厂商和表现优于产业整体水平,占市场营业收入的份额略有增长,尤其是韩国三星电子和美国美光。   总体来看,排名前8的厂商第三季度合计占有97.6%的DRAM市场,与第二季度时的97.4%相差很小。但是,合计营业收入降到66亿美元,比第二季度时的80亿美元减少了18.5%,如表1所示。与此同时,由于价格下滑23.0%,整体产业的营业收入环比亦下降15.8%,降至68亿美元。   尽管第三季度形势低迷,但还是有两个明显的
  • 关键字: 三星  DRAM  

2011通讯IC与DRAM境遇两重天

  •   2011年半导体商营收成长将呈现两极化局面。根据ICInsights最新研究预估,2011年全球半导体市场产值成长率仅达2%,但受惠今年智慧型手机和平板等行动装置热销,高通(Qualcomm)、英特尔(Intel)和辉达(NVIDIA)营收仍可拥有33%、26%及11%的亮眼表现。相较之下,今年五家动态随机存取记忆体(DRAM)大厂,则受市况不佳影响,表现大不如前,估计仅三星(Samsung)和东芝(Toshiba)营收可微幅成长,其余均是下跌走势,其中,尔必达(Elpida)营收衰退幅度恐高达39%
  • 关键字: DRAM  半导体  通讯IC  

不同电源供电的器件间的桥接

  • 半导体行业从一开始就以“更小、更快、更便宜、更好”为宗旨。当前的掌上电脑(PocketPC)比占地整整一幢楼...
  • 关键字: CMOS  TTL  电源供电  

半导体商营收两样情 通讯旺DRAM衰

  •   2011年半导体商营收成长将呈现两极化局面。根据ICInsights最新研究预估,2011年全球半导体市场产值成长率仅达2%,但受惠今年智慧型手机和平板等行动装置热销,高通(Qualcomm)、英特尔(Intel)和辉达(NVIDIA)营收仍可拥有33%、26%及11%的亮眼表现。相较之下,今年五家动态随机存取记忆体(DRAM)大厂,则受市况不佳影响,表现大不如前,估计仅三星(Samsung)和东芝(Toshiba)营收可微幅成长,其余均是下跌走势,其中,尔必达(Elpida)营收衰退幅度恐高达39%
  • 关键字: 高通  DRAM  

CMOS电路IDDQ测试电路设计

  • 摘要:针对CMOS集成电路的故障检测,提出了一种简单的IDDQ静态电流测试方法,并对测试电路进行了设计。所设计的IDDQ电流测试电路对CMOS被测电路进行检测,通过观察测试电路输出的高低电平可知被测电路是否存在物理缺
  • 关键字: 电路设计  测试  IDDQ  电路  CMOS  

兰巴斯告美光操纵DRAM价导致其股价暴跌

  •   兰巴斯公司(Rambus)指控美光(Micron)与海力士(Hynix)共谋阻止其记忆芯片成为业界标准的官司失利,16日股价一度暴跌78%。   兰巴斯指称美光科技与南韩海力士公司违反加州反托辣斯法,串通操纵DRAM价格,但旧金山的加州高等法院法官16日以九票对三票驳回这项指控。   兰巴斯16日午盘股价最多暴跌14.04美元,以每股4美元成交,跌幅高达78%,收盘时回升到7.11美元,但跌幅仍达60.6%。美光股票则飙升23.4%,以6.74美元收盘;海力士股价17日在首尔股市则涨3.8%,收每
  • 关键字: 美光  DRAM  

内存殇:台系DRAM厂年内或净亏近千亿

  •   近日有业内媒体消息透露,包括力晶科技、南亚科技、华亚科技以及茂德科技在内的台系四大DRAM芯片制造商2011年或将遭受重大亏损。据消息透露,台系四大DRAM制造商2011年最终将可能遭受总额超过800亿新台币的净亏损,这一数字距离千亿级别仅一步之遥,约折合26.7亿美元。   该消息同时还指出,仅力晶科技、南亚科技以及华亚科技三大DRAM制造商,2011年前三个季度的净亏损额累计就达到了约570亿新台币,这其中还未包含茂德科技。原本今年的DRAM行业情况就已经相当糟糕,而近期以来泰国洪灾的影响更是
  • 关键字: 力晶科技  DRAM  

