提出了CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器在嵌入式系统中的接口技术，通过设计软件驱动使嵌入式处理器能够控制CMOS图像传感器图像数据自动采集。
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CMOS 嵌入式系统 接口技术 图像传感器
据市场研究公司Gartner最新发表的研究报告称，全球半导体大型设备开支增长速度正在减缓，这种低迷的状况预计将持续到2008年第一季度。2007年全球半导体大型设备开支总额将达到437亿美元，比2006年增长4.1%。2008年全球半导体大型设备开始预计将比2007年增长0.3%。 Gartner分析师称，2007年全球半导体大型设备开支的增长将影响到2008年的增长。2008年半导体大型设备的开支将勉强实现正增长，晶圆加工设备的开支将出现小幅度的负增长。后端设备市场的前景仍是正增长。 Gar
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模拟技术 电源技术 半导体 晶圆加工 DRAM
地时间本周二，日本索尼和德国芯片制造商奇梦达宣布，它们计划建立一个芯片设计合资机构，开发消费电子和游戏机使用的DRAM储存芯片。 两公司在一份联合声明中称，新的合资机构称为 Qreatic Design，计划在今年年前在东京成立，在由双方30名专家组成的芯片设计合资公司中，两公司将各自拥有50%的股份。合资公司主要开发高性能、低能量消耗、嵌入式的、明确用于消费电子产品的DRAM芯片。 奇梦达是全球最大的DRAM储存芯片制造商之一，尽管索尼内部拥有它自己的芯片设计
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嵌入式系统 单片机 索尼 奇梦达 DRAM 存储器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 CMOS 运算放大器 LTC6081 和 LTC6082，这两款器件在 -40oC 至 +125oC 的整个温度范围内以 3.5MHz 的增益带宽和低于 90uV 的偏移突破了精确度极限。双路 LTC6081 和 四路 LTC6082 具有轨至轨输入和输出级，实现了仅为 1.3uVp-p 的低频噪声以及在 25oC 时最大为 1pA 的低输入偏置电流，非常适用于精密仪器。
LTC6081 和 LTC6082
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支持手机功能的两大核心芯片之一的射频收发芯片一直被认为是中国无线通信和3G产业的薄弱环节。去年下半年，国内两家领先的射频芯片企业锐迪科微电子(上海)有限公司(以下简称“锐迪科”)和鼎芯通讯(上海)有限公司(以下简称“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工艺的TD-SCDMA射频(RF)芯片，一举弥补了中国TD-SCDMA产业链发展的短板。随后，锐迪科宣布“推出全球首颗支持HSDPA的TD-SCDMA/GSM双模射频芯片”。CMOS工艺正逐渐取代硅锗BiCMOS工艺和硅BiCMOS工艺成为射频芯片的主流工艺，与此
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嵌入式系统 单片机 射频 芯片 CMOS RF RF IF
DRAM现货市场需求不佳，整体报价呈现下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度达7.8%，价格下跌至1.54美元。其余颗粒报价皆呈现微幅下跌，DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以来由于市场需求不振以及买卖双方抱持观望的态度，使得价格持续缓跌。然而当DDR2eTT价格跌破5月低点后，部分分销商及模块厂开始备货，使得现货价格出现反弹，间接带动了些许买气。而合约市场方面，由于现货价格快速下跌，加上PCOEM厂商已经备足旺季所需的库存水位，因此部份OEM厂商于9月上旬所谈妥的合约数量有砍单的动作。
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嵌入式系统 单片机 DRAM DDR DDR2 MCU和嵌入式微处理器
据国外媒体报道，所有想为自己电脑增加更多内存的人都赢得了来自DRAM行业的礼物--激烈竞争使得内存价格猛跌，行业分析师预测，DRAM价格还将进一步下降。 使用最广泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合约价格已比两周前下跌了12.5%，周二时跌至1.75美元，创下了DRAMeXchange今年记录的新低。DRAMeXchange公司运营一家对内存芯片进行网上交易的网站。 这条重大新闻将对用户产生三个重大影响：第一，DRAM价格下跌将增加惠普和戴尔这类电脑制
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嵌入式系统 单片机 DRAM DDR DDR2 存储器
安森美半导体推出极高精度的NCP590系列双输出CMOS低压降(LDO)稳压器。该系列器件采用超小、低高度的封装，非常适合电池供电的消费类产品和微处理器控制的便携应用，如手机、个人数字助理(PDA)、GPS和便携式媒体播放器(PMP)。 NCP590 LDO系列每路输出能够提供高达300毫安(mA)的电流，特别结合了工艺与架构，能够提供快速的客户反应和极高的灵活性。0.8伏(V)到5 V的电压范围能够配合客户的不同需求。无论使用哪种类型的电容，或在空载条件下，NCP590都能稳定工作。
