开关在电路中起接通信号或断开信号的作用。最常见的可控开关是继电器,当给驱动继电器的驱动电路加高电平或低电平时,继电器就吸合或释放,其触点接通或断开电路。CMOS模拟开关是一种可控开关,它不象继电器那样可以用在大电流、高电压场合,只适于处理幅度不超过其工作电压、电流较小的模拟或数字信号。
一、常用CMOS模拟开关引脚功能和工作原理
1.四双向模拟开关CD4066
CD4066的引脚功能如图1所示。每个封装内部有4个独立的模拟开关,每个模拟开关有输入、输出、控制三个端子,其中输入端和输出端可互换。当控
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4月19日消息，据国外媒体报道，英特尔日前表示，其所开发的相变随机存取存储器（PRAM）有潜力取代当前的DRAM（动态随机存取存储器）。
在日前于北京召开的“英特尔信息技术峰会（IDF）”上，英特尔首席技术官Justin Rattner展示了新型PRAM内存，并表示，PRAM有潜力取代当前的DRAM。
Rattner还称，英特尔开发PRAM已经有十年的历史了。据悉，PRAM是一种非易失性的内存产品，它集DRAM内存的高速存取，以及闪存在关闭电源后保留数据的特性为一体，因此被业界视为未来D
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ROHM株式会社针对力求省电的笔记本电脑、数码相机、游戏机等便携数码产品，推出高可靠性CMOS运算放大器、比较器。共发布24种1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS运算放大器、比较器。首先是从需求量大的1ch产品的样品出货、量产开始。3月份开始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」运算放大器样品，并将于2007年6月开始量产。 而CMOS比较器则从2007年4月开始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」，与低功耗型「BU7231G
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据台湾集邦科技公司（DRAMeXchange Technology Inc.）周二公布的数据，4月上旬DRAM内存价格继续下滑，而且已经降到了多数制造商的生产成本以下。 据IDG新闻社报道，运营着一个在线DRAM市场的集邦科技称，最常用的DRAM内存，即512Mb 667MHz DDR2的合约价格4月又下降了16.7％，每芯片价格已经降至2.50美元。 大约有四分之三的DRAM芯片均通过DRAM制造商和主要的PC制造商（如戴尔和惠普）之间签署的合约进行买卖。最新的报价来自4月上旬的合约价格，它们显示出DR
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4月11日消息，据台湾集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的数据，4月上旬DRAM内存价格继续下滑，而且已经降到了多数制造商的生产成本以下。
据IDG新闻社报道，运营着一个在线DRAM市场的集邦科技称，最常用的DRAM内存，即512Mb 667MHz DDR2的合约价格4月又下降了16.7%，每芯片价格已经降至2.50美元。
大约有四分之三的DRAM芯片均通过DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴尔和惠普)之间签署的合约进行买卖。最新的报价来
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存储器在半导体行业就是一块万能膏药，或者嵌入到SoC里或者当做单独的存储元件，有数据计算和程序存储的要求就有它的用武之地。当前的主流半导体存储器可以简单的分成易失性和非易失性两部分，它们各有所长，应用领域也因这一特性而是泾渭分明。
易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM，SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据，但是RAM 类型的存储器易于使用、性能好。非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于ROM（只读存储器）技术，包
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29年前,美国爱达荷州,三个年轻人在一间牙医诊所的仓库里,无意中开始了一个名叫DRAM的芯片设计生意。发展到今天,便是年销售额高达52.6亿美金的半导体企业——美光公司。 3月21日,美光正式启动了其在中国投资的第一家制造工厂。这座位于西安高新技术开发区的封装测试厂,总投资2.5亿美金。 美光公司总裁兼首席执行官史蒂夫•阿普尔顿(Steve R. Appleton)在该项目启动典礼间隙,接受了本报记者专访。这位年轻的CEO是个典型的冒险家,拥有多架私人表演式飞机,喜欢在空中做俯冲动作。
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2007年3月21日, 中国西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安启动一家新的制造工厂。这家工厂是美光公司在中国的第一家制造工厂，它将主要负责生产DRAM、NAND闪存和CMOS图像传感器在内的半导体产品的封装测试。 为此，美光公司举行了西安工厂的落成仪式，参加仪式的有政府官员和行业代表。这家工厂预计将于2008年底全部建成，总投资将达到2.5亿美元，所需员工超过2000名。该工厂是美光公司在亚洲的第二家封装测试工厂，其第一家封装测试工厂于1998年在新
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CMOS集成电路的安装。为了避免由于静电感应而损坏电路，焊接CMOS集成电路所使用的电烙铁必需良好接地，焊接时间不得超过5秒。最好使用20~25W内热式电烙铁和502环氧助焊剂，必要时可使用插座。在接通电源的情况下，不应装拆CMOS集成电路。凡是与CMOS集成电路接触的工序，使用的工作台及地板严禁铺垫高绝缘的板材（如橡胶板、玻璃板、有机玻璃、胶木板等），应在工作台上铺放严格接地的细钢丝网或铜丝网，并经常检查接地可靠性。CMOS集成电路的测试。测试时所有CMOS集成电路的仪器、仪表均应良好接地。如果是低阻信
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DRAM 8英寸线将逐渐退出 随着半导体工艺制程技术的进步，90纳米及以下制程产品的比重增大以及12英寸硅片的优越性逐渐扩大，首先在竞争最激烈的存储器制造中呈现。 台湾力晶半导体的黄崇仁表示，2006年是转折点，DRAM中的8英寸芯片性价比已不具有优势，一批较早的8英寸芯片厂，已无法采用0.11微米工艺来制造512Mb的DDR2存储器。 台湾拓璞产业研究所最近发表的看法认为，五大集团三星、美光、海力士、英飞凌及尔必达主导了全球的DRAM业，全球DRAM(动态随机存储器)应用中，有
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传感器分别提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可选分辨率，可满足印刷、扫描和成像外围设备的广泛要求。 AMIS宣布首个2400dpi CMOS图像传感器现已投放市场。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率为2400、1200、600或 300dpi 的多种选择，同时还可降低扫描仪、支票阅读机、办公自动化设备、打印机和其它基于成像的外围设备在操作时的功耗和噪音。 新的传感器以AMI&nb
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推动全球半导体工业进步的两个轮子，一个是缩小特征尺寸，另一个是增大硅片直径，通常总是以不断地缩小特征尺寸为先。如今，全球正进入12英寸，65纳米芯片生产线的兴建高潮，业界正在为何时进入18英寸硅片生产展开可行性讨论。在此前提下，业界关心全球8英寸芯片生产线的现状，以及何时将退出历史舞台。纵观全球半导体业发展的历史过程，进入8英寸硅片时代约于1997年。通常每种硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍处于平稳发展时段，显然90纳米及65纳米产品已开始上升。 &
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