- DDR3报价从2010年初1颗3美元跌到年底只剩下0.8美元，跌幅高达70%，力晶更在2010年底因欠款导致子公司瑞晶停止出货，透露台DRAM厂财务已处于极度吃紧状态，存储器业者表示，由于1月DRAM合约价和现货价还有下跌空间，即便台厂现在就采用40纳米制程生产，亦只能勉强微幅赚钱，更何况台厂目前制程几乎都在50及60纳米世代，因此，台DRAM厂不仅2010年第4季亏损将持续扩大，2011年第1季亦将再鸣亏损悲歌。
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茂德 DRAM
- 2010年DRAM产业虎头蛇尾，年初报价大涨至1颗DDR3报价达3美元，但年底却跌到1美元;但以获利来看，2010年只有力晶和瑞晶有赚钱，南亚科、华亚科和茂德都是持续赔钱，南亚科和华亚科是因为制程转换之故，没有掌握到年初报价上涨的机会，年底虽然成功转进50奈米，但报价已呈现溜滑梯状态。
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瑞晶 DRAM
- 瑞晶31日公告，由于主要大客户兼母公司力晶的帐款逾期未付，因此即日起暂停出货给力晶;力晶表示，由于DRAM价格不佳，在财务上规画保守，目前正与尔必达(Elpida)和瑞晶3方协商当中;瑞晶则表示，将与力晶协议针对保障瑞晶债权的方案。
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瑞晶 DRAM
- 台湾央行总裁彭淮南面对这一波新台币强势升值，采取汇市收盘价力守30元的作法，外界开始出现汇价失真的争议，但彭淮南这次直接挑明表示，台湾和韩国在科技产业的产品雷同度高，汇率过度升值会影响出口商的竞争力;与韩国处于高度竞争的DRAM厂表示，若新台币升值幅度高于韩元，与三星电子(Samsung Electronics)竞争上的确区居下风，不过台湾DRAM产业有很大一块问题是自己的技术和财务结构，汇率是影响竞争力因素之一，但绝不是影响台湾DRAM产业竞争力的最关键因素，主要因素还是在售价。
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力晶 DRAM
- 海力士(Hynix)紧跟三星电子(Samsung Electronics)之后，将把DRAM的生产制程转换为30纳米级制程。海力士29日宣布，已开发出2款计算机用DRAM产品，将首度采用30纳米级制程量产。据海力士表示，计划采用38纳米制程生产4Gb和2Gb 2种产品，2011年第1季将先量产2Gb产品。
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海力士 DRAM
- D触发器的常规使用一般是用作二分频器、计数器或移位寄存器。然而，只要对D触发器的外围电路加以改进，根据其基本逻辑功能。就可充分发挥其独特的作用。数字装置中常用的脉冲宽度检测电路，对脉冲信号的宽度进行识别
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宽度 检测 电路设计 脉冲 CD4013 CMOS 触发器 基于
- 据彭博(Bloomberg)报导，海力士(Hynix)计划资本支出3兆韩元(约26亿美元)，该公司发言人证实首尔经济日报(Seoul Economic Daily)的报导。
彭博电话访问发言人Park Seong Ae指出，实际投资金额可能会依市场情况而调整。Park进一步指出，2010年的投资金额为3.38兆韩元，相较之下，2011年的投资金额可能会比较小。
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海力士 DRAM
- DRAM报价面临二次崩盘危机，过去曾被提及但最后铩羽的台日DRAM产业4合1大整并议题，再度被端上台面!日本外电指出，尔必达(Elpida)社长坂本幸雄将于2011年初访台，洽谈在台湾成立控股公司，将力晶、瑞晶和茂德3家台厂连同尔必达进行4合1大整并的细节，若能整并成功，“新尔必达”的市占率将一举超越海力士(Hynix)成为全球DRAM二哥;惟台厂表示，未听闻此事。
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尔必达 DRAM
- 什么是CMOS数码相机？对于最终用户而言，采用CMOS技术的数码相机与传统相机没有太大不同。大多数拍照操作方法以及在取景器内给被拍对象安排正确位置的方法都完全相同。那么不同之处在哪里？传统相机需要使用一个35毫
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数码相机 方案 传感器 CMOS 处理器 采用
- 据iSuppli公司，12月DRAM价格继续下降，跌势不止，经过几个月的大幅下滑，价格已降到年内最低水平。
12月10日，2GB DDR3 DRAM模组合同价格为21.00美元，比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3价格下跌，DDR2同样跌得很惨。目前DDR2价格为21.50美元，远低于6月时的38.80美元。
图2所示为4-12月DDR2和DDR3 DRAM的平均销售价格，包括1GB和2GB两种密度。
与上一代的DDR2相比，DDR3传输速度更快，而且功耗更低。但
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DRAM 30纳
- 美系内存大厂美光(Micron)预测2011会计年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash报价将持续走跌，其中DRAM价格会下跌约25%，而NANDFlash价格会下跌约10%，美光表示，将致力于制程技术微缩，以期能持续降低生产成本，因应需求不如预期的市况。
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美光 DRAM
- 美国计算机记忆芯片大厂美光日前公布会计年度第1季(迄12月2日)财报，由于供智能型手机使用的记忆芯片需求殷切，不但抵销了个人计算机记忆芯片需求下滑的冲击，更让公司连续第5个季度出现获利。
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美光 DRAM
- 索尼 (Sony)计划以 500 亿日元 (5.972 亿美元) 价格，向东芝 (Toshiba)买回一座半导体工厂，好让用于智能型手机及其他设备的影像传感器 (image sensor) 产能大增一倍。
报导指出，索尼于 2008 年，将该座位于日本长崎的工厂卖给东芝。如今买回，将用以加强其 CMOS 传感器业务，使其影像传感器产量，倍增至相当于每月 4 万颗晶圆。
报导补充，索尼盼藉由增加产量及降低生产成本，好在 CMOS 影像传感器的市场，追赶上南韩的三星 (Samsung)及其他美
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索尼 CMOS
- 2010年12月下旬DRAM的合约价格持续重挫，其中2GB容量DDR3模块的价格下跌10%，平均售价跌破20美元，低价来到17美元价格，相较于2010年上半DRAM缺货高峰期，2GB容量DDR3模块价格较当时的价格已下跌超过50%，市场预期供过于求的情况至少还会再持续1季，因为2011年第1季的供给增加幅度相当大，预计要到2011年4月之后，等个人计算机(PC)大厂准备下半年旺季的备料，DRAM价格才有机会落底止跌。
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尔必达 DRAM
- 随着大规模集成电路技术的发展与成熟，CMOS工艺以其低成本、低功耗、高集成度的优点使得采用CMOS工艺实现高性能集成锁相环具有十分重要的意义和广阔的前景。
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芯片 设计 相环 电荷 CMOS 工艺 基于
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