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gan hemt 文章 最新资讯

硬科技新风口：AI、机器人与新能源，为何都在“抢”GaN？

  • 如果观察近年来电子系统的发展，会发现一个有趣的现象：无论是AI数据中心、工业机器人、能源基础设施，还是新能源汽车，它们对电源系统的要求都在同步提升。一方面，系统功率持续增长；另一方面，设备尺寸、散热空间以及能耗预算却受到越来越严格的限制。这意味着，未来电源设计的竞争已不再局限于单颗器件性能，而是如何在更小空间内实现更高效率、更高功率密度以及更稳定可靠的系统运行。在这样的背景下，氮化镓（GaN）正逐渐成为推动下一代电源架构演进的重要技术之一。当效率不再是唯一目标过去谈到功率半导体，人们首先关注的是效率。而今
  • 关键字： 安森美   氮化镓   GaN   电源架构   系统功率  

从GaN到vGaN，安森美高压高密度时代的系统级答案

  • 精彩速览：●   AI数据中心、电动汽车、工业自动化及储能基础设施正加速向高压高密度架构演进。传统电源架构面临效率、散热和体积挑战。GaNEXUS通过在电能转换链路中最具价值的位置部署GaN技术，实现从Source到Load的系统级优化，为下一代高能效电源架构提供支撑。●   首批GaNEXUS™覆盖40V至650V宽电压区间，包含标准GaNEXUS FET以及集成多重保护功能的650V GaNEXUS Smart智能器件两大品类。●   未来，
  • 关键字： GaN   vGaN   安森美   高压高密度  

分工定型！SiC送电进机房、GaN送电给GPU，宽禁带重构AI算力供电格局

  • AI大模型产业化落地，推动全球算力规模持续攀升，AI数据中心单机柜功率等级大幅提升，逐步从百千瓦级向兆瓦级演进。传统硅基功率器件受限于材料特性，在损耗、体积、散热、功率密度等方面存在明显瓶颈，已无法适配高阶算力的供电需求。在此背景下，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）为代表的宽禁带半导体器件快速普及，从备选升级方案转变为AI数据中心电源的核心刚需器件，成为算力供电体系迭代的核心抓手。Omdia 2026年上半年发布的功率半导体行业追踪报告明确指出，行业增长结构正在发生显著切换：AI数据中心已成为增速最快
  • 关键字： SiC   机房   GaN   宽禁带   AI算力供电  

算力浪潮下，SiC/GaN加速AI数据中心电源落地

  • 随着 AI 大模型快速迭代，算力需求爆发式增长，AI 数据中心的功耗压力也随之陡增。供电系统作为算力基础设施的 “心脏”，正朝着更高功率、更高效率、更高功率密度方向快速演进，以 SiC、GaN 为代表的宽禁带半导体器件，正在成为这场技术变革的核心支撑。围绕 AI 数据中心供电的技术演进路线、宽禁带器件的落地现状，以及英飞凌对应的产品方案与产能规划，EEPW 记者专访了英飞凌科技副总裁，英飞凌消费、计算与通讯业务中国区 AI 数据中心业务单元负责人王岩（Kim Wang）。英飞凌科技副总裁，英飞凌消费、计算
  • 关键字： SiC   GaN   AI数据中心电源   AI 数据中心电源   英飞凌  

AI算力电源迭代提速 宽禁带器件成刚需，MPS成套方案抢占算力电源赛道

  • 随着AI算力产业高速迭代，数据中心单机柜功率正式迈入兆瓦级时代，800V高压直流、48V中间母线架构全面普及，为电源系统带来全新挑战。在此背景下，SiC、GaN等宽禁带器件彻底摆脱可选升级的定位，成为AI算力电源的核心刚需器件。那么，如何适配行业刚需、破解高压高频供电痛点？为此，EEPW电子产品世界记者采访了MPS（芯源系统）公司。1 AI数据中心用SiC/GaN发展动向伴随AI单机柜功率迈入兆瓦级，800V高压直流、48V中间母线全面普及，宽禁带器件已从“可选升级”转为算力电源刚需。AI 数据
  • 关键字： 202609   AI算力电源   宽禁带器件   MPS   算力电源   SiC   GaN  

