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cmos.dram 文章进入cmos.dram技术社区

采用0.13微米CMOS工艺制造的单芯片UMTS W-CDMA多频段收发器(06-100)

　　前言　　随着通用移动通信系统(UMTS)网络在日本和欧洲实现商用，市场对多频段宽带码分多址(W-CDMA)收发器芯片的要求更加苛刻——除了缩小芯片面积和主板占用空间、减少组件数量、降低材料成本外，还要求芯片具备足够的灵活性，不仅要支持工作频段I，还要支持其他多个频段。考虑到UMTS的全双工性质，再加上支持所有频段要求在面积更小的芯片上集成多个发射和接收通道，如何最大限度降低这些通道之间的串扰，就成为一个非常具有挑战性的任务。第一颗采用0.13微米CMOS工艺制造的单芯片直接
关键字： Infineon CMOS UMTS W-CDMA

小型无线视频传感器设计(06-100)

　　前言　　单片无线电技术的飞速发展，小型CMOS图像传感器和数字摄像技术的改进，造就了新一代无线图像传感器，即一种小型化(体积不足一立方寸)、自主的、高集成的成像器一种能高效，经济地感知环境，无线遥测图像的传感器。本文介绍的分布无线传感器网络用的成像器，可广泛地应用于视频监控，医学与化学分析，货物跟踪以及仓库控制等领域。　　图像传感器　　市场上已有多种CCD与CMOS成像器和集成小型摄像机。虽然CCD有较高的信噪比，良好的图像质量，但CMOS有可能SoC集成，工作电流小，是一
关键字：传感器 CMOS 无线

恒忆™（NUMONYX）强势进军存储器市场

　　2008年4月1日，中国 – 恒忆™（Numonyx B.V）公司今天作为一家全新的半导体公司正式问世。公司主要业务是整合NOR、NAND及内置RAM的存储器，并利用新型相变移位存储器（PCM）技术，为存储器市场开发、提供创新的存储器解决方案。新公司凭借其雄厚实力和技术专长，在成立之初就成为存储器市场的领先厂商，专注于存储器开发制造业务，为手机、MP3播放器、数码相机、超便携笔记本电脑、高科技设备等各种消费电子产品制造商提供全方位的服务。恒忆™将从非易失性存储器
关键字： RAM NOR NAND DRAM MP3

低功耗、高线性CMOS可编程放大器

摘要：针对接收机前端中可变增益放大器需要高线性处理大信号的问题。分析了使用源极退化电阻以及跨导增强电路的放大器线性度；设计了使用改进型跨导增强电路的放大器。它具有更强的跨导增强能力，同时减小了输入MOS管跨导由于漏源电压变化产生的非线性失真。提出了一种对称的可变电阻结构，它降低了MOS管开关带来的非线性。仿真结果表明，放大器在3．3V电源电压下直流功耗为1．5mW。在1～lOMHz带宽、3～24dB增益范围内，差分输出信号峰峰值为3．3V时，总谐波失真低于-60dB。关键词：可变增益放大
关键字： CMOS 可编程放大器

FPGA到高速DRAM的接口设计(04-100)

　　FPGA做为系统的核心元件正在更多的用于网络、通信、存储和高性能计算应用中，在这些应用中都需要复杂的数据处理。　　所以，现在FPGA支持高速、外部存储器接口是必须遵循的。现在的FPGA具有直接接口各种高速存储器件的专门特性。本文集中描述高速DRAM到FPGA的接口设计。　　设计高速外部存储器接口不是一件简单的任务。例如，同步DRAM已发展成高性能、高密度存储器并正在用于主机中。最新的DRAM存储器—DDR SDRAM，DDR2和RLDRAM II支持频率范围达到133MHz(260
关键字： Altera FPGA DRAM

CMOS功率放大器技术优化单芯片手机方案设计

最近出现了一种有可能利用CMOS工艺制造PA的新技术，这样，PA就可以被放在一个简单塑料封装内。
关键字：手机方案设计单芯片优化功率放大器技术 CMOS

CMOS两级运算放大器调零电路性能分析

　　引言　　运算放大器的高速性能主要靠两个重要的参数来衡量，即大信号响应时间和小信号响应时间。大信号响应时间由摆率决定，小信号响应则由建立时间或单位增益带宽来决定。提高运放速度的方法有多种多样[1][2][3]，折叠式运算放大器有功耗较大，折叠点处寄生电容高等缺点[1]；采用套筒式运放结构，如果采用二阶结构，则会造成较大的功耗，采用一阶结构则会限制差分输出摆幅[2]；反馈结构放大器也存在问题，一是匹配问题不易实现，二是电路的输出跨导受输出信号的影响较大[3]。　　本文介绍的典型基本二级运算放大器具
关键字： CMOS 运算放大器

