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全球第二大存储芯片制造商、韩国Hynix半导体日前表示，预计到今年第二季度其主要业务——电脑存储芯片市场将出现反弹。
在美国拉斯维加斯参加2008 CES上，Hynix半导体公司首席执行官Kim Jong-kap发表了上述观点。
他称，“此前，电脑储存芯片市场一直处于低迷状态，持续了大约15个月。而新一轮的低迷态势从今年一月份开始，预计这一状态还将延续一段时间。我们认为从今年第二季度开始，存储芯片市场将会陆续出现反弹
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Hynix DRAM 芯片市场
- 光电器件、传感器/激励器(actuator)和分立器件(O-S-D)由于市场规模不大，容易受到市场忽视。但2006-2011期间，预计其年平均增长率约10%，高于整体芯片市场9%的年均增售增长预测。
本世纪初期，手机和其它便携式产品中显示屏增长驱动，包括摄像头手机和数码相机的CMOS图像传感器、用于键盘背光系统的高亮度白光LED、手机和其它便携产品的彩色显示屏等。多年来，光电器件和分立器件的市场规模几乎相等。但是预计到这十年末，光电半导体销售收入将拉开与分立器件的距离。
在目前半导体业务中
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光电器件 传感器 CMOS 传感器
- 奇梦达公司宣布已开始向客户供应首款512Mb XDRTM DRAM的样品。XDRTM (Extreme Data Rate) 内存解体决方案扩展了奇梦达的绘图RAM产品组合，以针对全球成长快速的计算机和消费性电子市场，提供更佳的高效能、高频宽应用。
奇梦达公司绘图产品事业部副总裁Robert Feurle表示：“我们对与Rambus公司签订技术授权合约一年内，便推出第一款的XDRTM DRAM，感到非常骄傲。XDRTM DRAM对于奇梦达的高效能DRAM产品组合而言，是一项高价值的延伸，同时也在
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奇梦达 DRAM XDRTM MCU和嵌入式微处理器
- 据DigiTimes网站报道，短期内三星电子(SamsungElectronics)将不减产DRAM，并将于2008年发动攻击型投资。三星副社长周宇锡近日在首尔三星总部表示，为配合2009年三星总营收达到1300亿美元，并成为全球第1大电子厂商的目标，尽管DRAM面对价格暴跌的压力，但三星不仅不会减产，并将继续执行攻击型投资。
根据三星已经敲定的投资计划，2008年总共11兆韩元(约合116.8亿美元)，其中7兆韩元(约合74.3亿美元)投资于半导体领域，3.7兆韩元(约合39.3亿美元)投资于
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三星 半导体 DRAM 半导体材料
- 中国芯片制造商中芯国际(SMIC)宣布，周四公司已经对IBM的45纳米集成电路制成技术加以认证。
SMIC说，公司将会采用IBM的CMOS技术制造300毫米晶圆片，这些晶圆片用于SMIC的制造工厂。CMOS，或者说金属氧化物半导体元件，是微处理器所采用的一种主要的集成电路。
公司在一次联合声明中表示，IBM技术将被用于制造图形处理芯片、芯片组、用于高端移动电话的元件，以及其他消费设备。该认证技术预期将对SMIC的65纳米低端技术加以补充。
SMIC的总部设在上海，是中国最大的晶圆制造
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芯片 45纳米 CMOS IC 制造制程
- 半导体行业协会(SIA)修改了2007年全球半导体销售的预测数字，改正了一个重大的预测错误，称DRAM内存市场的数字高于预期是造成其预测错误的主要原因。
世界半导体贸易统计组织(WSTS)发布的2007年1至9月份的DRAM内存市场的销售数据是增长的。目前还不清楚WSTS或者SIA是如何出现这个失误的。WSTS和SIA都没有解释这个原因。
SIA称，修改后的数据是2007年1至11月份DRAM内存市场的销售收入比原来报告的数字增加了为13.5亿美元，也就是4.8%。因此，同期的半导体销售收
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半导体 销售 DRAM
- 现在到处都在谈论数字电源。新成立的公司和已经取得牢固地位的半导体厂商都声称数字电源(或者更准确地说，是数字控制开关电源管理集成电路)比模拟为主的产品更胜一筹。他们说，新的数字电源具有更高的性能和更低的成本，将取代老式的、早已过时的模拟开关稳压器。人们将采用通用的数字CMOS工艺技术，而不再需要专有的模拟工艺技术，同时还将极大地降低成本。电源管理方式即将发生变化：要么数字化;要么请走开，别再挡路。
我们先花点时间来琢磨一下这个词。“数字电源”或“数字控制电源”有几种不同的含意。最简单的定义是通过数
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数字电源 模拟 CMOS 嵌入式
- 全球第二大存储芯片制造商、韩国Hynix半导体日前表示，预计到今年第二季度其主要业务——电脑存储芯片市场将出现反弹。
在美国拉斯维加斯参加2008CES上，Hynix半导体公司首席执行官KimJong-kap发表了上述观点。
他称，“此前，电脑储存芯片市场一直处于低迷状态，持续了大约15个月。而新一轮的低迷态势从今年一月份开始，预计这一状态还将延续一段时间。我们认为从今年第二季度开始，存储芯片市场将会陆续出现反弹。”