Heron Power押注5MW中压功率转换:变压器交付要等四年

  • 图片来源:Heron PowerHeron Power 计划投资 1 亿美元在加州 Morgan Hill 建厂,量产名为 Heron Link 的 5MW 中压功率转换系统,面向大型能源与数据中心,目标 2027 年底量产。公司给出的背景是:标准变压器交付周期可长达四年,已成为 AI 数据中心接电的突出瓶颈。Heron 由前 Tesla 高管 Drew Baglino 参与,已完成 1.4 亿美元 B 轮融资。Heron Link 把 34.5kV 中压交流直接转换为 800V 直流,效率标称高于 98
  • 关键字： 固态变压器   中压功率转换   数据中心供电   SiC   GaN   电网设备  

800V‑48V 浪潮下，SiC 与 GaN 重构 AI 数据中心供电，专访华润微

  • 随着生成式 AI 催生算力爆发，AI 服务器单机柜功率密度大幅提升，数据中心供电架构迎来变革。800V HVDC 搭配 48V 中间母线成为智算机房主流，传统硅基器件已接近性能瓶颈，SiC、GaN 等宽禁带器件成为化解机房能耗、散热、BOM 成本压力的核心。当下行业仍存疑问：新架构中 SiC 与 GaN 如何分工？规模化量产需要突破哪些门槛？本土企业如何从器件竞争升级到系统方案竞争？作为国内 IDM 模式功率半导体龙头，华润微布局 SiC、GaN 完整产品线，覆盖数据中心全功
  • 关键字： SiC   GaN   AI 数据中心供电   华润微  

2200V PowiGaN技术的成功 让GaN拥有挑战SiC的可能

  • 2026 年 8 月 5 日，Power Integrations（PI）正式发布2200V PowiGaN共源共栅氮化镓技术，虽然本次仅为技术验证发布，对应商业化产品仍处于研发阶段，但标志着商用氮化镓耐压上限实现跨越式突破。回顾 PI 高压氮化镓迭代路线：2018 年 750V、2022 年 900V、2023 年 1250V、2024 年 1700V，本次 2200V 规格彻底拉开与市面 200~900V 平面增强型 GaN 的代差，成为当前全球唯一量产化 900V 以上氮化镓技术路线。传统氮化镓受硅
  • 关键字： 2200V   PowiGaN   GaN   SiC  

创新立足需求 技术落地价值 英飞凌深耕中国助推产业升级

  • 2026年作为“十五五”开局之年，我国产业发展迈入高效化、低碳化、智能化的全新迭代周期，智能网联新能源汽车、算电协同、新型电力系统、具身智能等新赛道不断崛起，半导体作为产业数字化与电气化融合的核心纽带，战略价值持续凸显。但是我国半导体产业也面临着诸多现实挑战：高端功率半导体结构性供给不足、技术生态迭代提速、市场供需错配等问题，我们该如何依托技术创新、本土化深耕破解产业痛点、实现价值突围，成为产业发展核心命题。近日，“英飞凌2026媒体日”在上海张江科学城举办，英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、消费计
  • 关键字： 英飞凌   英飞凌2026媒体日   碳化硅   SiC   氮化镓   GaN   MCU  

Littelfuse更新汽车级功率器件保护方案，48V与高压平台拉动保护需求

  • 随着汽车电气架构向48V、800V和更高功率密度演进，保护器件在整车系统中的位置正在被重新审视。Littelfuse持续更新面向汽车级功率器件、电池系统和高压电源链路的保护方案，反映出一个趋势：智能电动汽车的可靠性竞争，不只发生在主芯片、功率模块和电池包上，也发生在过压、过流、浪涌、短路和热失效保护这些基础环节中。电动化和智能化让车内电源网络更复杂。传统12V系统之外，48V轻混、电子涡轮、主动悬架、线控制动、热管理、座舱舒适系统和大功率泵类负载不断增加；高压平台则连接动力电池、逆变器、OBC、DC-DC
  • 关键字： Littelfuse   汽车保护器件   高压保护   48V系统   800V平台   TVS   保险丝   SiC   GaN   汽车电子  

适配AI算力电源变革 罗姆SiC/GaN赋能数据中心供电架构升级

  • 未来，AI数据中心的算力瓶颈最终将是电力，电力传输系统是算力提升的关键约束，AI数据中心的电源系统从传统48V架构在逐渐过渡到HVDC供电架构，并在往SST（固态变压器）的最终形态转变。而宽禁带半导体（SiC和GaN）在这些高压电力转换过程中可以充分发挥其高压高频高速的材料和器件特性。作为全球功率半导体标杆企业，罗姆半导体是如何应对这场功率变革的呢？近日，EEPW电子产品世界的记者采访了罗姆半导体（上海）有限公司深圳分公司技术中心高级经理苏勇锦。罗姆半导体（上海）有限公司深圳分公司技术中心高级经理&nbs
  • 关键字： 202608   AI算力电源   罗姆   ROHM   SiC模块   数据中心供电   SiC MOSFET   GaN HEMT  

