- 在国内也属于老字号的半导体厂力晶科技，与南亚科、华亚科一样拥有记忆体产能，也和台积电、联电争抢逻辑晶片晶圆代工订单，但创办人黄崇仁说，力晶不是DRAM厂，也不是Foundry，而是独步全球的“Open Foundry”。
记忆体厂力晶科技成立20年，创办人黄崇仁指出，力晶已有了长期稳定获利的成功方程式。图文/杨晓芳
在这个新的商业模式下，力晶将缔造出年连续3年、年获利突破百亿元的佳绩(2013～2015年)，这也是力晶成立20年来第一次出
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力晶 物联网 DRAM
- DRAM产业前景转佳，近期业界传出美光(Micron)要求台塑重谈对华亚科的计价合约，借此拿下更高获利分配权，但台塑认为既有合约尚未走完，遂予以拒绝，并将2015年焦点放在20纳米制程技术转移上，协助华亚科转进20纳米制程，全面迎接DDR4芯片世代。
自从美光成功整并台、美、日DRAM产业，与三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)成为全球三大记忆体厂后，美光一直与台塑针对合资公司华亚科的投资股权、产能分配及获利计价等进行调整。
2012年底台塑宣
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美光 DRAM 三星
- 2014年是 DRAM 产业获利颇为丰收的一年。受惠于全球智慧型手机持续热销，一线DRAM大厂纷纷转进行动式记忆体; TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 预估， 2014年行动式记忆体将占整体DRAM产出的36%，2015年更有机会突破40%大关。
DRAMeXchange 研究协理郭祚荣表示，拜行动式记忆体需求畅旺所赐，标准型记忆体产出相对减少，反倒让模组价格始终维持在高价水位，2014年4GB模组均价约32美元，标准型记忆体毛利率平均达40%以上。各DRAM
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DRAM 英特尔
- TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange预估，全球2015年DRAM产值将达541亿美元，年增16%，为市场稳定、获利成长的一年。DRAMeXchange指出，受惠于全球智慧型手机持续热销，一线DRAM大厂纷纷转进行动式记忆体，预估2014年行动式记忆体将占整体DRAM产出的36%，2015年更有机会突破40%大关。
DRAMeXchange研究协理郭祚荣表示，拜行动式记忆体需求畅旺所赐，标准型记忆体产出相对减少，反倒让模组价格始终维持在高价水位，2014年4GB模组均价
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TrendForce DRAM 三星
- 微机电系统(MEMS)代工产业将迈向新的成长高峰。瞄准物联网(IoT)和汽车应用对MEMS元件庞大需求，欧美及台湾MEMS晶圆代工厂已竞相加码布局动作感测器、压力计、麦克风、谐振器(Resonator)和微投影晶片等关键制程技术，并陆续通过客户认证进入量产，可望为营收挹注强劲成长动能。
亚太优势微系统公司总经理蔡裕贤提到，为微缩晶片体积，光通讯元件商亦开始评估导入MEMS制程。
亚太优势微系统公司总经理蔡裕贤表示，物联网、汽车、行动装置、医疗和光通讯设备对系统占位空间、功耗要求日益严格，刺
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MEMS 物联网 CMOS
- 电子工程师在电路设计过程中，经常会碰到处理器MCU的I/O电平与模块的I/O电平不相同的问题，为了保证两者的正常通信，需要进行电平转换。以下，我们将针对电平转换电路做出详细的分析。
对于多数MCU，其引脚基本上是CMOS结构，因此输入电压范围是：高电平不低于0.7VCC，低电平不高于0.3VCC。
但在介绍电平转换电路之前，我们需要先来了解以下几点：
⒈ 解决电平转换问题，最根本的就是要解决电平的兼容问题，而电平兼容原则有两条：①VOH>VIH②VOL
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ARM CMOS MCU
- 0 引言
发动机温度场的测试是指对壁面温度与高温燃气涡轮发动机燃烧室的热端部件的测量。发动机热端部件的使用寿命的长短与热端部件温度场的分布是否均匀有密切关系，因此必须对发动机温度场进行准确地测试。
1 研究现状
目前，国内发动机生产和修理企业测试发动机某些零部件的温度场主要有直接接触法和人工判读法。直接接触法是用热电偶来直接测试发动机的零部件温度，如图1(a)所示。但用该方法测量误差大，且只能对某些点的温度进行测量，不能实现对整个温度场的测量。人工判读法是指发动机生产和修理企业利用示
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CCD CMOS PCI
- 相对于智慧手机事业的“缩小规模”策略，Sony对CMOS感测器及游戏机事业则显得野心勃勃。
