本文讲解保护开关等创新器件，对 USB-C 接口实现大功率供电升级起到的关键作用。大功率 USB-C 接口保护开关属于专用集成电路，能够为电子系统提供过压、过流等电气故障防护，同时支持接口供电与受电双向功率传输功能。 USB集线器，连接多个接口，连接到笔记本电脑。图片由Adobe Stock授权提供在充分发挥 USB-C 大功率传输优势的系统设计中，这类防护器件不可或缺，可将内部电路与异常电压、电流工况隔离开来，同时保护主机与外接外设，有效抵御过压、过流、静电放电等电气损害。倘若缺少完善防护，U
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USB-C
大功率供电
保护开关
过压保护
过流保护
ESD
导通内阻
反向电流阻断
车规级防护
eFuse
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出兼具业界超低动态电阻（Rdyn）*1和超低电容特性的ESD（静电放电）保护二极管*2“RESDxVx系列”。该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。近年来，在工业设备和车载市场，高速信号传输的普及与电子设备的小型化、高性能化趋势日益显著。相应地，系统（电路板、模块）层面对所需的ESD防护措施要求越来越严苛。另一方面，随着多功能化、高性能化、微细化技术的发展，IC对电气过载（EOS）和静电放电（ESD）的耐受能力呈下降趋势。因此，对于兼
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ROHM
10Gbps
高速I/F
ESD
保护二极管
Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，今日推出四款多层片状电感系列产品： CE0603G、CE0603M、CE1005Q 和 CE1608Q 系列。此系列电感器采用先进多层技术打造单体结构设计，为电源电子设计工程师提供高可靠度、稳定性佳且具优异讯号完整性的解决方案。产品尺寸涵盖 1608、1005 以及最小 0603 mm 等多种精巧规格，为设计人员在小型化应用中提供更多元的选择。为满足高频电路对效能提升的需求，新款片状电感具备最高达 20,0
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Bourns
RF
射频电感器
高可靠
2026年3月4日 – Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，今日推出四款多层片状电感系列产品：CE0603G、CE0603M、CE1005Q 和CE1608Q系列。此系列电感器采用先进多层技术打造单体结构设计，为电源电子设计工程师提供高可靠度、稳定性佳且具优异讯号完整性的解决方案。产品尺寸涵盖 1608、1005 以及最小 0603 mm 等多种精巧规格，为设计人员在小型化应用中提供更多元的选择。为满足高频电路对效能提升的需求，新款片状电感具备最高达 20,0
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Bourns
RF
射频
电感器
2025年12月3日 - Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出 5.0SMDJ 系列瞬态电压抑制 (TVS) 二极管。新系列采用节省空间的紧凑型 DO-214AB 封装，专为行动通讯、运算及影像设备应用提供有效的静电放电 (ESD) 保护而设计。Bourns® 5.0SMDJ 系列包含 13 款单向型号及 8 款双向型号。Bourns® 5.0SMDJ 系列 TVS 二极管该系列具备高效能能量吸收与箝位能力，使设计人员可在 12 V 至 30 V 的广泛工作峰值反向电
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Bourns
ESD
TVS
二极管
DO-214AB
封装
静电放电 （ESD） 事件每年给半导体行业造成约 80 亿美元的损失，这凸显了对集成电路 （IC） 采取有效保护措施的必要性。闩锁是 IC 设计中的一个重大可靠性问题，由可能导致灾难性故障的寄生结构引起，这强调了保护环等预防技术的重要性。保护环的实施对于通过吸收少数载流子和提供电气隔离来防止闩锁至关重要，从而增强 IC 的鲁棒性。概述：保护 IC 免受代价高昂的 ESD 和闩锁故障的影响静电放电 （ESD） 事件每年估计会给半导体行业造成 80 亿美元的生产力损失、保修索赔和产品故障 [1]。确保集成电路
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闩锁保护环
ESD
新型超低噪声开关稳压器具有超低噪声、高效率、小尺寸和大电流的特点，非常适合各种对噪声敏感的射频应用场景，包括5G/无线通信、防务领域、仪器仪表等。Silent Switcher 3进阶型开关稳压器系列拥有超低的输出噪声，在低频范围（0.1 Hz至100 kHz）内，其噪声甚至比大多数低压差(LDO)稳压器还要低。本文研究了与传统的降压式稳压器加LDO稳压器解决方案相比，在噪声敏感型RF系统中应用超低噪声开关稳压器所面临的挑战和带来的系统优势。
