手机高级功率放大器解决方案的新领军人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窝手机用 CMOS 发射模块，该模块是世界上最经济的高性能模块。利用体效应互补金属氧化物半导体工艺自身的可扩展性，AdaptiveRF 体系结构可融合高度集成的派生功能，包括交换机和复合滤波器，可不断大幅降低前端产品的成本、体积和功耗。
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Amalfi CMOS
CCD和CMOS是当前主要的两项成像技术，它们产生于不同的制造工艺背景，就当前技术言仍各具优劣。选择CCD或CMOS摄像机应依据适用环境和要求，合适选用CCD或CMOS技术，便能使图像监控达到预期的效果。另外，还可看到，C
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分析 技术 主要 CMOS CCD
由于市场需求仍持续低迷，以现阶段DRAM总投片约1300K为基准来计算，至少需减产20%，才有机会让市场供需平衡，但再加上DRAM厂先前放入Wafer Bank中的库存，甚至加上目前通路中所累积的DRAM颗粒，DRAM价格至少到明年第2季后才能见到春燕归来的迹象，而此时不景气，也是各厂整并或合作的最佳时机，才能够因应市场成长放缓的挑战。
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瑞晶 DRAM
惠普(HP)释出要切割个人计算机事业部门的消息，对台湾计算机产业链的影响为何，经济部正持续评估，不过，经济部次长黄重球指出，如果是由三星取得，台湾的代工业仍不易被取代，但对面板和动态随机存取存储器(DRAM)产业则较堪忧。
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三星 DRAM
摘要：利用共源共栅电感可以提高共源共栅结构功率放大器的效率。这里提出一种采用共源共栅电感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的设计方案，使用CMOS工艺设计了两级全差分放大电路，在此基础上设计输入输出匹配网络
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CMOS 共源共栅 功率放大器 方案
据IHS iSuppli公司的DRAM市场报告，第三季度DRAM市场将面临供应严重过剩和价格下滑的局面，导致下半年DRAM供应商陷入困境。
主流DRAM产品——2Gb DDR3的平均销售价格预计第三季度将降到1.60美元，比第二季度的2.10美元下降24%。这将是今年的最大降幅，此前在第二季度表现异常坚挺，价格只比第一季度下降5%，如图4所示。第四季度价格可能进一步下降22%至1.25美元，接近许多生产商的现金成本。一年前的第三季度，价格还保持在4.70美元。
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iSuppli DRAM DDR3
据IHS公司的移动与嵌入内存市场报告，第一季度移动DRAM销售额首次突破了20亿美元大关，突显智能手机、手持游戏机和平板电脑等移动平台的重要性日益增强。
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三星电子 DRAM
摘要：传统基准电路主要采用带隙基准方案，利用二级管PN结具有负温度系数的正向电压和具有正温度系数的VBE电压得出具有零温度系数的基准。针对BJT不能与标准的CMOS工艺兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的两个阈值电压VT
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CMOS VTH 电压基准
根据市场研究公司DRAMeXchange(集邦科技)发布的最新报告数据显示，今年第二季度全球DRAM芯片市场收入为81亿美元。
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DRAM 芯片
北京时间8月11日凌晨消息，市场调研公司集邦科技周三发布报告称，二季度全球DRAM芯片市场营收为81亿美元。
尽管日本地震对供应链造成的破坏使得DRAM芯片的平均价格小幅上涨，但是茂德初始晶圆产能的减产和力晶非DRAM产品产能的增加导致了二季度整体营收相比一季度降低1.9%。
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DRAM 晶圆
尔必达发布了2011财年第一季度(2011年4～6月)结算报告。受DRAM价格大幅下滑影响，该公司第一季度仍持续营业亏损状态。但尔必达指出，即便在困境中还是确保了其领先于竞争对手的技术优势，并指出了其他竞争公司将被甩在后边的可能性。
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尔必达 DRAM
摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工艺，在Hspice下，对四利PMOS管基准电压源进行了分析和仿真，文中给出了每种电路仿真时的电路参数和仿真结果。
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仿真 分析 电压 基准 CMOS
北京时间8月8日晚间消息，尔必达周一表示，由于市场对PC的需求表现疲软，因此正考虑削减DRAM芯片的产量。尔必达周一报告称，在截至今年6月的第一财季中出现净亏损。
作为日本唯一一家DRAM芯片厂商，尔必达今年第一财季净亏损78.7亿日元(约合1.004亿美元)，而去年同期为净盈利306.7亿日元。
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尔必达 DRAM
艾克赛利(Accelicon)，器件级建模验证以及PDK解决方案的技术领导者，宣布将出席于2011年10月3日到6日在美国亚利桑那州Tempe市举办的IEEE国际绝缘体上硅大会(2011 IEEE International SOI Conference)，并在会上介绍业内最新BSIM-IMG模型的应用情况。
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艾克赛利 CMOS
日本存储器大厂尔必达(Elpida)公布，已于2011年7月试产25纳米(nm)的2GB DDR3 SDRAM「EDJ2104BFSE/EDJ2108BFSE」样品。该公司为全球首家推出25纳米DRAM的企业，芯片面积也是世界最小。
尔必达表示，25纳米制程技术早于5月研发完成，本次是公布产品顺利生产。25纳米DRAM传送资料的速率将比30纳米更快，1针脚即有1,866Mb/秒以上，且待机耗电量减少20%。
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尔必达 25纳米 DRAM
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