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cmos.dram 文章 进入cmos.dram技术社区

赛普拉斯CMOS图像传感器将胶片和数字视频结合用于电影拍摄

  •   赛普拉斯宣布其OSCAR定制CMOS图像传感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20数字电影摄像机和ARRISCAN胶片扫描仪之中。这款600万像素的传感器与Super 35毫米胶片光圈的尺寸相同,这使得D-20摄像机在拍摄高清(HD)图像时,能使用与35毫米胶片摄像机相同的定焦、变焦和特制镜头。最终的数字图像与35毫米胶片的景深相同,同时允许电影制作人能将观众的注意力引导至画面的特定部分,这种功能是一种极具创意价值的讲述故事的手段。   OSCAR CMOS图像传感器赋予D-20摄像机以
  • 关键字: 赛普拉斯  图像传感器  CMOS  音视频技术  

赛普拉斯CMOS图像传感器将胶片和数字视频结合用于电影拍摄

  • 定制图像器材成为ARRI公司ARRIFLEX D-20数字电影摄像机和ARRISCAN胶片扫描仪的核心 2007年12月26日,北京讯,—赛普拉斯半导体公司(纽交所代码CY)于近日宣布其OSCAR定制CMOS图像传感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20数字电影摄像机和ARRISCAN胶片扫描仪之中。这款600万像素的传感器与Super 35毫米胶片光圈的尺寸相同,这使得D-20摄像机在拍摄高清(HD)图像时,能使用与35毫米胶片摄像机相同的定焦、变焦和特制镜头。
  • 关键字: 赛普拉斯  CMOS  图像传感器  视频  传感器  

Gartner:明年全球芯片设备支出将下降10%

  •   市场研究公司Gartner周四发表声明预计,由于电脑内存制造商减少投资,明年全球半导体设备市场的规模将缩小近10%。Gartner预计,明年全球芯片设备支出将从今年的448亿美元下降至403亿美元左右。   由全球用于生产微芯片的产品制造商组成的行业协会国际半导体设备材料产业协会(SEMI)本月初预计,2008年全球芯片设备的支出为410.5亿美元,不过该协会估计2007年的芯片设备支出为417亿美元,认为下降幅度小于上述的下降幅度。   Gartner分析师克劳斯在谈到电脑中使用的DRAM(动态
  • 关键字: 芯片  半导体  DRAM  IC  制造制程  

基于0.13μm CMOS工艺的快速稳定的高增益Telescopic放大器设计

  •   近年来,软件无线电(Software Radio)的技术受到广泛的关注。理想的软件无线电台要求对天线接收的模拟信号经过放大后直接采样,但是由于通常射频频率(GHz频段)过高,技术上所限难以实现,而多采用中频采样的方法。而对于百兆赫兹的射频段,可以直接射频带通采样,这就要求采样系统有高的分辨率,而且其Nyquist频率要求比较高。本文设计的用于软件无线电台12 b A/D转换器中的高精度,高速运算放大器,采用了增益提高电路,在不影响频率响应的同时,得到普通运放所达不到的高增益。   1 高精度,高速度
  • 关键字: 模拟技术  电源技术  软件无线电  CMOS  放大器  放大器  

Gartner调整2007年10大芯片厂商排名

  •   市场调研公司Gartner的2007年10大芯片厂商排名略有不同。在该公司的排名榜中,预计英特尔(Intel)将再度称雄全球芯片市场,其后依次是三星电子(Samsung)、德州仪器(TI)和意法半导体(ST)。   Gartner把英飞凌(Infineon)及其分拆出来的DRAM公司奇梦达(Qimonda)的销售额算在一起。因此,按2007年全球销售额计算,英飞凌排名第五。      在市场调研公司iSuppli最近公布的排名中,英飞凌排在第10,奇梦达位居第16,它没有把这两家公司的
  • 关键字: 嵌入式系统  单片机  英飞凌  DRAM  奇梦达  IC  制造制程  

三星大举清库存 台DRAM厂顿感晴天霹雳

  •   据台湾媒体报道,近期传出三星电子(SamsungElectronics)抛出降价营销策略,几乎打出半买半送的口号,要在今年底前出清绘图存储器库存。对于台湾DRAM厂来说,无异晴天霹雳,三星此举将可能导致台厂的绘图存储器滞销,令台系DRAM厂毫无招架之力。   几个月来,一些DRAM厂都在赔钱走货,状况低迷,原赖以生存的绘图存储器市场被三星的半买半送策略一搅,近期遭受如此重创,也算来了个措手不及。过去绘图存储器仍是高于标准型DRAM的毛利率,但现在恐怕又将出现亏损扩大的现象了。   台DRAM厂表示
  • 关键字: 嵌入式系统  单片机  三星  DRAM  晶圆  MCU和嵌入式微处理器  

