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SiC开始加速批量上车
- 在新能源汽车技术的演进历程中，碳化硅（SiC）技术已成为推动行业发展的关键力量。作为第三代半导体的代表材料，SiC 凭借其卓越的性能优势，已深度融入新能源汽车的核心系统，开启了新能源汽车性能提升与技术创新的新篇章。从高端豪华车型到大众普及款，从纯电动到混合动力，SiC 技术的应用范围不断拓展，正以前所未有的速度实现批量上车，重塑新能源汽车的技术格局与市场竞争态势。碳化硅实现多价格区间车型覆盖SiC 技术已成为车企在新能源汽车赛道上差异化竞争的核心要素，如今已广泛覆盖 10 万至 150 万元价格区间的车型
- 关键字： SiC
SiC衬底市场 去年营收减9%
- TrendForce最新研究，2024年汽车、工业需求走弱，SiC基板出货量成长放缓，与此同时，市场竞争加剧，产品价格大幅下跌，导致2024年全球N-type（导电型）SiC基板产业营收年减9%，为10.4亿美元。进入2025年，即便SiC基板市场持续面临需求疲软、供给过剩的双重压力，然而，长期成长趋势依旧不变，随着成本逐渐下降、半导体元件技术不断提升，未来SiC应用将更为广泛，特别是在工业领域的多样化。 同时，市场竞争激烈的环境下，加速企业整合，重新塑造产业发展格局。TrendForce分析各供应商营收
- 关键字： SiC 衬底 TrendForce
内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块被SMA的太阳能系统采用
- 全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称“SMA”）在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模太阳能发电设施、储能系统以及下一代技术设计的模块化平台，旨在进一步提高电网的效率和稳定性。罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示：“罗姆新型2kV耐压SiC MOSFETs是为1,500V DC链路实
- 关键字： 罗姆 ROHM SiC MOSFET 功率模块 太阳能
南芯科技推出车规级高速CAN/CAN FD协议收发器
- 近日，南芯科技宣布推出车规级高速 CAN/CAN FD 收发器 SC25042Q，适用于12V 和 24V 汽车系统，可直接连接 3V-5V 的微控制器，支持高达 5Mbit/s 的数据传输速率。SC25042Q 集成了振铃抑制功能，抗电磁干扰能力强，可实现无损时间传输，保证信号的高效可靠。该产品通过 AEC-Q100 认证，符合 ISO 11898-2:2016、SAE J2284-1 至 SAE J2284-5 标准，为车规级接口提供了高性能、高性价比的国产化选择。全国产化产品，重塑车载CAN总线随着
- 关键字： 南芯科技 CAN/CAN FD 协议收发器
清纯半导体和微碧半导体推出第3代SiC MOSFET产品
- 近日，清纯半导体和VBsemi（微碧半导体）分别推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET产品平台，标志着功率半导体技术在快充效率、高功率密度应用等领域取得了重大突破。01清纯半导体推出第3代SiC MOSFET产品平台4月21日，清纯半导体官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ，比导通电阻系数Rsp达到2.1 mΩ·cm²，处于国际领先水平。source：清纯半导体（图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rs
- 关键字： 清纯半导体 微碧半导体 第3代 SiC MOSFET
SiC MOSFET如何提高AI数据中心的电源转换能效
- 如今所有东西都存储在云端，但云究竟在哪里？答案是数据中心。我们对图片、视频和其他内容的无尽需求，正推动着数据中心行业蓬勃发展。国际能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行业的迅猛发展正导致数据中心电力需求激增。预计在 2022 年到 2025 年的三年间，数据中心的耗电量将翻一番以上。 这不仅增加了运营成本，还给早已不堪重负的老旧电力基础设施带来了巨大的压力，亟需大规模的投资升级。随着数据中心耗电量急剧增加，行业更迫切地需要能够高效转换电力的功率半导体。这种需求的增长一方面是为了降低运营成本
- 关键字： SiC MOSFET AI数据中心 电源转换能效
是什么让SiC开始流行？
- 碳化硅是一种众所周知的坚硬和复杂的材料。用于制造 SiC 功率半导体的晶圆生产利用制造工艺、规格和设备的密集工程来实现商业质量和成本效益。必要性与发明宽禁带半导体正在改变电力电子领域的游戏规则，使系统级效率超越硅器件的实际限制，并带来额外的技术特定优势。在碳化硅 （SiC） 的情况下，导热性、耐温能力和击穿电压与通道厚度的关系优于硅，从而简化了系统设计并确保了更高的可靠性。由于它们的简单性，SiC 的孕育使二极管领先于 MOSFET 进入市场。现在，随着技术进步收紧工艺控制、提高良率并
- 关键字： SiC
Nexperia推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200V SiC MOSFET
- Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力，确保优异的散热效果。此次新品发布精准满足了众多高功率（工业）应用领域对分立式SiC MOSFET不断增长的需求，该系列器件借助顶部散热技术的优势，得以实现卓越的热性
- 关键字： Nexperia SiC MOSFET
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