自制 CMOS 集成电路测试仪

  • 电子技术的电控电路常采用CMOS逻辑控制系统,通过多年的维修实践,我们自行设计和安装了简易集成逻辑门电...
  • 关键字: CMOS  集成电路  测试仪  

力晶呼吁美光Flash技转台塑 台厂勿再死守DRAM

  •   力晶亟欲与标准型DRAM划清界限的同时,也积极往NAND Flash产业靠拢,董事长黄崇仁表示,不要再说台湾没有内存自有技术了,力晶的NAND Flash技术目前台湾唯一自产自销,同时也呼吁美光(Micron)赶快把NAND Flash技术技转给南亚科和华亚科,台厂不要再死守DRAM产业,才有一起得救的机会;再者,他也暗示面板业资金借贷远比DRAM产业包袱大,是政府和市场要重视之处。   力晶的NAND Flash技术师承日商瑞萨(Renesas),早期帮是做代工,后来瑞萨退出后就将技术卖给力晶,力
  • 关键字: 力晶  DRAM  

一种低温漂的CMOS带隙基准电压源的研究

  • 摘要:为了满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求,提出了一种在0.25mu;m N阱CMOS工艺下,采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成,实现了VBE和VT的线性
  • 关键字: 研究  电压  基准  CMOS  低温  

机顶盒将失去对DRAM市场的影响力

  •   据IHS iSuppli公司的DRAM研究报告,尽管其DRAM含量不断增加,但机顶盒在DRAM市场中的份额未来几年将进一步下降。   按比特出货量计算,2010年机顶盒(STB)使用的DRAM所占份额为1.06%,今年将降到0.97%。除了2014年预计出现短暂反弹,机顶盒占DRAM市场的份额随后将继续下滑,到2015年将只有0.76%。   然而,机顶盒产业的DRAM比特出货量不断增加,预计明年将达到2.796亿Gb,到2015年底预计达到6.646亿Gb。每台机顶盒使用的DRAM数量也将不断增
  • 关键字: 机顶盒  DRAM  

尔必达计划调整4方向以提升获利能力

  •   日厂尔必达(Elpida)现居全球第3大DRAM厂地位,DIGITIMES Research观察其2011年第3季营运表现,不仅营收仅641亿日圆,为近7季最低水平,且营业损失与净损更分别扩大至447亿日圆与489亿日圆,为近4季最大亏损金额,主因该季平均销售单价(Average Selling Price;ASP)较第2季大幅下滑37%所致。   DIGITIMES Research分析,为改善亏损状况,尔必达计划自顺应市场动向、降低成本、调整生产体制,及运用智财权优势等4方面着手提升获利能力。
  • 关键字: 尔必达  DRAM  

CMOS模拟多路复用器LTC1380/LTC1393

  • 描述  该LTC1380/LTC1393都和SMBus ®兼容的数字接口的CMOS模拟多路复用器。该LTC1380是一个单端8通道多 ...
  • 关键字: CMOS  模拟  复用器  LTC1380  LTC1393  

CMOS电容式麦克风设计详解

  • 电容式麦克风的中心议题: 电容式微麦克风原理电容式麦克风的解决方案: 电容式微麦克风原理
    CMOS微机电麦克风电路设计
    CMOS微机电麦克风工艺分类 纯MEMS与CMOS工艺的差异
    随着智能手机
  • 关键字: CMOS  电容式  麦克风  详解    

IDT推出全球首款超低功耗CrystalFree CMOS振荡器

  •   拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.) ,推出业界首款拥有突破性 ±50 ppm 频率精度和超低功耗的 CMOS 振荡器。新器件代替了传统的石英晶体振荡器,在任何要求 ±50 ppm 时间基准的广泛应用中,节省功耗高达 75%,包括计算、通信和消费市场。   IDT 新的 3LG 系列 CrystalFree CMOS 振荡器确保 ±50
  • 关键字: IDT  CMOS  
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