路透社：亚洲内存制造商：DRAM芯片价格已到谷底，7月开始回调
亚洲芯片制造商上周末召开了会议，研究结果表明内存DRAM芯片价格已经达到了波谷，未来将有所上浮。
据路透社报道，在上周四的全球市场上，DRAM内存平均售价再次下滑了五个百分点，而该数字在周五也处于下滑态势。电脑内存制造商三星电子和现代半导体甚至表示，内存产品的售价迅速下调，有可能影响到公司4到6月季度盈利情况。实际上，自从今年开始，某些内存产品的售价足足下滑了70％。
“如今的价格已经几乎达到了最低点，我们都在等待重新的
关键字：
DRAM 存储器
市场调研机构 iSuppli总裁兼首席执行官Derek Lidow称，未来三年内，韩国的DRAM 储存芯片制造商长期以来在全球的领先地位存在着威胁，可能将被其他外国的竞争对手夺取。 在韩国举行的数字论坛上Lidow表示，目前在全球DRAM储存芯片市场，韩国的制造商仍然保持了领先的位置，去年三星电子和现代半导体的销售收入在全球市场占到45%。相比之下中国和中国台湾的公司拥有的份额为17%。 Lidow预期今年全球DRAM储存芯片的发货量将发生变化，韩国厂
关键字：
DRAM 储存市场 消费电子 存储器 消费电子
近年来，电子产品不断向小型化和便携式方向发展，需要低电压、低功耗的集成电路，以延长电池的使用寿命。CMOS技术可以将包括数字电路和模拟电路的整个系统同时封装和制造在一个芯片上。因此，低电压、低功耗的要求，不仅是对数字集成电路，也同样针对于模拟集成电路。由于数字集成电路工作在开关状态，通过合理减小电路尺寸，不难满足其要求。但是，对于模拟集成电路，由于场效应管的阈值电压(Vth)不随电源电压的降低而成比例地下降，如果采用低电压供电，将使输出范围大大减小，输出电流的信噪比(S/N)减小，共模抑制比(CMRR)降
关键字：
CMOS 低电压 电源技术 模拟技术 运算放大器 模拟IC 电源
5月29日消息，美国研究机构iSuppli表示，到2008年3月以前，全球DRAM销售将减缓，出货增长将压低价格。
iSuppli今天在韩国首尔的科技会议上发表声明指出，全球DRAM到明年3月以前将持续减缓。
iSuppli指出，2010年全球DRAM销售将由去年的339亿美元增至457亿美元。
关键字：
DRAM iSuppli 存储器
近来对于所有DRAM厂来说都面临惨不忍睹的情况，原因在于DRAM售价重挫，几乎已到了宁可关厂不做生意的阶段。DRAM厂已展开一波自救计划，部分DRAM厂已正式启动产能调配计划，希望通过这样动作来减少亏损，也因为DRAM厂已开始减产，DRAM厂认为第三季度应该可以见到减产后对于整体DRAM供需平稳成效。 过去几个月以来全球DRAM售价不断出现暴跌，虽说目前价格略微回稳，不过整体来说DRAM厂还是面临到严重亏损压力，DRAM厂坦承这样的售价几乎已是跌到DRAM厂采用12英寸厂90纳米工艺技术时所需的变动成本，
关键字：
DRAM 成本 消费电子 存储器 消费电子
据业界消息称，由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、尔必达(ELPIDA MEMORY) 和海力士半导体（Hynix Semiconductor Inc.)等三家内存厂商提高了DRAM的产量，因此DRAM内存价格近期出现大幅下跌。
据悉，这三家厂商纷纷调整调整产能，将之前生产其它类型产品的生产线全部转而生产DRAM内存。据预测，07年第二季度受上述三家厂商产能调节影响，全球DRAM内存产量将增长20-30%。
美光科技由于预测07年受手机市场带动，CIS（C
关键字：
DRAM 扩产 存储器
5月16日，据香港媒体报道，海力士半导体高层主管今日表示，公司正处于电脑芯片不景气的低潮期，但是有望在7月或者8月开始得到好转。
海力士策略规划资深副总裁O.C. Kwon对媒体表示，目前，移动存储设备的价格尚没有止跌，但是希望下半年通过供需的改善，需求应该会快速成长。
2006年，由于电脑存储芯片需求超过预期，导致制造商将更多的产能投入其中，最后导致供过于求。除了供需失衡影响外，微软的Vista系统的相关新需求也令这些厂商们失望。
关键字：
DRAM 海力士半导体 存储器
在DC-DC电源管理芯片中，电压的稳定尤为重要，因此需要在芯片内部集成欠压锁定电路来提高电源的可靠性和安全性。对于其它的集成电路，为提高电路的可靠性和稳定性，欠压锁定电路同样十分重要。
传统的欠压锁定电路要求简单、实用，但忽略了欠压锁定电路的功耗，使系统在正常工作时，仍然有较大的静态功耗，这样就降低了电源的效率，并且无效的功耗增加了芯片散热系统的负担，影响系统的稳定性。
基于传统的欠压锁定电路，本文提出一种CMOS工艺下的低压低静态功耗欠压锁定电路，并通过HSPICE仿真。此电
关键字：
CMOS 电源技术 模拟技术 锁定电路