在今年第三季度，Hynix半导体拥有全球DRAM芯片市场20%份额
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Hynix DRAM 芯片 嵌入式
- 全球第二大存储芯片制造商、韩国Hynix半导体日前表示，预计到今年第二季度其主要业务——电脑存储芯片市场将出现反弹。
在美国拉斯维加斯参加2008CES上，Hynix半导体公司首席执行官KimJong-kap发表了上述观点。
他称，“此前，电脑储存芯片市场一直处于低迷状态，持续了大约15个月。而新一轮的低迷态势从今年一月份开始，预计这一状态还将延续一段时间。我们认为从今年第二季度开始，存储芯片市场将会陆续出现反弹。”
在今年第三季度，Hynix半导体拥有全球DRAM芯片市场20%份额
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芯片 DRAM 存储 存储器
- 对于中国的半导体产业而言，2008年将是又一轮循环发展的新起点。这一年，既是中国的首个奥运年，也是全球第一块集成电路(IC)诞生50周年。感知事业冷暖，预言市场趋势，虽有着诸多不确定的变数，但跟随2007年半导体产业发展脚步，仍是有迹可循。
国际市场将回暖?
2007年，全球半导体产业继续疲软。
虽然2006年底和2007年初，国内外各大业内机构对2007年全球半导体市场都有一个相对乐观的预测，普遍认为2007年度全球市场的增长率将在5%～10%之间，但根据世界半导体贸易统计组织(W
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半导体 IC DRAM 半导体材料
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1，TTL电平(什么是TTL电平)： 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。
2，CMOS电平： 1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路： 因为TTL和COMS的高低电平
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TTL CMOS 电平 嵌入式系统 单片机 嵌入式
- 本设计实例提供了一种可作为微控制器替代品的简单、廉价及便携式设备电路，来为音频电路设计与调试提供各种低失真正弦波信号源。尽管从直接数字合成器 (dds) 产生的正弦波具有更高的稳定性及更少的谐波成分和其他寄生频率成分，但这是一种能让设计人员采用凌特科技公司ltspice 免费件并磨砺其电路仿真技能的更具“颠覆性”的方法。振荡器包括一个频率测定网络以及一种用于防止电路饱和、波形削波及谐波产生的振荡幅度限制方法。许多音频振荡器设计均采用经典维氏电桥带通滤波器拓扑，并将白炽灯、热敏电阻器或jfet 电路作为
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正弦波 CMOS 数字合成器 放大器
- 【eNet硅谷动力消息】12月29日消息，来自中国台湾DRAM制造商的消息来源称，由于DRAM合约价格继续下跌，DRAM制造商们打算缩减现货市场的供应数量，以便稳定内存市场的整体价格环境。此举意在避免合约市场中DRAM价格的急剧下跌。
正如人们预期，DRAM合约价格一直在保持着下降趋势。内存交易机构DRAMeXchange的数据表明，主流产品DDR2芯片合约价格持续下滑 10%。在12月下半月，512MB DDR2-667的收盘价格为0.88美元，而1GB芯片收盘价格是1.75美元。到12月2
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DRAM
- 以DRAM和Flash为代表的存储器平均销售价格(ASP)自去年年初以来经历了令人震惊的下滑。随着现货价格与合约价格不断创下新低，价格压力充斥着整个上一季度。由于价格走低，对于NAND闪存等存储器的需求正在升温。呈井喷之势的预测数字显示出我们当前正处在黎明前的黑暗阶段，一个巨大而不断增长的市场即将出现。某些预测显示NAND闪存需求量将从2006年7,370亿兆字节增长至2011年的33.5万亿兆字节。
大举扩产NAND闪存
低价同时也推动了需求的增长，使得部分厂商出现供给不足。以东芝(To
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DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微处理器
- CMOS问世比TTL较晚，但发展较快，大有后来者居上、赶超并取代之势。
1.组成结构
CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路的英文字头缩写。它由绝缘场效应晶体管组成。由于只有一种载流子，因而是一种单极型晶体管集成电路。其基本结构是一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管，如图1所示。由于两管栅极工作电压极性相反，故将两管栅极相连作为输入端，两个漏极相连作为输出端，如图1(a)所示，则两管正好互为负载，处于互补工作状态。
图1 CMOS电路基本结构示意图
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CMOS 逻辑门电路 逻辑电路
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