尺寸缩小 50%、效率不打折：集成式 GaN 转换器的四大关键进展

  • 引言对于更高功率密度的推动将继续影响大电流电源的每个主要设计决策。数据中心和计算基础设施的发展速度正在让传统电源架构面临压力。从机器人技术到测试和测量设备，工程师都面临着同样的根本性挑战：在不牺牲效率的情况下，以更小的空间提供更大的功率。多年来，硅基开关转换器和分立式功率 FET 设计拓展了中电压、高电流应用的可能性。但是，随着开关频率的增加和尺寸的缩小，硅 FET 的基本限制（导通状态电阻更高、反向恢复损耗和寄生电荷更大）成为实现设计目标的主要障碍。电力电子行业花费了超过 15 年的时间投资，开发和验证
  • 关键字： TI   GaN   转换器  

AI算力电源迭代提速 SiC/GaN解锁数据中心高效能新范式

  • 随着AI大模型、生成式AI技术持续落地，全球AI算力需求迎来爆发式增长，与AI配套的数据中心电源也异军突起，AI机架功率向千安级电流和1000kW级别狂飙，传统功率器件已难以满足需求。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带功率器件，叠加配套栅极驱动芯片、系统设计工具，成为行业突破技术壁垒、抢占市场先机的核心赛道。SiC、GaN 的应用优势和迭代趋势如何？功率半导体厂商的落地进展和未来布局如何？近日，EEPW电子产品世界记者专访了头部厂商——安森美电源方案事业部业务拓展经理Sean G
  • 关键字： 202608   AI算力电源   SiC   GaN   AI数据中心  

Infineon与LS ELECTRIC合作，AI数据中心供电从器件走向DC基础设施

  • Infineon 与 LS ELECTRIC 围绕 AI 数据中心和下一代电网签署合作备忘录，合作方向包括高效率直流电力基础设施、储能、电力转换、固态变压器和固态断路器。此次合作也反映出，AI 数据中心供电正逐步从单一器件优化，延伸至电力链路和系统架构协同。Infineon 与韩国电气设备企业 LS ELECTRIC 近日签署合作备忘录，双方将面向 AI 数据中心和下一代电网，推动高效率直流电力基础设施相关技术研发与产业合作。公开信息显示，合作重点包括储能、电力转换系统、固态变压器和固态断路器等方向。AI
  • 关键字： Infineon   LSELECTRIC   AI数据中心   固态变压器   固态断路器   SiC   GaN   储能   AI  

Wolfspeed对Navitas提起专利诉讼

  • 企业发起维权，捍卫氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)相关知识产权Wolfspeed已向美国特拉华州联邦地区法院提起诉讼，指控Navitas侵犯其多项专利权。本次诉讼指出，Navitas多款主力产品侵犯了Wolfspeed多项美国专利，专利号分别为：8169005、10998418、10886396、10749443、11888392。被诉侵权产品覆盖Navitas核心产品线，包含旗下氮化镓场效应管系列（GaNFast、GaNSlim、GaNSafe 产品家族），同时涉及Navitas GeneSiC 碳化
  • 关键字： Wolfspeed   Navitas   专利诉讼   GaN   氮化镓  

美国国际贸易委员会（US ITC）最终裁定确认维持，禁止英诺赛科侵权的氮化镓产品进入美国市场

  • 随着总统审查期结束，美国国际贸易委员会（US ITC）全体委员会于2026年5月7日作出的最终裁定获确认维持并正式生效。该裁定确认英诺赛科侵犯了英飞凌一项涉及氮化镓（GaN）的技术专利，因此对英诺赛科相关侵权产品实施进口及销售禁令。英飞凌科技高级副总裁、氮化镓系统业务线负责人 Johannes Schoiswohl 表示：“此次裁决再次彰显了英飞凌在知识产权体系方面的坚实基础，也进一步体现了我们积极保护英飞凌专利组合、维护行业公平竞争环境的承诺。凭借业界领先的300毫米氮化镓制造能力，我们具备独特优势，能
  • 关键字： 英飞凌   英诺赛科   氮化镓   GaN  

