欧洲芯片厂商英飞凌表示,DRAM内存平均销售价格的下降影响了该公司2006财年第一季度的财报结果。 据reed-electronics.com网站报道,英飞凌截止到去年12月份的2006财年第一季度的销售收入是大约20亿美元(16.7亿欧元),利息和税项之前的利润为亏损1.477亿美元(1.22亿欧元)。英飞凌的净亏损为2.216亿美元(1
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DRAM 亏损 英飞凌 存储器
通信用接收器的发展趋势是必需在信号刚一进入接收器信号通道时就进行取样,并配备有精确的测试仪,而要达到这个目标就要依赖超高速模拟数字转换器来实现。美国国家半导体首推的 ADC081000 芯片是一款模拟输入带宽高达 1.8 GHz 的 8 位 1GSPS 模拟数字转换器,它采用 0.18 微米 (mm) 的互补金属氧化半导体 (CMOS) 工艺技术制造。下文简述了结构及动作的原理,并较详细介绍了上文提到的在动作过程中起什么重要作用。 环顾目前的市场,大部分超高速模拟数字转换器都采用双极互补金属氧化半导体
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CMOS
意法半导体(ST)日前公布了一款针对无线基础设施设备开发的多用途微控制器的细节。这个代号为"GreenFIELD"、产品编号为STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S 330 MIPS RISC处理器核心、16Mbit片上eDRAM内存、eFPGA(嵌入式现场可编程逻辑门阵列)模块以及各种模拟和数字外设。GreenFIELD-STW21000是ST无线基础设施产品部发布的第二款先进的系统芯片产品。 GreenFI
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DRAM ST 微控制器 存储器
安捷伦科技有限公司日前推出一款采用增强(EP, Enhanced-Performance)型像素结构的130万像素单芯片CMOS图像传感器,它可使手机和电脑装置在任何照明环境下都能拍出更清晰、更生动的彩色图像。这款新型图像传感器主要面向高清晰度的百万像素手机、计算机、监视系统和工业应用,不但可以将噪声减少十倍,还进一步缩小了CMOS和CCD之间图像质量的差距。 这款传感器采用片上系统图像处理和JPEG压缩技术,不必使用占用空间和耗电量大的辅助芯
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CMOS 安捷伦 传感器 单芯片 图像
作为其进入迅速增长的CMOS图像传感器市场和扩展其晶圆代工业务之长期发展战略的一部分,中芯国际日前宣布其0.18微米彩色VGA传感器芯片已正式进入量产阶段。 “这项技术的成功研发使得中芯国际能够进一步地服务于中国以及全球正在成长的电子消费类市场,特别针对0.18微米彩色VGA传感器芯片需求量快速增长的数码摄像手机、家庭防盗系统、汽车配件等领域的应用。”中芯国际资深副总裁李若加评价说,“ 感谢中芯国际CMOS图像传感器技
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CMOS VGA 中芯国际
尽管可拍照手机2002年才进入市场,但它却迅速成为消费电子市场的又一“杀手级”应用。市场研究公司Visiongain发布的报告表明,去年第1季度,全球可拍照手机的销量已经超过数码相机和PDA,真正成为低端数码相机的“杀手”。成像技术作为可拍照手机最重要的技术之一,引起各大厂商的密切关注。CMOS传感器和CCD传感器是当前用于可拍照手机的两种主流影像传感器,经过激烈竞争,CMOS传感器已经逐渐在可拍照手机市场占据优势,并有可能独领风骚。 &nbs
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CMOS
美国模拟器件公司近日在马萨诸塞州诺伍德市(NORWOOD, MASS.)发布医用设备制造商CMOS DRAKE公司在他们的自动体外除颤器(AED)的设计中采用了ADI公司的BLACKFIN?处理器作为这款救生产品的核心处理器。 AED是一种对心率异常以至危及生命的患者进行监测、评估和自动处理的医用设备。该系统使用心电图(ECG)分析算法来确认心率和异常,以建议使用者是否需要进行心脏除颤。在做出除颤决定之后,此设备对存储电容器充电,并且产生一个双相输出电流。过去曾经用传统的微处理器(MC
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CMOS
DDR(双数据速率)DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压,并需要等于电源电压一半的基准电压(VREF=VDD/2)。此外,各逻辑输出端都接一只电阻器,等于并跟踪VREF的终端电压VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同时,必须提供源流或吸收电流。图1所示电路可为1.8V和2.5V两种存储器系统提供终端电压,并可输出高达6A的电流。IC1有一个降压控制器和2个线性稳压控制器。IC1在输入电压为4.5~28V下工作。