Gartner下调全球半导体市场增长率至3.4%

　　据报道，在芯片需求走软价格下跌的情况下，市场调研机构Gartner下修全球IC产业营收增长率至先前预测值的二分之一。　　去年12月，Gartner曾預估全球2008年IC市场将有6.2%的增长;但是在最新的预估中，修正至3.4%。　　根据Gartner分析，2009-2012年IC市场增长幅度分别为9.4%、6.5%、0.7%、5.3%。　　然而，什么原因使2008年的预估表现下降?Gartner表示，市场中有许多不乐观的迹象，首当其冲的就是美国经济的疲软甚至衰退。　
关键字： DRAM

基于SRAM和DRAM结构的大容量FIFO的设计

分别基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E，介绍了采用两种不同的RAM结构，通过CPLD来设计并实现大容量FIFO的方法。
关键字： SRAM DRAM FIFO 大容量

基于LVDS的SerDes芯片简化汽车应用中的视频互联

　　近年来，随着CMOS成像传感器和Flash存储器等产品价格的日益下降，对于成像和视频技术感兴趣的消费者数量在不断增加。在不久的将来，视频将在汽车环境中的安全性应用方面创造价值，目的在于使我们行驶的路面和驾驶的汽车都更加安全。　　豪华汽车中已经出现防撞系统，可以借助环绕在汽车周围的多角摄像机，监视预定范围内各种物体对车体的靠近情况。在恶劣的环境中，将这些远程摄像机与用于实时分析每个图片的集中视频处理器相连接，会产生非常实际的问题，尤其是在各个摄像机可能生成16位或更高的视频信息以及多个控制信号的情况
关键字： CMOS

SRC基于CMOS工艺的汽车雷达硅芯片取得新进展

据报道，佛罗里达州大学以及半导体研究公司(SRC)在开发基于CMOS工艺技术的汽车雷达集成电路上以及取得进展。现有的雷达芯片由昂贵的材料制成，如砷化镓(GaAs)以及磷化铟(InP)。据研究人员透露，用于制造汽车雷达的电子电路价值几百美元。新型的基于硅片的雷达芯片可能只要10美元就能制造出来，据佛罗里达大学以及SR
关键字： CMOS 汽车雷达芯片

意法半导体通过CMP为科研机构和设计公司提供45纳米互补金属氧化物半导体制造工艺

　　意法半导体和CMP (Circuits Multi Projects ®) 宣布，通过CMP提供的硅中介服务，大学、科研院所和公司可以使用意法半导体的45纳米互补金属氧化物半导体(CMOS)制造工艺进行原型设计。这项消息在巴黎举行的CMP用户年会上发布，会中集结了采用CMP多项目晶片服务的大学院校、科研机构或私营企业的代表。通过CMP的服务，他们可以委托芯片厂商小批量制造几十个到几千个的先进集成电路。　　45纳米CMOS工艺的推出，是延续ST与CMP授权大学使用上一代65纳米和90纳米CM
关键字：意法半导体 CMP CMOS 200802

芯片价格下滑现代半导体Q4亏损5亿美元

　　据国外媒体报道，全球第二大储存芯片制造商韩国现代半导体周五公布去年四季度财务报告称，由于芯片价格下降，公司在超过四年的时间里首次出现亏损。　　现代半导体表示，在12月31日结束的第四季度，公司亏损了4650亿韩元(约合4.928亿美元)，这是自2003年第二季度以来现代半导体首次出现的亏损。而2006年同期公司盈利1万亿韩元。　　由于使用在计算机上的DRAM储存芯片和使用在数码相机上的NAND闪存芯片价格下滑，四季度现代半导体的销售收入从2006年同期的2.61万亿韩元下降了29%为1.85万
关键字：储存芯片 DRAM

3G大门开启 IC厂商研发提速

　　编者按：2008年3G的覆盖和推广将上一层楼。在中国市场，中国移动采购了首批3G终端，这预示着中国将开启3G的大门。产业链上游相关IC公司也开始加紧布局，在3G手机基带、射频和电源管理领域不断推陈出新，来适合中国的市场应用。　　鼎芯通讯(上海)有限公司总裁兼CEO陈凯　　增强CMOS和SoC技术竞争力　　在3G研发方面，鼎芯去年的主要工作集中在两个方面：一个是全面推动原有射频-模拟基带芯片组CL4020/CL4520的产业化，包括严格的工业指标和客户验证;另外一个是进一步的演进，后续的产品
关键字： 3G IC CMOS

奇梦达;消费电子将取代PC成内存主要推动

　　内存厂商奇梦达(Qimonda)上一季度的销售额出现了大幅下滑。在该公司的年度股东会议上，奇梦达的首席执行官罗建华对未来发表了谨慎乐观的预测，并称消费电子将取代PC市场成为行业的主要推动力。　　在向股东的发言中，罗建华表示，在过去一年中主流内存芯片(DRAM)产品的平均售价下跌将近80%，这是奇梦达销售大幅减少的最主要原因。单在12月份的这个季度里，价格就下跌超过四成。“这是内存芯片行业历史上最严重的一次价格滑坡，”罗建华说。　　根据罗建华的分析，价格急剧下降的原因是供
关键字：内存奇梦达 DRAM

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