2026慕尼黑上海电子展前瞻：从汽车、机器人到AI数据中心，元器件如何进入系统级应用

意法半导体新GaN半导体器件提升能效，主打AI服务器、机器人等高需求应用

氮化镓功率器件迎来产业升级

  • 新研究表明：低压工况下氮化镓器件安全性提升、损耗进一步降低，但面向高压工业场景仍存在诸多技术难题。核心要点氮化镓器件凭借优异耐压性能，市场渗透率持续攀升；芯粒（Chiplet）等新型架构可实现更快开关速率，同时降低功率损耗；氮化镓率先落地低压消费电子领域，工业级高压应用仍需大量技术攻关。随着电能逐步替代化石能源渗透各行各业，系统设计人员亟需可耐受更高输入电压、扛住短路与过电压尖峰冲击的功率开关与变流器。氮化镓（GaN）等宽禁带半导体凭借更高击穿场强与导热系数，可满足高功率密度产品设计需求，备受器件研发人员
  • 关键字： 氮化镓   功率器件   GaN  

机器人灵巧手背后，哪些关键器件最重要？

英飞凌加入 NVIDIA MGX™ AI Factory 生态系统，携手推动下一代 AI 服务器机架供电架构

  • 全球功率系统与物联网半导体龙头企业英飞凌科技股份公司（德交所代码：IFX / 场外交易代码：IFNNY）正式宣布加入英伟达（NVIDIA）MGX AI工厂生态体系，助力下一代AI数据中心完成供电架构迭代升级。英飞凌全套电源管理解决方案，将全面适配英伟达MGX™架构与800伏直流（800 VDC）供电体系。该体系是面向智能AI时代、专为AI工厂打造的开放式模块化参考架构。适配800 VDC标准的MGX电源机架，不仅能够提升现有AI基础设施的算力与功率密度，也为未来AI算力集群的迭代升级提供了清晰的技术路径。
  • 关键字： 英飞凌   英伟达MGX   800VDC   高压直流供电   AI服务器   机架供电架构   GaN   SiC   电源管理  

东芝推出面向工业设备、最高工作温度达125°C的四通道高速标准数字隔离器

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出面向工业设备的DCL54xx01A系列四通道高速标准数字隔离器，扩展数字隔离器产品线。该系列共10款新产品，采用SOIC16–W封装，最高工作温度可达125°C。即日起开始批量出货。  随着碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件的广泛应用，能够在高温条件下运行的工业设备设计已变得切实可行。然而，在隔离信号传输中，输入与输出之间的电气噪声可能导致故障，因此市场对于兼具高抗噪能力与高可靠性、并可实现稳定控制信号传输的隔离器件需求日
  • 关键字： 数字隔离器   东芝   工业半导体   SiC/GaN   电机控制  

借助亚德诺控制器简化氮化镓电源转换设计

  • 采用氮化镓（GaN）场效应管的电源转换器，相比传统硅基场效应管，在转换效率与功率密度上实现大幅提升，但同时也带来了全新的设计难点。氮化镓器件开关速度极快，哪怕是微小的时序误差、电压偏差，都会被放大，进而影响设备性能与运行可靠性。氮化镓的开关跳变速度，已经超出传统控制方案与测量设备的能力范围。设计人员必须精准管控栅极电压，其安全工作区间通常仅为 + 6V ~ -4V；同时器件电压转换速率可超过 30V/ns，对电路控制要求极高。氮化镓场效应管本身的功耗远低于硅管。举例来说，采用 100V 规格氮化镓管搭建的
  • 关键字： 氮化镓   GaN   场效应管   栅极驱动   自举电路   电磁干扰   LTC789x  

PI TOPSwitchGaN将回激转换器的功率范围提升至440W

  • Power Integrations研发的反激拓扑架构取得技术突破，将反激变换器的功率适用范围拓展至440 瓦，可有效降低系统成本、设计复杂度与开发周期，性能超越结构更复杂的传统谐振及 LLC 拓扑方案。TOPSwitchGaN 反激 IC 系列融合了公司自研PowiGaN 氮化镓技术与经典 TOPSwitch 芯片架构。全新拓扑不仅简化电路架构、缩短设计周期，还可让多数应用省去散热片。该系列器件堪称电源设计的根本性变革，把反激电源带入以往无法企及的功率区间，以极简架构实现高效率与高性能表现。TOPSwi
  • 关键字： PI   TOPSwitch   GaN   回激转换器   440W  