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稳压器
射频
RF
ADI
Nexperia 推出了据称是业界首款专为 48 V 汽车数据通信网络设计的 ESD 保护二极管产品组合。这些符合 AEC-Q101 标准的器件旨在节省空间和成本，同时在更高的数据速率下保持信号完整性，这是现代 EV 和混合动力 EV 平台的关键要求。对于涉及汽车电子、动力总成系统或嵌入式通信的 eeNews Europe 读者来说，这一发展直接解决了 EV 设计中越来越多地使用的高压板网络和传统网络协议的 ESD 保护方面长期存在的差距。解决汽车网络中的 48 V 偏移问题随着电动和
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Nexperia
EV
数据网络
48V
ESD
保护二极管
我们探讨了用于线性化射频放大器的模拟预失真的基本概念，并回顾了一些常见的实现方式。现代通信系统使用具有时变包络和相位角的信号。为了处理这些信号，发射机需要线性功率放大器（PA）。然而，它们也需要高效率的功率放大器。正如我们所知，这样的放大器不可避免地是非线性的。幸运的是，有许多方法可以线性化功率放大器的响应。我们在上一篇文章中了解到的一种方法是找到失真并将其从功率放大器的输出信号中减去。这被称为前馈线性化。预失真是另一种常用的线性化技术。它不是在输出端校正信号，而是在功率放大器之前放置一个非线性电路，使组
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线性化射频放大器
RF
一、MOS管输入电阻很高，为什么一遇到静电就不行了？MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种类型：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。二、MOS管被击穿的原因及解决方案？第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界
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MOS管
电路设计
ESD
ESD对于很多电子产品是一个致命硬伤，如何设计好产品的ESD，是需要花很多时间和精力来研究的。下面通过几个实例来和大家一起分享下。某智能手表在侧键附近打ESD后出现反复开关机现象根据反复重启的时间判断，类似于长按Power键。检查Power_On信号，发现已经被持续拉低，Power_On信号的原理图如下：为了降成本，位置1并没有贴TVS管，而是用一个电容代替，电容的耐压值是25V。失效的机器，这个电容已经短路，可以判断ESD进入壳体，直接打坏了位置1的电容。如果把位置1的电容耐压提高到50V，能抗的ESD
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ESD
静电释放
电磁兼容
1. 什么是射频？射频简称RF，是高频交流变化电磁波的简称。电磁波其实就是比较熟悉的概念了，依据麦克斯韦的电磁场理论：振荡的电场产生振荡的磁场，振荡的磁场产生振荡的电场，电磁场在空间内不断向外传播，形成了电磁波。下图可以大致体现体现这个过程，E代表电场，B代表磁场。在轴上同一位置的电场、磁场的相位和幅度均会随着时间发生变化。通常情况下，射频（RF）是振荡频率在300KHz-300GHz之间的电磁波的统称，被广泛应用于雷达和无线通信。2. 射频基本特征为了描述给定射频信号，可以从频率、波长、幅度、相位四个角
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射频
RF
一、什么是ESD?ESD代表静电放电。许多材料可以导电并积累电荷。ESD 是由于摩擦带电（材料之间的摩擦）或静电感应而发生的。每当发生这种情况时，物体都会在其表面形成固定电荷（静电）。当这个物体放置得太靠近另一个带电物体或材料时，电压差会导致电流在它们之间流动，直到恢复电荷平衡。因此，可以将静电放电定义为两种带电材料或物体之间由接触、短路或电介质击穿引起的瞬时电流流动。对于消费类产品，ESD 和空气中的介质击穿通常发生在两点之间的电场大于 40 kV/cm 时。气压、温度和湿度等因素会影响电场强度。例如，
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ESD
PCB设计
强茂推出最新一代的静电保护组件——第二代ESD保护二极管，结合了高效率和低漏电流的特点。经10 GHz频率测试，此系列产品的插入损耗数值为-0.25 dB至-0.38 dB之间。此外，第二代ESD保护二极管具有超低的结电容值 (Cj)，范围从0.09 pF到1 pF，并拥有2.6 V到11.6 V的低静电钳位电压，能够有效降低静电放电对电子设备的损害与能量消耗。 为满足现代电子产品的小型化需求，此新系列产品采用多种封装形式，包括节省空间的DFN0603-2L、DFN1006-2L、DFN1006
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强茂
