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cmos.dram 文章 进入cmos.dram技术社区

存储器3Q景气NAND Flash略优于DRAM

  •   存储器产业度过辛苦的第2季后,第3季景气恐没有这么快复苏,业界预期NAND Flash产业景气在第3季中之后,会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬,但业界对于DRAM市场看法则是分歧,7月合约价续跌已成定局,部分业者认为8月中开始价格可止跌,但另一派业者则认为DRAM报价到年底都不会反转,且恐有续跌的可能性,整体来看,下半年NAND Flash景气微幅优于DRAM产业,但好日子也不会维持太长。 
  • 关键字: 存储器  DRAM  

DRAM产业成本削减步伐将放缓

  •   据IHS iSuppli公司的研究,随着DRAM市场过渡到效率更高的低纳米技术,该产业的成本削减及节省步伐从2012年开始将放缓。   虽然最近几个季度DRAM产业在推低光刻节点方面比较积极,但在今年剩余时间内力度将逐渐减弱。今年第一季度该产业的加权平均节点从2010年第四季度的5.3%上升到5.6%,表明推动DRAM技术迁移的力度增大。在此期间,成本降幅从7.8%增大至14.2%,晶圆成本下降情况与光刻工艺的变化相符。
  • 关键字: DRAM  50纳米  

Silicon Labs广播收音机IC出货量突破十亿颗

  •   高性能模拟与混合信号IC领导厂商Silicon Laboratories 今日宣布其广播收音机IC出货量已达十亿颗,缔造了广播音频市场的重要里程碑。Silicon Labs的数字CMOS广播收音机芯片广泛应用于手机、便携式媒体播放器(PMP)、个人导航装置(PND)、汽车信息娱乐系统、桌面和床头收音机、便携式收音机、音响和许多其他消费电子产品。   Silicon Labs公司于2005年推出业界首颗单芯片FM接收器。作为业界最小、最高性能和集成度的FM广播收音机IC,Si4700 IC重构了消
  • 关键字: Silicon-Labs  IC  CMOS  

传世界先进有意投资茂德中科12吋厂

  •   茂德申请负债降息暂化解当前财务危机后,引进新资金成为当务之急,业界已传出多组人马正评估有条件投资茂德,或对旗下中科12吋晶圆厂有兴趣,近期已有第1个出价者浮现,内存业界传出世界先进出价新台币100亿元,想买茂德12吋厂,且推测背后应是获得台积电默许,主要系因驱动IC未来采12吋厂生产较具成本优势,世界先进可趁此机会捡便宜。不过,茂德和世界先进对此事都予以否认。 
  • 关键字: 茂德中科  DRAM  

瑞晶成30纳米制程转换最快的台湾DRAM厂

  •   瑞晶董事会日前通过30纳米制程转换资本支出18.15亿元决议案,并冲刺单月产能到年底达到8.8万片,成为迈向30纳米制程进展最快的台系DRAM厂。此外,董事会也通过,向台湾欧力士公司申请机器设备售后租回融资约10亿元,持续添购重要半导体制程设备如ASML的浸润机台等。 
  • 关键字: 瑞晶  DRAM  

力成科技布局先进封装技术

  •   力成科技积极自内存封测业务往先进封装技术布局,继先前买下茂德厂房以作为实验工厂后,转投资公司聚成科技的新竹厂也在3月动土,预计2012年第3季装机试产。力成董事长蔡笃恭表示,实验工厂以开发新技术为主,包括晶圆级封装、3D IC及铜柱凸块等,估计开发时程约1年,届时新竹厂正好开始启用,新产品效益可望适时于2012~2013年发酵。 
  • 关键字: 封装  DRAM  

华芯预计内存芯片业务收入将过亿元

  •   华芯半导体公司市场营销部经理殷和国6月28日在深圳集成电器创新应用展上对《第一财经日报》透露,预计今年内存芯片业务(DRAM)将为公司带来超过1亿元的收入。   
  • 关键字: 华芯  DRAM  

iSuppli:DDR4将在2014年集中上市

  •   据IHSiSuppli公司的研究,DDR3的市场份额稳定在85-90%,2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术,随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。2011年DRAM模组出货量将达8.08亿个左右,预计DDR3将占89%,高于去年的67%和2009年的24%。DRAM模组是包含DRAM芯片的封装,用于PC和其它电子产品之中。
  • 关键字: DDR4  DRAM  

CMOS Sensor的调试经验

  • 目前,包括移动设备在内的很多多媒体设备上都使用了摄像头,而且还在以很快的速度更新换代。目前使用的摄像头分为两种:CCD(Charge Couple Device电荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互补
  • 关键字: Sensor  CMOS  调试  经验    

尔必达宣布开始销售DDR3 DRAM样品芯片

  •   日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用穿硅互连技术(TSV)制作的DDR3 SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通过TSV三维堆叠技术封装为一块8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相当1GB容量),该三维芯片中还集成了接口功能芯片。
  • 关键字: 尔必达  DRAM  

DDR3仍是主流DRAM技术

  •   据IHS iSuppli公司的研究,DDR3的市场份额稳定在85-90%,2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术,随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。   
  • 关键字: DDR3  DRAM  

“宽动态”未来或成视频监控摄像机标配

  • 宽动态摄像机作为摄像机一个非常重要的分支,在明暗反差太大、光线来源单一的场合,发挥了重要的作用。宽动...
  • 关键字: 宽动态摄像机  CCD+DSP  CMOS+DPS  

尔必达开发出全球最薄的DRAM

  •   日本半导体巨头尔必达及其子公司秋田尔必达22日宣布,已开发出全球最薄的动态随机存储器(DRAM),4块叠加厚度仅为0.8毫米。   超薄DRAM将有助于减少智能手机等移动设备的厚度,增大其容量。制造成本则和目前厚度1毫米的DRAM相同。   
  • 关键字: 尔必达  DRAM  

Rambus指责海力士美光非法共谋

  •   据国外媒体报道,美国存储芯片制造商Rambus在周一加利福尼亚州开审的反垄断诉讼案中指出,韩国存储芯片制造商海力士和美国存储芯片制造商美光科技曾使用了“非法的阴谋”,欲将Rambus赶出计算机存储芯片市场。Rambus在此诉讼案中,针对海力士和美光科技侵犯公司DRAM存储芯片的行为,提出了高达129亿美元的索赔要求。Rambus表示,依据加利福尼亚 州的相关法律,该公司43亿美元的损害赔偿将自动增加两倍,达到129亿美元。截至目前,海力士与美光科技对此报道未置可否。 
  • 关键字: Rambus  DRAM  

DRAM产业:美日联合抗三星

  •   DRAM价格持续处于跌价泥淖,不只台系DRAM厂陆续转型、退出,国际大厂也在寻求长远生存之道,近日传出尔必达(Elpida)、美光 (Micron)、南亚科高层接触频繁,为未来可能的合作暖身,其中华亚科成为这次整并的中心点,因此也传出尔必达对华亚科的股权有兴趣,为此和美光、台塑接洽;业界认为DRAM产业未来在技术、资金等门槛越来越高下,若要有效对抗三星电子(Samsung Electronics),美日结盟势为必走之路。   
  • 关键字: 尔必达  DRAM  
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