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Sony CMOS PS4
- 南韩半导体后段制程设备厂下半年营收展望亮起绿灯，韩系半导体大厂三星电子(SamsungElectronics)和SK海力士(SKHynix)将扩产DRAM，增加后段制程处理量，台湾及大陆将扩充晶圆代工设备并增加非内存产量等，将为南韩半导体后段制程设备厂带来正面影响。
据ETNews报导，TechWing和HanmiSemiconductor第3季营收将出现二位数以上的成长，UniTest与2013年同期相比也可望创造亮眼的成果。
2014年三星和SK海力士扩产DRAM和NANDFlash，
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半导体 三星 DRAM
- EVG集团，微机电系统(MEMS)、纳米技术和半导体市场上领先的晶圆键合和光刻设备供应商，今天宣布推出EVG®580 ComBond® - 一款高真空应用的晶圆键合系统，使得室温下的导电和无氧化共价键合成为可能。这一全新的系统以模块化平台为基础，可以支持大批量制造(HVM)的要求，非常适合不同衬底材料的键合工艺，从而使得高性能器件和新应用的出现成为可能，包括：
· 多结太阳能电池
· 硅光子学
· 高真空MEMS封装
&
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EVG MEMS CMOS
- 入口门禁系统顾名思义就是对出入口通道进行管制的系统，它是在传统的门锁基础上发展而来的。传统的机械门锁仅仅是单纯的机械装置，无论结构设计多么合理，材料多么坚固，人们总能用通过各种手段把它打开。在出入人很多的通道(象办公室，酒店客房)钥匙的管理很麻烦，钥匙丢失或人员更换都要把锁和钥匙一起更换。为了解决这些问题，就出现了电子磁卡锁，电子密码锁，这两种锁的出现从一定程度上提高了人们对出入口通道的管理程度，使通道管理进入了电子时代，但随着这两种电子锁的不断应用，它们本身的缺陷就逐渐暴露，磁卡锁的问题是信息容易复
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智能门禁 CMOS
- 三星争夺苹果新世代处理器订单失利，半导体设备厂分析，将迫使三星将多余产能转向DRAM或快闪存储器，恐对明年下半年存储器产业形成新的隐忧。
三星日前一再表示，未来会节制性推升产能，但市场持续关注三星是否会重新拿回大部分苹果新世代处理器订单，因为若三星与苹果重修旧好，将可抵销手机销售的不利，同时减缓将产能转为生产DRAM或快闪存储器的压力。
法人分析，三星因苹果处理器代工订单流失，加上自家手机销售不佳，导致获利主轴重回存储器，今年首季存储器占总获利仅14%，但第3季占比已窜升至近六成，其中，1
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三星 苹果 DRAM
- TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新调查显示，全球行动式记忆体总营收在 2014年第三季达34.6亿美元，季成长6%，占DRAM总产值29%。三星半导体(Samsung)不意外仍稳居第三季行动式记忆体龙头，而且市占首度突破50%，俨然成为一方霸主，让位居二、三名的SK海力士(Hynix)与美光(Micron)的市占率差距再度拉大。
虽全球DRAM产能依旧处于微幅吃紧状态，导致第三季行动式记忆体价格小幅度下滑，但因位元产出增加，全球行动式记忆体总产值仍向上提升
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DRAM 三星 SK海力士
- 射频功率放大器要输出一定的功率给负载，利用负载牵引技术可以弹性地找到所需功率的负载点。这里描述了基于负载牵引技术的5.2-GHz WLAN 的功率放大器的设计方法， 采用CMOS 工艺设计了放大电路，接着对该放大电路进行负载牵引，在此基础上设计输进输出匹配网络，最后使用ADS软件进行整体仿真，得到了满足系统指标要求的功率放大器。
功率放大器处于通讯系统中信号发射机的最末端，用来放大信号，与小信号放大器不同， 它要输出一定的功率给负载。效率是功率放大器的一个基本指标，就非恒包络调制方式而言， 包络
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功率放大器 CMOS
- 三星电子(Samsung Electronics)过去最大获利来源─半导体事业，自2011年第3季起被其另一获利支柱─IM(Information technology & Mobile communications)事业部取代，至3年后的2014年第3季，方因IM事业获利急转直下，供需结构已趋于稳定的半导体事业再度成为三星最大获利来源。
因包括标准型(Standard)、行动装置、伺服器用DRAM位元需求量皆较前季增温，三星2014年第3季DRAM营收较前季成长18.7%，达5.32兆
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存储器 三星 DRAM
cmos.dram介绍
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