ESD
高速应用
低耗损
低电容极限
关于射频模拟设计中的噪声分析，通过示例了解噪声系数度量，包括本规范的关键方面。除了一些特定的应用，例如，当需要抖动效果时，噪声通常是一种不想要的现象。科学家和工程师已经表征了不同电路元件产生的噪声，并开发了可用于分析电路噪声性能的方法。在模拟电路设计中，我们通常将噪声效应建模为输入参考噪声电压和电流源。然而，在射频（RF）设计中，噪声系数度量可以是表征电路噪声性能的更有用的方法。在本文中，我们将介绍噪声系数度量，强调该规范的一些微妙之处，最后看一个例子来澄清所讨论的概念。射频模拟设计中的噪声分析我们通常用
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噪声系数度量，射频电路，噪声，RF
本文要点：• 小信号 RF 放大器的用途。• 用于小信号 RF 放大器的分压器晶体管偏置电路。• 单级小信号 RF 放大器的设计步骤。几乎所有的电子电路都依赖于放大器，放大器电路会放大它们接收到的输入信号。基本的放大器电路由双极结型晶体管组成，晶体管偏置使器件在有源区运行。晶体管的有源区用于放大目的。当晶体管偏置为有源区时，施加在输入端子上的输入信号会使输出电流出现波动。波动的输出电流流过输出电阻，产生经过放大的输出电压。有些放大器能放大微弱 RF 输入信号且（与静态工作点相比）输出电流波动较小，它们称为
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RF
放大器
美国加州时间2024年7月15日，SEMI旗下技术社区电子系统设计联盟（ESDA）在其最新的《电子设计市场数据报告》（EDMD）中宣布，2024年第一季度电子系统设计（ESD）行业销售额从2023年第一季度的39.511亿美元增长了14.4%，达到45.216亿美元。与前四个季度相比，最近四个季度的移动平均值上涨了14.8%。SEMI电子设计市场数据报告执行发起人Walden C.Rhines表示：“2024年第一季度，EDA行业销售额持续强劲增长。所有产品类别都有所增长，包括计算机辅助工程（CAE）、I
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ESDA
ESD
销售额
EDA
在采样速率和可用带宽方面，当今的射频模数转换器(RF ADC)已有长足的发展，其中还纳入了大量数字处理功能，电源方面的复杂性也有提高。那么，RF ADC为什么有如此多不同的电源轨和电源域？为了解电源域和电源的增长情况，我们需要追溯ADC的历史脉络。早期ADC采样速度很慢，大约在数十MHz内，而数字内容很少，几乎不存在。电路的数字部分主要涉及如何将数据传输到数字接收逻辑——专用集成电路 (ASIC) 或现场可编程门阵列 (FPGA)。用于制造这些电路的工艺节点几何尺寸较大，约在180 nm或更大。使用单电压
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ADI
RF
ADC
近期，Guerrilla RF宣布收购了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模块产品组合。Guerrilla RF表示，通过此次收购，公司获得了Gallium Semiconductor 所有现有的元件、正在开发的新内核以及相关知识产权(IP)。公司将为无线基础设施、军事和卫星通信应用开发新的GaN器件产品线并实现商业化。Guerrilla RF官方经销商Telcom International的一位员工表示，公司计划向韩国市场供应Guerrilla RF的射频晶体管，并将其
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Guerrilla RF
Gallium GaN
6月14日，纯化合物半导体代工厂稳懋半导体（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司扩大了其RF
GaN技术组合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化镓（GaN）技术测试版NP12-0B平台。目前，NP12-0B鉴定测试已经完成，最终建模/PDK生成预计将于2024年8月完成，并计划于2024年第三季度末发布完整的生产版本。据稳懋半导体介绍，该平台的核心是0.12μm栅极RF GaN
HEMT技术，该技术结合了多项改进，以增强直流和射频的耐用性，并增加芯片级防潮性。NP12-0
关键字：
纯化合物
半导体
RF GaN
一直想给大家讲讲ESD的理论。但是由于理论性太强，如果一些器件理论不懂的话，这个大家也不要浪费时间看了。任何理论都是一环套一环的，如果你不会画鸡蛋，注定了你就不会画大卫。静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力(EOS: Electrical Over Stress)破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏)，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会造成电路直接烧毁。所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。
