据国外媒体报道，一部分DRAM内存制造商在上周削减产量，希望减少供货能刺激内存价格复苏，但分析师指出，降价行动太少，时间也太晚了。
随着上周DRAM价格跳水至新低，日本的Elpida公司和中国台湾的Powerchip半导体公司在上周都削减了产量。然而，虽然减产放缓了DRAM价格下跌的速度，但它们无法阻止市场整体下滑。
分析师指出，由于内存芯片供过于求，DRAM制造商整个一年都免不了麻烦。由于预期随新电脑销售和微软Vista操作系统推出后DRAM需求会增加，去年它们建设了太多的新工厂，然而事
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内存 DRAM Elpida Powerchip
世界经济萧条和半导体价格下跌让全球半导体市场阴云密布。世界半导体企业自去年起在亏损状态下进行了一轮意在“置对手于死地”的攻击性投资。有分析认为，世界排名第5的德国DRAM厂商奇梦达等部分企业最近面临严重危机，随着产业结构进入重新洗牌阶段，半导体价格已跌至谷底。
半导体产业的危机已达到顶点
最近，半导体行业面临着前所未有的危机。尤其是在DRAM行业，今年除三星电子之外，其他企业都在亏损。NAND闪謺行业的情况也是一样。除三星电子之外，生产NAND闪存（主要用于
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半导体 NAND DRAM 奇梦达 三星电子
1 引言
目前，各种图像设备已广泛应用到航空航天、军事、医疗等领域。图像信号源作为地面图像采集装置测试系统中的一部分，其传输方式及信号精度都是影响系统性能的重要因素。由于图像信号的传输速率高，数据量大，在传输过程中，其精度和传输距离易受影响。为了提高信号传输距离和精度设计了由FPGA内部发出图像数据，并通过FPGA进行整体时序控制；输出接口信号转换成符合Camera Link标准的低电压差分信号(LVDS)进行传输。该图像信号源已成功应用于某弹载记录器的地面测试台系统中。
2 Camera
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FPGA Camera Link 标准 CMOS
模拟与混合信号IC厂商Silicon Laboratories （芯科实验室有限公司）发表具有业界最高稳定性的全CMOS振荡器，以此进入消费性定时市场，新产品不仅交货时间较短、成本较低、可靠度较高且性能更佳，成为一种取代石英振荡器（XO）的理想方案。在所有针对大量消费性应用的振荡器中，新推出的Si500系列拥有最宽的频率范围、最广泛的差分和单端时钟选择、极低的总功耗，并提供最低的抖动。此种结合为数码相机、摄像机、打印机、个人计算机外设、液晶显示、服务器和存储装置等应用的设计者提供前所未有的弹性。
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振荡器 石英 CMOS 芯科
特瑞仕半导体株式会社开发了XCM406系列双通道输出大电流高速LDO电压调整器。
XCM406系列实现了高精度、低噪音、低压差，采用CMOS工艺的大电流双通道输出LDO电压调整器芯片。
工作电压范围为1.5V～6.0V。由于内置低导通电阻晶体管，可以把输入输出的电位差抑制在最小范围。本芯片可由低电压驱动，例如可用于输入电压为1.5V、输出电压为1.2V的POL电源。可由各个端子提供700mA的输出电流。
采用特瑞仕独自的USP-12B01封装，最适于节省电路设计的
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特瑞仕 半导体 CMOS 电压调整器
数字电位器在可接受8位分辨率的应用中，可作为极佳的数控分压器，例如AnalogDevices的AD5160。本篇设计实例介绍在需要更高分辨率的应用中如何使用CMOS DAC作为分压器。
数百万种CMOSR2R（电阻/双电阻）梯式数模转换器（DAC）用于衰减器应用中，在这些应用中一个充当电流电压转换器的外部运算放大器强制一个电流输出端连接到虚地。只要运算放大器能够生成预期输出电压，DAC的标准输入是交流或直流均可。倒相是输入和输出之间的常态，因此电路需要双电源。
图1显示如何对这一简单电
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CMOS DAC 电位器 分压器
即将投入建设的苏州12英寸半导体项目十足吊够了人们的胃口。
先是业界的传言不断以及各方矢口否认，接着是更大范围的传闻与否认；一直到8月中旬，日本半导体制造大厂尔必达的一则新闻稿终于为这起投资案做出定论——项目总耗资达50亿美元，由尔必达、苏州创业集团以及另一方合作伙伴成立合资企业进行运营。
让人意想不到的是，即便在尔必达公开发布了合资消息，有关方面对于项目合作的诸多事宜仍然讳莫如深。围绕项目的建立，三大疑问仍然待解：苏州芯片项目“另一方合作伙伴&rdqu
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世界经济萧条和半导体价格下跌让全球半导体市场阴云密布。世界半导体企业自去年起在亏损状态下进行了一轮意在“置对手于死地”的攻击性投资。有分析认为，世界排名第5的德国DRAM厂商奇梦达等部分企业最近面临严重危机，随着产业结构进入重新洗牌阶段，半导体价格已跌至谷底。
半导体产业的危机已达到顶点
