- 本文设计了一种3.3V 14位210MSPS 电流型DAC。该转换器包括高速模拟开关、带隙参考电路、电流调整电路和高速锁存器等。采用了分段电流沉结构，同时还采取了电流源调整技术，改善了芯片的线性参数。电路基于0.35μm CMOS工艺设计，芯片面积3.8mm2。测试表明，其刷新率可达210MSPS，INL为±0.8LSB，DNL为±0.5LSB，SFDR@fclk=210MSPS为72dBC@fout=5.04MHz，在3.3V电压下工作时功耗小于120mW。
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DAC CMOS
- 静态随机存储器(static RAM)，简称SRAM。在电子设备中，常见的存储器有SRAM(静态随机访问存储器)、FLASH(闪速存储器)、DRAM(动态存储器)等。其中不同的存储器有不同的特性，SRAM无需刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。与SDRAM相比，SRAM不需要时钟信号，即可保持数据不丢失。 1、VDMS16M32芯片介绍 VDSR16M32是一款工作电压3.3V，16Mbit，32位数据总线的立体封装SRAM模
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SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
- 本文提出了一种全新的数字化的双向微型无线内窥镜系统， 该系统具有可实时观察病人消化道图像、全消化道检查、提供三维深度图像数据等功能。
对消化道疾病的检查， 目前最常用和最直接有效的方法就是内窥镜检查， 它在消化道疾病的诊断中起着极为重要的作用。但现有的常用内窥镜系统都不得不带有引导插管， 给系统操作带来不便， 同时给检查病人也带来很大的痛苦， 而且检查的部位受到限制， 无法实现对小肠部分的检查。随着微电子技术的发展， 以色列人开发出了无线内窥镜系统[1]，其发展还在起步阶段， 存在一些局限性， 比如图像
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无线 CMOS
- 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，)推出新系列的互补金属氧化物半导体(CMOS) “电池电量监测器”集成电路(IC)，为智能手机、平板电脑及数码相机等多种便携电子产品中常用的单节锂离子(Li+)电池提供精确的剩余电量等级监测。新的LC709201F、LC709202F及LC709203F结合了高精度等级，以及业界最低能耗，优于执行此功能的竞争器件。这些器件还减少元件数量及降低系统成本，因为它们跟竞争器件不同，并不要求电流感测电阻来组成方案。 安森美半
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安森美 LC709201F CMOS 便携 电池监测
- 随着汽车部件电子化程度的不断提高,汽车工程师们正积极地寻求车辆系统中的先进控制和接口技术解决方案。目前,汽车系统中用来嵌入这些功能单元的空间和能源十分有限,汽车工程师们正借助于新颖的高压混合信号技术将复杂的——截至目前还不兼容的元件功能集成到一块芯片上。现在,应用与42V车载电压兼容的I3T高电压技术已经可以将复杂的数字电路(如传感器)、嵌入式微处理器以及功率电路(如激励源或开关驱动器)集成到一起。
LIN总线系统
由于其相对较低的造价,LIN总线正被广泛应用于汽车的分布式电气
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AMI CMOS
- 新一轮的集成电路扶持政策牵动了行业的神经，到底扶持的重点在那些方面，现在还处于议论阶段。我觉得要想扶持政策起到效果，还得往上游走，而且是细水长流型的，不要一股脑塞一次钱，以后的发展，纯靠运气，因为这样的例子太多了。
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集成电路 DRAM
- 高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用，标志着移动射频前端技术的一个重大进展，两款芯片借助简化的走线和行业尺寸最小的功率放大器和天线开关，相信会在集成电路上实现前所未有的功能。
集成天线开关的QFE2320多模多频功率放大器(MMMBPA)和集成收发器模式开关的QFE2340高频段MMMBPA，以及首款用于3G/4GLTE移动终端的包络追踪(ET)芯片QFE1100，都是Qualcomm®RF360?前端解决方案的关键组件，并支持OEM厂商打造用于全球LTE移动网络的单
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高通 CMOS
- 本文设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS 射频收发开关芯片。该电路采用深N阱体悬浮技术，在1.8V电压供电下，该射频开关收发两路在0.1-1.2GHz内的测试结果具有0.7dB的插入损耗、优于-20dB的回波损耗以及-37dB以下的隔离度。本开关采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工艺，芯片总面积为0.53mm2。
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射频开关 CMOS 开关芯片 201402
- 全球市场研究机构TrendForce 旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange 表示，在NAND Flash业者原先对于 2013年第四季终端装置出货过于乐观，导致产出成长高于后续实际需求而让市况呈现供过于求，以及SK海力士(Hynix)火灾影响 NAND 产能调配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供应商营收较第三季下滑4.5%，来到61亿6,800万美元。
2013年全年整体市况与供需产销较2012年改善不少，因此第四季营收较 2012年同期增加16%;DRAMeXch
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NAND DRAM
- 上一帖我们说到了IC的性能取决于R与C的乘积。看到留言后我发现还必须补充一个遗漏的事实：当器件的尺寸变得越来越小，连线在IC中越来越成为一个瓶颈。这是由于一个非常简单的原因：连线相对于器件的尺寸来说越来越长了。
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EDA CMOS CPU 反相器 PMOS
- 在过去20年间，日本在各类电子产品市场中的角色，相继由一国独大变成陪跑角色，例如动态存储器(DRAM)芯片由1987的76%骤降至2004年的3%，汽车导航系统由2003年的100%跌至2007年的20%，太阳能板由2004年的45%减至2007的21%。2005年生产的iPod有七成零件来自日本，但5年后面世的iPad，零件却只有两成是日制。 报道说，韩日同样在战后经历过政府推动经济增长阶段，但两者在应对上述问题时却出现不同结果。1997年亚洲金融风暴爆发后，韩国大力推动市场改革和信息科技普及，并鼓励通
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DRAM 导航 太阳能板
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