关键字：
ESD
静电放电
电路设计
在低频下工作的普通电路与针对RF频率设计的电路之间的关键区别在于它们的电气尺寸。RF设计可采用多种波长的尺寸，导致电压和电流的大小和相位随元件的物理尺寸而变化。这为RF电路的设计和分析提供了一些基础的核心原理特性。基本概念和术语假设以任意负载端接传输线路（例如同轴电缆或微带线），并定义波量a和b，如图1所示。图1.以单端口负载端接匹配信号源的传输线路。这些波量是入射到该负载并从该负载反射的电压波的复振幅。我们现在可以使用这些量来定义电压反射系数Γ，它描述了反射波的复振幅与入射波复振幅的比值：反射系数也可以
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ADI
RF
波反射
随着电子器件在汽车和其他产品上的应用越来越广泛（智能化），芯片的集成度也越来越高、体形也越来越小、研发的难度也越来越高，这些器件通常具有线间距短、线细、集成度高、运算速度快、功耗低和高输入阻抗的特点，这也导致了这类器件对静电的要求越来越高。其中涉及到的标准为：ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能，都会使用TLP 测试，除了使用标准的TLP脉冲发生器之外，还需要使用示波器对其脉冲进行
关键字：
ESD
TLP
随着电子器件在汽车和其他产品上的应用越来越广泛（智能化），芯片的集成度也越来越高、体形也越来越小、研发的难度也越来越高，这些器件通常具有线间距短、线细、集成度高、运算速度快、功耗低和高输入阻抗的特点，这也导致了这类器件对静电的要求越来越高。其中涉及到的标准为：ESD SP5.5.1-2004、ISO7637-2、GB/T.21437.2、ECER10.05 6.9、IEC62615:2010。其中在很多器件的ESD性能，都会使用TLP 测试，除了使用标准的TLP脉冲发生器之外，还需要使用示波器对其脉冲进行
关键字：
ESD
保护设计
传输线脉冲
TLP
罗德与施瓦茨与索尼半导体以色列（Sony）合作，达成了3GPP Rel. 17 NTN NB-IoT RF性能验证的行业首次里程碑。他们还成功验证了基于PCT的测试用例。两项工作都有助于NTN NB-IoT技术的市场就绪。在2024年巴塞罗那世界移动通信大会上，罗德与施瓦茨将在其展台上展示与Sony的Altair NTN Release 17 IoT设备一起进行NTN NB-IoT测试的实时演示。与Sony的合作中，罗德与施瓦茨成功验证了Sony的Altair设备的NTN NB-IoT功能。使用罗德与施瓦
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罗德与施瓦茨
索尼
3GPP Rel. 17
NB-IoT
RF
就在几个月之前，一则消息被各大媒体平台报道：2023年7月3日，为维护国家安全和利益，中国相关部门发布公告，决定自8月1日起，对镓和锗两种关键金属实行出口管制。至此有不少不关注该领域的读者突然意识到，不知道从什么时候开始，我国的镓和锗已经悄悄成为了世界最大的出口国。根据一份中国地质科学院矿产资源研究所2020年的一份报告显示，目前镓的世界总储量约 23 万吨，中国的镓金属储量居世界第一，约占世界总储量的 80%-85%，而我国的镓产量则是压倒性的占到了全球产量的90%到95%。而作为镓的化合物，砷化镓、氮
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雷达
RF
氮化镓
相控阵
『这个知识不太冷』系列，旨在帮助小伙伴们唤醒知识的记忆，将挑选一部分Qorvo划重点的知识点，结合产业现状解读，以此温故知新、查漏补缺。在过去十年中，移动无线数据快速增长，使得运营商愈加迫切地需要新频段和新技术，以满足用户对无线数据容量的需求。这种需求不仅推动了无线技术的发展，也增加了对增强型射频(RF)滤波器技术的需求，以帮助减少系统干扰，扩大RF覆盖范围，增强接收器性能，并提升共存特性。本篇内容将介绍RF滤波器的工作原理，以及如今的应用中使用的各种技术版本。首先介绍关于滤波器的一些基本实情，以及它们带
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Qorvo
RF
滤波器
数十年来，以太网广泛应用于工业和计算网络，但如今，越来越多地部署到汽车应用，取代了控制器局域网络(CAN)等传统网络。汽车以太网提供拓扑灵活性、高带宽和稳定的通信，能够满足原始设备制造商(OEM)从域向区域网络架构过渡期间的车内数据通信需求。本文首先讨论各种汽车以太网标准，然后再考虑它们必须符合的严格静电保护(ESD)和电磁兼容性(EMC)标准。最后介绍 Nexperia（安世半导体）的一系列元件，汽车 OEM 可利用这些元件确保车辆网络在发生 ESD 事件时得到全面保护。汽车以太网标准2016 年，开放
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安世半导体
汽车以太网
ESD
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