最近，半导体行业面临着前所未有的危机。尤其
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半导体 NAND DRAM 奇梦达
据道琼斯通讯社报道，南通富士通微电子股份有限公司（Nantong Fujitsu Microelectronics Co.， 简称：富通微电）和南亚科技（Nanya Technology Corp.， ）周二表示，双方签署了一份专利许可协议，以解决双方围绕动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory， DRAM芯片）的专利纠纷。
两公司发表联合公告表示，根据协议，南通富士通微电子股份有限公司母公司富士通（Fujitsu Ltd.， ）将撤回要求法院禁止南亚科技DRAM
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富士通 南亚科技 存储器 DRAM 专利
一种实现高分辨率数模转换的廉价方法是把微控制器PWM输出与精确模拟电压参考、CMOS开关、模拟滤波结合起来（参考文献1）。然而，PWM-DAC设计带来了一个很大的问题：如何充分抑制开关的输出中不可避免的较大AC纹波分量？当人们为DAC控制使用典型的16比特微控制器PWM外设时，纹波问题变得特别严重。这类高分辨率PWM功能通常具有很长的周期，这是因为16比特计时器和比较器较大的216倒计数模。这个情况导致AC频率分量仅为100Hz或200Hz，速率低。对于这类低纹波频率，如果人们采用普通的模拟低通滤波把
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滤波器 PWM 微控制器 CMOS
据国外媒体报道，日前，贝尔实验室正式宣布未来其将退出芯片研究业务。
目前作为阿尔卡特-朗讯的一部分，贝尔实验室曾经培养出了六名诺贝尔物理学奖得主。但在过去的六年时间里，自贝尔实验室剥离其半导体业务后，其材料科学和设备物理研究分部的力量正逐年减少，所剩下来的仅仅是一小部分从事量子计算、高速电子和纳米技术研究的团队。
阿尔卡特-朗讯贝尔实验室研究部负责人Gee Rittenhouse表示，“贝尔实验室未来将退出芯片研究业务的报道属实，由于我们没有了半导体业务，所以我们决定淡出材料科
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贝尔实验室 半导体 移动通信 CMOS
奇梦达公司与专精于高速内存架构的全球领先的技术授权公司Rambus共同宣布奇梦达已开始为PLAYSTATION 3（PS3）计算机娱乐系统量产出货XDR DRAM.
奇梦达的第一批512 Mb XDR DRAM样本已于2008年1月开始出货。 XDR内存解决方案拓展了奇梦达的利基型内存（specialty RAM portfolio）产品布局，能满足全球快速成长的计算机和消费电子产品市场对高效能及高频宽的应用需求。
XDR内存架构能支持高容量且具有成本竞争力的应用。奇梦达XDR DRAM
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奇梦达 DRAM Rambus 内存
引言
TI 推出的THS1041是一款10位、40-MSPS、CMOS高速模数转换器(ADC)。该转换器具有诸多优异的特性，其中包括：单节3-V电源、低功耗、灵活的输入结构、内置可编程增益放大器(PGA)以及内置钳位功能。由于上述这些特性（特别是内置的钳位功能），多年来THS1041已在各种应用中得到广泛使用。钳位功能可以使该器件能够生成并输出一个针对灵活ADC应用的缓冲DC电压，例如，为ADC提供一个共模电压或允许ADC模拟输入端AC耦合视频信号上的DC恢复，这一功能可被启用或禁用。如图1所示
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台湾力晶半导体表示，由于晶片价格下跌，公司很可能推迟两家新12英寸晶片厂的设备安装。
综合外电8月27日报道，力晶半导体股份有限公司（5346.OT）发言人谭仲民27日表示，由于晶片价格下跌，公司很可能推迟两家新12英寸晶片厂的设备安装。以收入计，力晶半导体是台湾最大的动态随机存储器（DRAM）晶片生产商。
力晶半导体原计划于2009年第三季度台湾北部新竹的两家工厂建设完工后开始安装新设备。
谭仲民称，由于市场状况较差，目前看来公司可能会在2009年第四季度或2010年年初开始安装设
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力晶 半导体 晶片 12英寸 DRAM
当地时间本周五，路透社披露消息称，日本计划削减韩国储存芯片厂商现代半导体在日本销售DRAM芯片征收反补贴关税。
媒体援引日本经济、贸易和工业部提供的消息报道说，日本收取的进口反补贴关税将从最初的27.2%削减为9.1%。
数年来，美国、欧盟和日本以储存芯片竞争者提出抱怨为理由，对现代半导体和它的DRAM芯片征收了不同比例的关税。抱怨者声称韩国政府向现代半导体提供了不公平的补贴，制约了市场的公平竞争。
今年三月，欧盟委员会正式采纳了一项决定，取消进口现代半导体DRAM储存芯片的反补贴关
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