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模拟技术 电源技术 安森美 CMOS LDO 稳压器 元件 制造
高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体（纽约证券交易所：STM)今天推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（DIMM）的温度监测标准JEDEC JC42.4的规定。
计算机等系统内的双速率DDR2和DDR3的数据传输速度比上一代标准更快，但是内存过热的风险也随之增加。温度传感器可以监视内存温度，为中央处理器调整数据流量和采取防过热措施提供依据，因此温度传感器在系统设计中变得更为重要。
STTS424是一个独立使用的数字温度传感器芯片，而STTS
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在经历了一段时间的疯狂增长之后，CMOS传感器市场市场终于衰退下来。 最近有报导称，在CMOS图象传感情市场一片颓势的情况下，全球最大CMOS图象传感器供应商美光公司正在准备剥离这一业务。 OmniVision、三星、意法半导体和东芝等CMOS图象传感器市场的其它供应商也同样经历了一段混乱时期。 ICInsights公司分析师Ro
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消费电子 CMOS 图象传感器 美光 消费电子
Avago Technologies(安华高科技)宣布，已经在65纳米(nm) CMOS工艺技术上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能输出。持续其在嵌入式SerDes技术的领导地位，Avago最新一代的工艺技术能够节省高达25%的功耗和空间。拥有接近4,500万通道数的SerDes总出货量，Avago在提供可靠高性能知识产权(IP)上拥有辉煌稳定的纪录，现在更以65 nm工艺上经验证的17 Gbps SerDes性能将
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嵌入式系统 单片机 安华高科技 65 nm CMOS 嵌入式
2001年DRAM市场价格崩溃以来，经历了市场恶化最严重的半年后，2007年下半年DRAM市场开始重现谨慎乐观气氛，预计2007年下半年销售价格将一路走高。下半年的乐观因素包括返校带来的销售高峰，以及季节性假日需求来临，其它具体原因还包括：2007年PC出货量预计增长12%，内存平均容量为1.4GB，比2006年的平均800MB内存增长75%。2007年第2季度，预计每台电脑平均内存容量为1.3GB，2007年第3季度预计达到1.4GB，2007年第4季度发展到1.6GB。一些DRAM供应商相信，到200
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嵌入式系统 单片机 DRAM 嵌入式
闪存的合约价格在7月下半月继续上涨，不过目前涨势已经逐渐减缓。DRAM厂商预计第三季度价格将轻微上涨，同时出货量也大幅提升了。同时，NAND目前价格也呈现上升趋势，这主要得益于闪存应用范围的不断拓展。 DRAM报价一片涨声 根据内存交易机构DRAMeXchange（集邦电子）的数据，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合约价格上涨了20%以上，不过7月下半月的上涨幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM厂商向DRAM厂商索要报价
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NAND DRAM 闪存
根据iSuppli公司的正式消息，NAND闪存供应商所面临的市况是业内有史以来最恶劣的，并且这种状况可能进一步恶化。如果不是到了岌岌可危的境地，供应商们就不会抱怨NAND闪存业务的定价和收益率的悲哀状况了。 与2006年第四季度17%的降幅相比，今年第一季度每Mb的NAND闪存的平均定价有望下降35%到40%。这种戏剧性的价格下滑意味着NAND闪存业务作为一个整体将在今年第一季度遭遇运营损失，该市场有史以来第一次发生这样的事情。 经济学101法则 需求对降价呈现弹性的响应，市况恶劣的主要原因在于NAND供
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NAND 闪存 存储 DRAM
2006年DRAM模块市场的亮点是内存供应商记忆科技（Ramaxel Technology Ltd）和勤茂科技（TwinMOS Technologies Inc.）产品销量迅猛增长，增长率分别达到85%和127%。 中国的记忆科技公司不仅是给全球排名第四的PC制造商联想直接供货的OEM，而且是PC制造业龙头惠普公司的模块供应商。其营收和出货量增长均与HP市场份额的上升保持一致。 台湾勤茂的增长受益于它和中国模块分销商的合作，它们让其享受到中国经济高速增长推动PC组装
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