- 据市场研究公司iSuppli表示，今年全球半导体市场将较上年同期低迷的水平实现有史以来最大规模的增长，这主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增长。iSuppli预计，2010年全球半导体行业总收入或为3,040亿美元，较2009年总收入2,295亿美元高出大约三分之一。
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半导体 DRAM
- 2011年DRAM产业中，虽然三星电子(SamsungElectronics)已揭露大扩产计划，包括兴建12寸晶圆厂Line-16，以及将现有Line-15升级至35纳米制程，但综观整个DRAM产业的位元成长率，仍都是来自于制程微缩为主，包括三星35纳米制程将在2011年下半超过50%，以及海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)的30纳米制程也都将在第2季大量产出，集邦科技预估2011年全球DRAM产业位元成长率(BitGrowth)将增加50%。
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三星电子 DRAM
- “硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器(ReRAM)以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺，硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。
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CMOS 10nm
- 2011年DRAM产业中，虽然三星电子(Samsung Electronics)已揭露大扩产计划，包括兴建12寸晶圆厂Line-16，以及将现有Line-15升级至35纳米制程，但综观整个DRAM产业的位元成长率，仍都是来自于制程微缩为主，包括三星35纳米制程将在2011年下半超过50%，以及海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)的30纳米制程也都将在第2季大量产出，集邦科技预估2011年全球DRAM产业位元成长率(Bit Growth)将增加50%。
三星电子201
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三星电子 DRAM
- 据iSuppli公司，2010年上半年金士顿增强了在第三方DRAM模组市场中的统治地位，在模组成本上涨之际利用其强大的购买力扩大了市场份额。
2010年上半年金士顿的DRAM模组销售额为26亿美元，比2009年下半年劲增45.6%。其在全球第三方DRAM模组市场中的份额从2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士顿的表现远远优于总体DRAM模组市场，后者同期增长26%。
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金士顿 DRAM
- 据南韩电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics)应用可大幅提升内存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技术开发出8GB DDR3 DRAM模块。三星以3D-TSV技术在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭载2颗集积芯片，制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)产品，10月时已装设在客户商服务器上，完成产品测试。
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三星 DRAM
- Rambus虽说是专利官司大户，但他们也不是每次都靠这种方式挣钱。近日他们就与日本内存大厂尔必达签署了新一期的专利授权协议。
此次双方签署的协议涉及产品极其广泛，从久远的SDR内存芯片到DDR、DDR2、DDR3、LPDDR、LPDDR2再到GDDR3、GDDR5芯片。该协议为期五年，尔必达将向Rambus总共支付1.8亿美元的授权费，首次付账4700万美元。
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尔必达 DRAM
- Verilog HDL语言是IEEE标准的用于逻辑设计的硬件描述语言，具有广泛的逻辑综合工具支持，简洁易于理解。本文就STAR250这款CMOS图像敏感器，给出使用Verilog HDL语言设计的逻辑驱动电路和仿真结果。
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驱动 电路设计 敏感 图像 VerilogHDL CMOS 基于
- 全球第2大DRAM记忆体厂海力士(Hynix)第4季业绩走弱，营运获利下滑加上淡季效应与产品价格走跌等因素，有鉴于大陆市场潜力巨大，该公司拟加码大陆资本投资金额，希望借此刺激营收。海力士大陆区负责人Lee Jae-woo接受Korea Times采访时表示，公司计划提高大陆厂制程技术，以生产高阶晶片。
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海力士 DRAM
- 按VLSI市场调研公司的最新报告，今年无论半导体以及设备业都达到历史上辉煌的年份之一，由此也导致可能产能过剩及芯片价格下降。
同时，该公司也更新了2011及2012年半导体及设备业的预测，为2011年半导体增长4.4%为2486亿美元，以及2012年再增长7.9%。VLSI之前曾预测2011年半导体增长8%。
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半导体 DRAM
- 11月下旬DRAM合约价跌幅超过10%，让市场笼罩在乌云密布的气氛当中，29日DDR3 eTT(Effectively Tested)报价单日再跌7%，1Gb DDR3报价掼破1.3美元;DRAM业者则表示，1Gb DDR3 eTT价格单日大跌超过7%，其实只是以补跌来反应品牌颗粒的价格;然此跌价情况若再延续，不排除各家DRAM厂会有扩大减产的情况出现。
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力晶 DRAM
- 全球DRAM产业再度面临二次崩盘潮的危机，虽然2010年上半年在供给不足的情况下，DRAM报价达到顶峰，但下半年却意外遇上个人计算机(PC)产业旺季不旺，加上DRAM产业供给端大量产出，使得DRAM价格再度面临崩盘窘境，时至11月，上、下旬合约价连番重挫，且上旬跌幅高达12~13%，较上旬不到10%合约价持续扩大。
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力晶 DRAM
- 根据分析师和市场研究人员表示，个人电脑中的主要存储元件DRAM的价格在2011年将会呈现下滑的状态。瑞士信贷投资银行预测，2011年中期DRAM市场仍将供过于求，但2011年下半年将恢复。该公司表示， DRAM季度收入将可能在明年二季度恢复之前，在第一季度探底。
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三星 DRAM
- 南朝鲜军事紧张关系对于DRAM报价激励未产生实质性的帮助，市场还是回到供需面看待DRAM市场未来的前景;在DRAM供给端产出都集中在下半年，但个人计算机(PC)需求却旺季不旺下，DRAM合约价和现货价都呈现加速赶底之姿，预期2010年底前DDR3合约价将下跌至20美元水平，随著尔必达(Elpida)、力晶陆续减产，以及三星电子(Samsung Electronics)的新厂Fab16进度将随景气调整，预计2011年下半DRAM市场可望走向供需平衡。
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尔必达 DRAM
- 三星电子(Samsung Electronics) 2011年将致力于提升DRAM存储器半导体制程技术水平，再拉大与其它竞争业者间差距。三星半导体事业部专务赵南成表示，2010年采用30纳米级制程制造DRAM，2011年上半计划采行20纳米级制程推出产品。三星计划每年提升DRAM制程技术，维护业界领先地位。
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三星 DRAM
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