- 据韩联社报导，三星电子(Samsung Electronics)半导体事业部社长权五铉在三星主要首长团会议中表示，日本DRAM制造厂尔必达(Elpida)虽然公开表示已开发出25纳米DRAM，但仍需持续观察至正式量产，表现出存疑的态度。
- 关键字：
尔必达 DRAM
- 台系DRAM厂茂德由于净值已低于股本10分之3，且会计师出具「继续经营假设有重大疑虑」之核阅报告，柜买中心在完成2010年和2011年第1季财报审阅后，将茂德从5月6月开始列为分盘交易处置;再者，茂德已决议办理私募，市场认为引进技术合作伙伴尔必达(Elpida)机率最高。
- 关键字：
茂德 DRAM
- 市场调研公司集邦科技日前发布的全球一季度DRAM内存芯片市场统计报告显示，DRAM内存芯片市场该季度营收83亿美元，相比去年第四季度的86亿美元下降4%。
- 关键字：
DRAM DDR3 WiMAX
- 针对存储器模块龙头厂金士顿(Kingston)创办人孙大卫呼吁政府出面集成DRAM厂，甚至应先拿出20亿美元(约新台币580亿元)集成现有 DRAM厂，经济部长施颜祥对此表示，政府对于DRAM产业已有2套方案，包括与日厂尔必达(Elpida)合作，以及与美商美光(Micron)合作，而且是集成不是整并，政府并没有要出资整并多家DRAM厂成为1家公司规划。
- 关键字：
金士顿 DRAM
- 日本尔必达存储器(Elpida Memory)宣布，将从2011年5月开始全面量产采用30nm工艺的DRAM。生产基地是该公司的广岛工厂和台湾瑞晶电子(Rexchip Electronics)的工厂。广岛工厂已经开始生产30nmDRAM，2011年4～6月将把比例扩大至20%、2011年7～9月扩大至30%。而瑞晶工厂则计划在2011年7～9月导入30nmDRAM技术，2011年7～9月将比例提高至50%、2011年10～12月迅速提高至100%。
尔必达从2010年9月开始开发30nmDRAM
- 关键字：
尔必达 30nm DRAM
- 面对台湾DRAM产业势力节节败退，存储器模块龙头厂金士顿(Kingston)创办人孙大卫表示，如果政府什么事都不做，台湾DRAM产业没有未来，且所有三星电子(Samsung Electronics)有涉猎的产业都会面临威胁，包括面板、晶圆代工等，因为以台湾中小企业特性遇上三星，就象是单兵对上大军团，未来每个指标性产业恐被各个击破。
- 关键字：
三星 DRAM
- 印度市场调研公司RNCOSE-Services近日发布调查报告称，全球半导体市场在2011-2013年的复合年均增长率将达9%，电脑和手机将是半导体销量增长的主要驱动力。
- 关键字：
芯片 DRAM
- 日经新闻日前报导，日本DRAM龙头厂尔必达(Elpida)上年度(2010年度;2010年4月-2011年3月)财报显示本业获利状况的合并营益可望较前一年度(2009年度)劲扬30%至350亿日圆，主因为智能型手机、平板产品需求急增带动Mobile DRAM出货呈现增长，加上制程细微化令成本有效获得删减。报导指出，尔必达上年度合并营收预估将年增9%至5,100亿日圆，显示最终获利状况的合并纯益也可望维持于2009年度的30亿日圆水平。
报导指出，2011年1-3月期间因PC用DRAM价格低迷导致
- 关键字：
尔必达 智能手机 DRAM
- 受惠于平板计算机等产品用Mobile DRAM出货畅旺，且制程推进有助于撙节成本，尔必达(Elpida)2010会计年度(2010年4月~2011年3月)营业利益可望成长30%，达350亿日圆(约4.2亿美元);而该季营收约可达5,100亿日圆，年增率为9%。
- 关键字：
尔必达 DRAM
- 提出一种应用于射频频率合成器的宽分频比可编程分频器设计。该分频器采用脉冲吞吐结构，可编程计数器和吞脉冲计数器都采用改进的CMOS源极耦合(SCL)逻辑结构的模拟电路实现，相对于采用数字电路实现降低了电路的噪声和减少了版图面积。同时，对可编程分频器中的检测和置数逻辑做了改进，提高分频器的工作频率及稳定性。最后，采用TSMC的0．13／μm CMOS工艺，利用Cadence Spectre工具进行仿真，在4．5 GHz频率下，该分频器可实现200～515的分频比，整个功耗不超过19 mW，版图面积为106 μ
- 关键字：
可编程 设计 CMOS 合成器 频率 应用
- 在硅晶圆缺货阴霾未能完全消退下，个人计算机(PC)大厂补货需求提前启动，4月DRAM合约价涨声响起，让DRAM业者吃下定心丸，估计4月上旬平均涨幅约6%，而南亚科依据不同客户区分，单月涨幅落在5~10%区间，目前2GB容量DDR3模块价格调涨至18美元，换算2Gb芯片报价回升至2美元，预计2GB模块报价回升至20美元指日可待，如果硅晶圆吃紧问题持续，预计5、6月可顺利回升至此价位。
- 关键字：
硅晶圆 DRAM
- 海力士(Hynix)30日召开定期股东大会，社长权五哲表示，DRAM价格已触底，市况可望进入恢复期，而权五哲对NANDFlash市况，也抱持肯定的态度，他表示，受日本地震影响，NANDFlash价格攀升，下半年记忆体晶片市场将可望出现反弹。
- 关键字：
海力士 DRAM
- 市场研究机构IHS公司iSuppli公司上调了对今年全球半导体销售额的预测，较原本预期调高50亿美元。主要原因是日本地震引发全球半导体供应短缺，刺激存储芯片价格上涨。
- 关键字：
半导体 DRAM
- 市场研究机构IHS公司iSuppli公司上调了对今年全球半导体销售额的预测，较原本预期调高50亿美元。主要原因是日本地震引发全球半导体供应短缺，刺激存储芯片价格上涨。
- 关键字：
半导体 DRAM NAND
cmos.dram介绍
您好，目前还没有人创建词条cmos.dram!
欢迎您创建该词条，阐述对cmos.dram的理解，并与今后在此搜索cmos.dram的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
