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tsv芯片
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以碳纳米管取代铜 TSV芯片效能更好
来自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大学(Chalmers University of Technology)的研究人员发现,以碳纳米管来填充采用硅穿孔技术(TSV)连结的 3D芯片堆栈,效果会比铜来得更好。 TSV是将芯片以3D堆栈方式形成一个系统,而非将它们平行排列在电路板上,以提高芯片之间通讯的速度;但遗憾的是,目前用以填充硅晶孔洞的铜,却会导致热膨胀(thermal expansion)的问题,因为铜遇热会比周围的硅材料膨胀更多。 「碳纳米管的许多特性都优于铜,包括热
关键字:
TSV芯片
CMOS
IBM开发TSV芯片连接技术
计世网消息 IBM公司将用一种相对较新的方式将芯片连接在一起,据IBM公司表示,这将有助于提高系统性能并降低能耗量。 这一被称为TSV(通过硅芯片过程)的技术利用数以千计的导线将不同的诸如处理器和内存,或者两个芯片中不同内核的组件连接起来。而在当前,芯片主要是通过被称为总线的“通道”传输数据,总线有时会发生拥挤和堵塞等现象。而采用TSV技术,芯片每秒种能够以一种更为节能的方式传输更多的数据。 IBM公司并不是第一家开始谈论TSV的公司,第一家开始谈论TSV的应该是英特尔公司,但IBM
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IBM
TSV芯片
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