凌力尔特扩大RS422/RS485 收发器产品系列,推出为高温应用设计的“H 级”器件

  •   凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 扩大了 RS422/RS485 收发器产品系列,推出为高温应用设计的“H 级”器件。LTC285xH 系列器件具有 -40oC 至 125oC 的扩展工作温度范围以及这些应用传统上所需的属性。这些新温度级器件拓宽了凌力尔特公司业界标准低功率 CMOS 收发器产品线,有助于在汽车应用中常见的严酷环境条件下确保可靠数据传输。   凌力尔特公司的 LTC285xH 系列收发器有多种选择。精选版本具有转换率限制,同时其它版本具有接
  • 关键字: 模拟技术  电源技术  凌力尔特  RS422  CMOS  

Gartner:2007年全球半导体收入将增长3%

  •   市场调研机构Gartner日前发布了2007年全球半导体市场收入预测报告。报告显示,2007年全球半导体市场收入同比去年增长2.9%,达到2730亿美元。而且销售收入排名前十位的厂商当中,两家公司的收入增长保持两位数增长,而另有两家公司收入出现下滑。   Gartner负责市场调查业务的资深副总裁Andrew Norwood称,“半导体厂商目前的经营状况,与终端客户的联系更加紧密起来,因为当前半导体业界与消费者的支出模式有直接关系。”   英特尔2007年的芯片销售收入增长幅度超过了半导体市场平均
  • 关键字: 模拟技术  电源技术  半导体  芯片  DRAM  

中芯国际今年仍盈利无望 赴内地上市存障碍

  •   中芯国际连年亏损,今年也不例外;该公司行政总裁张汝京表示,今年仍然可能无法实现盈利目标,但对集团整体展望仍是正面。   中芯第三季业绩因DRAM价格走弱而亏损2,555万美元,外电引述张汝京的话表示,若集团的DRAM业务能够达到收支平衡,全年才有望获得盈利。   集团早前预期今年DRAM业务将难有明显改善。此外,张汝京表示,中芯仍计划于内地上市,但目前仍存有许多障碍。   集团于上海的12英寸芯片生产线,昨日正式投产,初期投资4.5亿美元,未来投资总额将增加至20亿美元。张汝京表示,上海的生产线
  • 关键字: 消费电子  中芯国际  DRAM  芯片  消费电子  

分割DRAM亏损部门 矽统裁员不裁钱

  •   据台湾媒体报道,芯片大厂矽统也将步威盛步伐,进行重整计划,上月爆出消息,矽统将亏损关键DRAM模块部门分割独立为子公司昱联科技外,近期传出,矽统将大举进行裁员。矽统表示,由于DRAM跌价重创,前三季都大亏,为改善这一局面,矽统将进行规模重整,调整营运步伐,进行有效裁员,期望至明年上半年慢慢回升绩效,至明年下半年,可望营收回升,整体回暖。   威盛和矽统都曾是英特尔的劲敌,带给英特尔极大的威胁,但由于一些技术上以及专利方面的原因,以及全球大气候的影响,慢慢被强劲的对手比拼,声势日渐低落,即使全力一搏,
  • 关键字: 嵌入式系统  单片机  DRAM  芯片  矽统  模拟IC  电源  

意法半导体(ST)芯片向先进的45nm CMOS 射频技术升级

  •   意法半导体宣布该公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射频 (RF)制造技术的功能芯片。这项先端技术对于下一代无线局域网(WLAN)应用产品至关重要。   这些系统级芯片(SoC)是在ST的法国Crolles 300mm 晶圆生产线制造的,原型产品集成了从初级RF信号检测到下一步信号处理需要的数字数据输出的全部功能链。这些原型芯片具有最先进的性能和最高的密度(低噪放大器、混频器、模数转换器和滤波器都工作在1.1V下,整个电路仅占用0.45mm2)。   ST的半导体成就归功于公司开发CM
  • 关键字: 嵌入式系统  单片机  意法半导体  45nm  CMOS  EDA  IC设计  

2007年12月10日,ST推出采用CMOS 45nm射频制造技术的功能芯片

  •   2007年12月10日,意法半导体宣布成功地推出第一批采用CMOS45nm射频制造技术的功能芯片。  
  • 关键字: ST  CMOS  45nm  射频  

DRAM市场基础继续恶化 预计08年资本开支下滑超过30%

  •   Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析师Mehdi Hosseini日前表示,“根据三星日前的报告,我们分析2008年上半年DRAM内存市场基础继续恶化,大多数DRAM供应商,尤其韩国之外的厂商2008年资本开支出现大幅削减。”   预计2008年,DRAM领域的资本开支将下滑超过30%,原来预计下降20%。这将导致总体内存资本开支减少10-12%。   在DRAM市场经历了漫长的低迷之后,该市场仍然存在严重的供过于求情况。“这主要由于按容量计
  • 关键字: 嵌入式系统  单片机  DRAM  三星  NAND  EDA  IC设计  

CMOS集成电路设计中电阻设计方法的研究

  • 讨论了集成电路设计中多晶硅条电阻、MOS管电阻和电容电阻等3种电阻器的实现方法,论述了他们各自的优点、缺点及其不同的作用
  • 关键字: CMOS  集成电路设计  电阻  设计方法    

以有源电感为负载的CMOS宽带LNA设计

  • 本文设计了一个基于数字CMOS工艺的以有源电感为负载的宽带低噪声放大器,其中包括了级联型有源电感的优化设计。
  • 关键字: CMOS  LNA  有源电感  负载    
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