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电源电路 DDR DRAM 存储器
榨汁计策:榨出每一分电能系统的功率效率取决于软、硬件设计决策与应用系统工作性能的匹配程度。 要点 ● 总功耗包括静态功耗与动态功耗两个部分。 ● 硬件体系结构内的电源管理功能决定软件降低功耗的方法。 ● 你的软件设计决策会对总功耗以及产品体积和成本产生重大影响。 低功耗机制并不只是针对电池供电设备的设计约束条件,它也是许多高性能有线系统的一个主要考虑因素。在嵌入式设计中使用的处理器的功耗可能只占系统总功耗预算的较小一部分,但
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CMOS 电路
来自市场研究机构DRAMeXchange的最新数据,6月份全球DRAM出货量(折合为256M比特DRAM内存)增长了4%,达到了5.54亿件,其中DDR内存的比例从5月份的63%下滑到了61%,DDR2的比例为30%。 DRAMeXchange预测,随着DDR内存出货量的削减,其供应紧缺状况贯穿整个第三季度,而DDR2内存市场,就出货量而言,Powerchip半导体公司和ProMOS 科技公司在我国台湾厂商中处于领先地位。该研究机构还预测
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DRAM 存储器
国际DRAM厂供应货源不足因应旺季需求 OEM厂转向台厂寻求产能支应。由于OEM计算机大厂担心进入下半年产业旺季后,目前库存货源可能不敷使用,近期纷纷开始增加对DRAM厂下单,惟国际DRAM厂已陆续转移产能生产标准型DRAM颗粒以外的产品,因此供货情况未能满足国际OEM计算机厂需求,为此,OEM计算机厂也转向台湾DRAM厂寻求产能支应,且以过去主力供应现货市场的DRAM厂为主,据传订单数量相当惊人。 TRI观点:以产业链各厂商的动态来观察DRAM产业目前上下游市况如下:
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DRAM 存储器
DRAM厂商第2季财报恐多出现赤字,早盘股价纷纷拉回修正,盘中力晶、南科、茂德跌幅均超过1%以上,茂硅一度跌停。 据港台媒体报道,DRAM 价格第 2 季处于低档,在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)会计盈转亏,税后亏损 1.28 亿美元、每股亏损 0.2&nbs
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DRAM 存储器
进入第二季底,多数DRAM厂原本为应对季底作帐而压低DRAM报价,不过,由于日前合约价公布后竟逆势上涨1~3%,让所有DRAM厂吃下定心丸,不再担心DRAM现货价恐将因DRAM厂抛货而产生跌价压力。DRAM渠道商指出,现在DRAM厂态度可说是相当强硬,客户端若无法接受其报出价位,宁可不卖也不愿压低报价。 全球DRAM最新合约价公布后,尽管无法达到DRAM厂原本希望上调到3~5%的幅度,但部份OEM电脑大厂已接受DRAM厂上调1~3%的事实,而DRAM厂之所以能顺势涨价,最重要因素在于目
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DRAM 其他IC 制程
5月26日消息,近几个月以来,全球DRAM大厂为配合英特尔(Intel)及国际计算机大厂全力推动DDRII成为下一世代的计算机主流架构,纷纷加速将产能转换至DDRII,因而造成DDR产出量迅速下滑。也由于计算机大厂对于DDRII做出“过于乐观”的错误判断,反而需回头向中国台湾DRAM厂采买更多的DDR颗粒以因应市场需求。 DRAM厂指出,过去几个月以来,戴尔(Dell)、惠普(HP)等个人计算机(PC)大厂,对于推升DDRII成为市场主流的态度越来越积
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DRAM 存储器
近来台湾DRAM晶圆厂人事异动频繁,包括华邦电(2344)原记忆体事业部资深高阶主管王其国,以及力晶(5346)原创始元老曾邦助,都相继转换跑道,为其他DRAM业者效力,加上华邦电近半年来亦出现研发人员流动率偏高情况,DRAM业界多认为,尽管人员流动不至于影响DRAM厂既有运作,但仍凸显出DRAM产业高度不确定及不稳定特性。 华邦电发言人温万寿19日表示,王其国原任华邦电BG2(Business Group 2)事业群总经
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cmos.dram介绍
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