目前，传统的电荷耦合设备（CCD）图像传感器技术已不能满足工业及专业图像抓取（image capture）应用的需要。基于标准CMOS技术的新型图像传感器技术以其高度灵活性、出色的静态和动态特性以及在各种系统环境下表现出的易集成性在医用电子产品行业中开创出了一个全新领域，为用户提供了更多选择。 从CCD到CMOS：大势所趋 在过去三十年左右的时间里，CCD技术一直被用于图像转换。CCD是一种成熟的技术，能够在低噪声的前提下提供优质图像，作为电荷耦合器件在像素间完成图像数据的串行传输。为
关键字：
CMOS 单片机 嵌入式系统 图形传感器 医疗 医疗电子
过去，由于缺乏低成本系统部件，或因全息多路技术过于复杂以及找不到合适的记录材料，使全息数据存储产品的开发受到限制。现在，已经进入消费类屏幕市场的数字微镜设备以及用于高速机器视觉应用、基于CMOS的有源像素探测器阵列将使这种状况得以改观。举例来说，由于微镜设备可被有效地用作空间光调制器（spatial light modulator），因此高速CMOS成像器可用来读取全息媒体中包含的数字数据。 在传统光学存储设备中，数
关键字：
CMOS 成像器 单片机 嵌入式系统 数据检索
摘要: 本文以使用标准CMOS技术和有源像素架构的CMOS有源像素传感器为研究对象。该传感器专为X射线成像系统而设计，具有噪声低和感光度高等特点。这种传感器已使用标准0.35μm技术和8″晶圆得到生产。传感器分辨率为每40 x 40μm2 面积3360 x 3348像素。其对角长度略大于190mm。本文对传感器的图纸设计、拼接图和已得到开发的电子光学性能进行了论述。 &nbs
关键字：
CMOS X射线 电源技术 晶圆级 模拟技术 图像传感器 有源像素 其他IC 制程 设备诊断类
据Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合约价格下跌到了20美元左右，这也影响到了现货市场的价格走势。面向2007年下半年PC销售旺季，PC厂商将增加库存，预计DRAM需求将随之增长。因此，DRAM价格可能在2007年下半年触底。价格持续下滑，已使DRAM厂商濒临亏损。向更先进的生产工艺转移，以及提高1GB芯片的出货量，将是决定2007年下半年DRAM厂商业绩的两大因素。由于需求仍然疲软，现货市场的价格环境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
关键字：
DRAM NAND 内置产品 消费电子 存储器 消费电子
冲电气(OKI)推出内建运算放大器的紫外线(UV)传感器IC——ML8511。该产品运用绝缘上覆硅(SOI)-CMOS，为该公司首款模拟电压输出、无滤光器的UV传感器。OKI将从6月份开始陆续针对可携式等用途产品，提供新款UV传感器样品。 OKI的UV传感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技术，适合于数字及模拟电路。OKI表示，该公司未来将灵活运用这一特长，加强与连接微处理器的数字输出电路，进而与感测式亮度控制传感器(AmbientLightSensor)构成单一芯片的商品阵容；未来
关键字：
OKI SI-CMOS 传感器 电源技术 模拟技术 IC 制造制程
全球DRAM产业版图在奇梦达(Qimonda)正式对外宣布，将在未来5年出资20亿欧元，在亚洲地区自行兴建第1座12吋厂，自此可说全球DRAM大厂从东北亚到东南亚均已到场卡位，其中，北有尔必达(Elpida)、三星电子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)，中有台湾DRAM四宝及大陆中芯，南则有美光(Micron)、奇梦达，全球各大DRAM厂几乎都在亚洲建先进厂。 奇梦达26日表示，未来5年内将在新加坡花费高达20亿欧元兴建12吋厂，奇梦达全球总裁暨执行长罗建
关键字：
12吋 DRAM 消费电子 亚洲 战略重地 存储器 消费电子
4月28日消息，据国外媒体报道，权威调研机构Gartner日前指出，三星在全球DRAM市场的份额已降至7年来的最低点，可能被竞争对手Hynix超越。 据Gartner的初步报告显示，今年第一季度，三星全球DRAM市场份额已降至25.5%，比第二名的Hynix仅高出2.7个百分点。这是自2000年以来，三星在DRAM市场表现最糟糕的一次。 在过去的五年中，三星的DRAM市场份额平均比第二名高出17%。相比之下，竞争对手Hynix的市场份额达到了22.8%。销售额达到了21.82亿美元，同比增长6
关键字：
DRAM Hynix 三星 消费电子 存储器 消费电子
cmos.dram介绍
您好，目前还没有人创建词条cmos.dram!
欢迎您创建该词条，阐述对cmos.dram的理解，并与今后在此搜索cmos.dram的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473