- DRAM产业走过2008年底的全球金融风暴后，仍旧是跌多涨少，即使各厂都把产能转去做其它产品，如Mobile RAM、服务器DRAM等，PC DRAM仍是面临持续崩跌局面，因此集成的议题持续被讨论;金士顿(Kingston)创办人孙大卫即表示，台湾DRAM产业不集成只有死路一条;某台厂 DRAM厂高层即表示，整并最恰当的方式是2家母厂(美光、尔必达)先自行整并，台湾DRAM厂自然会集成。
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尔必达 DRAM
- 1 引言 集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。 一个典型的数字锁相环结构如图1 所示
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设计 振荡器 CMOS
- 行动装置风潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服务器DRAM等，俨然已成为DRAM厂最佳避风港，然在各家存储器大厂一窝蜂抢进下，Mobile RAM已率先发难，出现供过于求警讯，日厂尔必达(Elpida)传出原本爆满的Mobile RAM产能将转回作PC DRAM，加上近日PC DRAM价格再度崩跌至濒临1.5美元保卫战，DRAM厂12寸厂产能陷入苦寻不到避风港困境。
存储器业者表示，PC市场成长趋缓是 DRAM产业致命伤，而平板计算机崛起让每台系统DRAM
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DRAM NAND
- 日本尔必达公司近日宣布成功开发出了DRAM业界首款使用HKMG技术的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程级别DRAM芯片产品。HKMG技术即指晶体管的栅极绝缘层采用高介电常数(缩写为high-k即HK)材料，栅电极采用金属材料 (Metalgate即MG)。采用这种技术的晶体管可减小栅漏电流并提升晶体管的性能。
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尔必达 DRAM
- 根据集邦科技统计，随着今年平板计算机与智能型手机的兴起，PC出货量已不若往年呈现高度成长，随着后PC时代来临，各DRAM厂也纷纷转进行动式存储器市场，不过，在产出量将于下半年大增，加上平板计算机出货数字下修的影响，集邦预警，下半年行动式存储器的价格走势恐增添隐忧。
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DRAM 行动式存储器
- 制定行业公认的标准是研究纳米技术必不可少的先期工作
就像1849年出现的加利福尼亚淘金热一样，纳米技术的出现也带来了巨大机遇和极大风险。正如在淘金热时代出现了很多新技术、利益和挑战一样，人们对纳米技术的探索也将不可避免地促使人们开发一些新工具突破纳米关键技术，抓住创造巨大财
富的机遇，但是也存在给环境、健康和安全带来灾难性影响的可能性。尽管纳米技术将毋庸置疑地形成很多爆炸性的技术，催生很多新的研究领域，但是也可能对那些不了解
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纳米 CMOS
- 本文介绍了电荷俘获的原理以及直流特征分析技术对俘获电荷进行定量分析的局限性。接下来，本文介绍了一种超快的脉冲I-V分析技术，能够对具有快速瞬态充电效应（FTCE）的高k栅晶体管的本征（无俘获）性能进行特征分析。
先进CMOS器件高k栅技术的进展
近年来，高介电常数（高k）材料，例如铪氧化物（HfO2）、锆氧化物（ZrO2）、氧化铝（Al2O3）以及
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脉冲 CMOS
- SuVolta日前宣布推出PowerShrink™低功耗平台。该平台可以有效降低CMOS集成电路2倍以上的功耗，同时保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半导体有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天还共同宣布，富士通已获得授权使用SuVolta创新型PowerShrink™低功耗技术。
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SuVolta CMOS
- 日系存储器大厂尔必达(Elpida)台湾人事和营运布局大地震，总经理谢俊雄6月初闪电退休，职缺暂由全球业务副总张士昌兼任，同时尔必达也着手整顿台湾PC DRAM通路代理，由过去2~3家代理商的策略，收回由力晶关系人近期秘密成立的新通路商智胜统筹，另外也传出尔必达将小幅入股智胜，象征与力晶之间的合作关系紧密;存储器业者认为，力晶年初宣布弃品牌投注尔必达代工麾下，对双方营运层面的改变才正要开始而已。
2年前台湾DRAM产业虽然没有集成成功，但显然地，尔必达已默默搜刮台湾12寸晶圆产能，从茂德合作伙伴
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尔必达 DRAM
- 6月9日，应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美(ON Semiconductor)半导体推出五款超小封装的低压降(LDO) 线性稳压器，强化用于智能手机及其他便携电子应用的现有产品阵容。这些新器件基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术，均能提供150毫安(mA)的输出电流。
NCP4682和NCP4685超低电流稳压器的供电电流仅为典型值1微安(µA)，输出电压范围为1.2伏(V)至3.3 V。
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安森美 CMOS NCP4682
- 从技术投资与市场竞争力的观点来看，半导体业者从12寸厂拓展至18寸厂，以提升产能规模，已是不可避免的发展趋势。然而，18寸厂的建置正面临严峻考验，因此未来全球半导体业者在18寸晶圆厂的布局结果，将进一步影响半导体市场版图。
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DRAM 晶圆代工
- 存储器模块厂金士顿(Kingston)不畏存储器景气波动，2010年全球独立DRAM模块厂市占率首度突破50%大关，NAND Flash市场布局也成功跨足固态硬盘(SSD)市场，面对台湾上游DRAM厂仍处于生存困境的当下，金士顿创办人之一的杜纪川表示，认同孙大卫认为台湾 DRAM产业要集成才有活路的策略，唯有计画性地将各方力量做结合，才能让台湾DRAM厂免受全球经济、市场波动冲击。
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NAND DRAM
- 基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。
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设计 电压 基准 CMOS 0.18
- 据南韩电子新闻报导，全球主要DRAM内存芯片业者陆续投入微细制程转换作业，然而海力士半导体(Hynix)在转换到30纳米制程上正遭遇瓶颈。在微细制程转换竞争中，一直紧追在海力士之后的尔必达(Elpida)，可能会更快完成制程转换作业，并动摇海力士数年来维持的竞争力。对此说法，海力士反驳道，目前皆依照计划日程顺利进行转换中。
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Hynix DRAM
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