- 以网络摄像机为应用背景，阐述了数字CMOS图像传感器OV7720芯片的参数、接口和通信协议，结合网络摄像机的开发环境，详细介绍了芯片与嵌入式CPU的硬件电路和软件结构。系统以嵌入式Linux作为操作系统，相机芯片OV7720，OV529对数字视频进行采集、压缩编码并生成MPEG-4码流。MPEG-4码流经过AT91SAM7X256控制器外挂的网络芯片被输送到PC机。PC机端通过内嵌MPEG-4解压插件的IE浏览器实时浏览视频和控制网络摄像机的状态。
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网络 摄像机 设计 OV7720 传感器 CMOS 图像 基于
- 研究机构IHSiSuppli表示，由于日本地震导致该国存储芯片供应减少之后推动价格走高，预计2011年全球半导体销售收入将增长7%至3,250亿美元。
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存储芯片 DRAM
- 4月6日消息，据国外媒体报道，有分析机构预测，日本地震可能提升全球半导体市场收入。
受到3月11日日本地震和海啸的影响，芯片产业供应链遭到一定破坏，这导致了芯片价格的上涨，根据分析机构IHSiSuppli的预测，并将可能影响全球半导体市场收入，可能使之环比去年上涨7%，而之前预测的数值是5.8%。
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芯片制造 DRAM
- 据市场研究公司IHS iSuppli称，由于智能手机和平板电脑目前配置的内存芯片很快将证明不能充分地处理应用程序，新型移动DRAM内存芯片占整个移动内存芯片市场的份额将增加。iSuppli称，LPDDR2（低功率双数据速率2）内存现在正在成为移动DRAM内存领域中占统治地位的技术。到第二季度末，LPDDR2移动内存占移动内存的市场份额将从第一季度的31%提高到40%。
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内存芯片 DRAM
- 虽然日本强震导致半导体生产链供货不顺，但是因各家计算机大厂手中仍有1-2个月库存，所以4月及5月份计算机出货仍没有太大问题，由于英特尔修正版6系列芯片组已恢复正常供货量，OEM厂已开始放大英特尔Sandy Bridge平台出货。
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半导体 DRAM
- 韩国存储器大厂海力士(Hynix)对DRAM及NAND Flash产业后市，发表脱离谷底的看法，对于台系DRAM厂而言，可望注入强心针。在硅晶圆部分，海力士与台厂目前都有1~2个月不等库存，短期仍可支应生产，但中长线来看，日本地震造成硅晶圆短缺问题仍待厘清，目前市场买盘多是边走边看，没有一窝蜂抢货，但也会担心日后供给吃紧造成涨价问题。
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Hynix DRAM NAND Flash
- 摘要：为解决PWM控制器中输出电压与基准电压的误差放大问题，设计了一款高增益、宽带宽、静态电流小的新型误差放大器，通过在二级放大器中间增加一级缓冲电路，克服补偿电容的前馈效应，同时消除补偿电容引入的零点。
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CMOS PWM 误差放大器
- 海力士(Hynix)30日召开定期股东大会，社长权五哲表示，DRAM价格已触底，市况可望进入恢复期，而权五哲对NANDFlash市况，也抱持肯定的态度，他表示，受日本地震影响，NANDFlash价格攀升，下半年记忆体晶片市场将可望出现反弹。
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海力士 DRAM
- 根据IHS的研究报告，平板电脑DRAM上的平均容量将大幅增加147%，达到676MB。
IHS公司分析师迈克霍华德表示，由于平板电脑的应用程序越来越复杂，今年其内存的平均增长量将会是去年的2.5倍。这股趋势会继续下去，明年的平均容量预计将达到1.3GB ，而到2015年预计会达到3.7GB，与笔记本电脑所使用的DRAM的容量相当。
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平板电脑 DRAM
- 摘要：提出了一种新颖的CMOS四象限模拟乘法器电路，该乘法器基于交叉耦合平方电路结构，并采用减法电路来实现。它采用0．18mu;m CMOS工艺，使用HSPICE软件仿真。仿真结果显示，该乘法器电路在1．8 V的电源电压下工作
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法器 设计 模拟 CMOS 线性 低压
- 摘要：为适应低压低功耗设计的应用，设计了一种超低电源电压的轨至轨CMOS运算放大器。采用N沟道差分对和共模电平偏移的P沟道差分对来实现轨至轨信号输入。当输入信号的共模电平处于中间时，P沟道差分对的输入共模电平
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CMOS 轨至轨 运算放大器
- 摘要：为了提高运算放大器的驱动能力，依据现有CMOS集成电路生产线，介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计，探讨BiCMOS工艺的特点。在S-Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计，并对其电路各个器件参数
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BiCMOS CMOS 工艺 放大器设计
- 结合电荷泵型LED驱动器的工作要求，从减小输出电压纹波、稳定输出电压出发，设计了一款误差放大器。该误差放大器具有较大的工作电压范围，使电荷泵型LED驱动器高效率低噪声工作。基于CHRT 0．35μm CMOS MIXEDSIGNAL TECHNOLOGY进行仿真，结果表明，在2．7～5 V工作电压范围内，开环电压增益约等于72 dB，相位裕度约等于65°，单位增益带宽约等于4．6 MHz，共模抑制比CMRR约等于113 dB，电源抑制比PSRR约等于100 dB。
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放大器 设计 误差 CMOS LED 驱动器 电荷
- 美光执行长Steve Appleton表示，看好3~5月的DRAM报价逐渐触底反弹;再者，日前三星电子(Samsung Electronics)也开始调涨DRAM合约价，南亚科也认为4月合约价将会续涨，市场弥漫春燕将至的气氛。
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美光 DRAM
- 全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称，它已经开始大批量生产新型移动DRAM内存芯片。这种内存芯片在更薄的封装中增加内存的密度。
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三星 DRAM
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