中国GaN半导体巨头专利侵权案ITC作出终裁

  • 美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会维持了其于2025年12月作出的初步裁定，确认英诺赛科（Innoscience）侵犯了英飞凌的一项氮化镓（GaN）技术专利，并下令对英诺赛科实施进口和销售禁令。不过，ITC委员会的最终裁决及其颁布的相关禁令，仍需经过为期60天的美国总统审查期后才能生效。而作为对终裁的回应，英诺赛科宣布，ITC在第337‑TA‑1414号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的GaN功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。原文如下：ITC全体委员一致同意英
  • 关键字： GaN   氮化镓   功率器件   英诺赛科   Innoscience   英飞凌  

800V AI算力时代，GaN从“备选”变“刚需”？

  • AI算力正以每3.4个月翻一番的速度狂飙，全球数据中心用电量持续攀升，预计到2030年将占全球耗电量的7%，电力已成为制约AI产业发展的核心瓶颈。单机柜功率从传统的5-8kW跃升至数百kW，GPU功耗不断突破上限，供电链路的损耗、散热压力与空间占用，成为算力扩张路上绕不开的难题。行业迫切需要一场供电架构革命，去年5月，英伟达率先给出了答案——自2027年起推动机架电源从54V直流全面转向800V高压直流架构，以支撑单机架功率超1MW的下一代超大规模AI算力部署。800V架构的核心价值，是通过提升母线电压大
  • 关键字： 800V   GaN  

Vishay推出适用于GaN和SiC开关应用EMI滤波的新型航天级共模扼流圈

  • 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2026年4月15日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款新型航天级表面贴装共模扼流圈---SGCM05339，适用于严苛航空航天应用电磁干扰（EMI）滤波和噪声抑制。 Vishay定制磁芯SGCM05339是GaN和SiC开关应用的理想选择，这类应用的波形会出现锐边，导致电磁辐射干扰。共模扼流圈还可用于低电流立式电源、分布式电源系统DC/DC转换器，以及太阳能电池
  • 关键字： Vishay   GaN   SiC   开关   EMI滤波   航天级   共模扼流圈  

英特尔推出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒

  • 4 月 9 日，英特尔代工服务（Intel Foundry Services）宣布重大技术突破，成功研发出全球最薄氮化镓（GaN）芯粒。其硅衬底厚度仅19 微米，约为人类头发丝直径的 1/5。该芯粒基于300 毫米（12 英寸）硅基氮化镓晶圆制造，采用英特尔自研隐切减薄工艺，在实现极致超薄形态的同时，保持结构完整性与性能稳定性。更具突破性的是，团队首次实现氮化镓功率晶体管与硅基数字逻辑电路的单片集成。通过将复杂计算功能直接嵌入电源芯粒，无需额外辅助芯片，大幅简化系统架构并降低组件间能量损耗。性能测试结果显
  • 关键字： 英特尔   氮化镓   GaN   芯粒  

意法半导体推出氮化镓高速半桥栅极驱动器

  • 意法半导体（ST）发布两款全新高速半桥栅极驱动器，可将氮化镓（GaN）的高效性、热性能与小型化优势，广泛应用于各类电源及运动控制领域。STDRIVEG212 与 STDRIVEG612 可向增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（eGaN HEMT）输出精准受控的 5V 栅极驱动信号，高端工作电压分别最高支持 220V 与 600V。两款驱动器集成度极高，在紧凑的 QFN 封装内集成了高端与低端 5V 线性稳压器（LDO）、高端自举二极管，以及欠压锁定（UVLO）等保护功能。内置的快速启动稳压器可稳定驱动器输出级
  • 关键字： STDRIVEG212   STDRIVEG612   意法半导体   氮化镓   GaN   高速半桥栅极驱动器  

第三代半导体的战略意义：SiC和GaN如何突破硅基芯片的战场局限

  • 很多人想不明白为何美国以军事用途为由列举出海量的半导体禁运名单中，其中绝大部分并不是最先进的处理器，而是很多看似工艺并不先进的模拟类芯片。半导体作为现代信息技术的基石，其技术迭代直接推动国防装备的性能跃升。从第一代硅（Si）半导体到第二代砷化镓（GaAs）半导体，再到以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体，每一次材料体系的革新，都为国防军事装备带来革命性变化。与前两代半导体相比，第三代半导体具备高饱和电子迁移速率、高击穿电压、高热导率、抗辐射等核心优势，完美适配高温、高压、高频、大
  • 关键字： 第三代半导体   SiC   GaN   硅基芯片   202603  

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