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3d-nand 文章 最新资讯

SanDisk Q3意外由亏转盈 内存产业展望乐

  •   美国内存大厂SanDisk近日公布第3季财报,意外由亏损转为强劲获利,主要由于销售额优于预期,以及先前减记的库存收入回补加持。这也反映了内存制造商持续受惠于闪存芯片市场好转趋势。   据国外媒体报道,SanDisk第3季由去年同期的亏损1.659亿美元或每股74美分,改善为获利2.313亿美元或每股99美分。去除特殊项目后,每股获利则为76美分,优于分析师预期的每股26美分。   该季营收增长14%至9.352亿美元,远优于公司今年7月份预估的介于7.25-7.75亿美元,以及分析师预期的7.87
  • 关键字: SanDisk  NAND  闪存芯片  

力晶成立TFC 抛出NAND Flash深水炸弹规划投入200亿元

  •   “经济部”「DRAM产业再造计画」20日最后截止日期,却出现戏剧性变化!台塑集团旗下南亚科和华亚科宣布不送件,形同退出这次计画;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company),并将这次台湾存储器产业整合规模推升到NAND Flash格局,反将了台湾创新存储器公司(TIMC)一军。力晶董事长黄崇仁表示,2010年将投入40奈米制程量产NAND Flash,且100%为自有技术,比任何同业都符合“经济部”所要求技术扎根条件,未来力晶
  • 关键字: 力晶  DRAM  存储器  NAND   

镁光34nm企业级MLC/SLC NAND闪存明年初量产

  •   镁光34nm制程企业级MLC/SLC NAND闪存芯片已经进入试样阶段,MLC部分的存储密度可达32Gb,写入寿命达3万次,是普通MLC产品的6倍;SLC部分存储密度为16Gb,写入寿命同样为3万次,是普通SLC产品的3倍.   镁光这次开发成功的34nm MLC/SLC闪存芯片支持ONFI2.1接口规范(Open NAND Flash Interface),数据传输率最高可达200MB/S,而且可以采用闪存封装内部集成多片闪存芯片的封装方案。   镁光表示,明年初这两种闪存芯片便可正式量产。
  • 关键字: 镁光  NAND  闪存芯片  34nm  

从CEATEC看2010电子大势(四)

  • 液晶电视与电浆电视在高画质、大屏幕和薄型化的竞赛仍在发生,但上文中提到,日本电视机大厂在今年的CEATEC中,纷纷揭橥明年将迈向Full HD 3D的电视世代。本文中将进一步解析他们将如何做到对3D电视的承诺,以及未来的发展方向
  • 关键字: CEATEC  3D  DLNA  Sony  东芝  

市场供货吃紧,NAND闪存合约价持续上扬

  •   研究机构集邦科技(DRAM eXchange)表示,10月上旬主流MLC NAND Flash合约均价上涨约8%~10%,主要原因是多数供货商已接获部份电子系统厂客户10月到11月的旺季长单,同时近期记忆卡客户的旺季备货需求,因此NAND Flash市场供货吃紧,在卖方主导市场下,10月上旬NAND Flash合约价持续地上扬。        16Gb MLC NAND Flash合约价走势图   集邦科技指出,在10月到11月,多数NANDFlash供货商份仍将优先供货给电子系
  • 关键字: NAND  存储  闪存  

3M推出新型3D光学膜,增强手持设备立体显示功能

  •   近日,在韩国国际电子展上,全球创新巨头 3M 公司展示了其全新研制的场序 3D 光学膜,该产品的面试实现了无需佩戴 3D 眼镜,就可以在手机,游戏机及其他手持设备中显示真正的三维立体影像。   “最近几年,随着类似触摸屏和流视频等新技术应用,显著地提升了移动设备的功能。3M 在推动这些新技术的应用中功不可没,而且我们正在使 3D 立体显示等新一代应用功能成为现实”。3M 光学产品部全球副总裁 Jim Bauman 先生说,“我们的 3D 光学膜解决方案通过为用户提
  • 关键字: 3M  3D  光学膜  

从CEATEC看2010电子大势(三)

  • 从手机到智能行动上网设备,再更大的尺寸则是英特尔与微软主导的PC、NB市场。英特尔这次在CEATEC也有一个展示区,展示各家的笔电、MID等产品,不过,由于产品的成熟度已高,比较没有特殊的新意
  • 关键字: CEATEC  手机  Windows  3D  触控  

NAND Flash缺翻天 三星推品牌记忆卡与民争食?

  •   2009年NAND Flash缺货缺翻天,三星电子(Samsung Electronics)在享有最大获利之余,不但对饱受缺货之苦的存储器模块厂袖手旁观,还要推出「SAMSUNG」自有品牌记忆卡产品来抢食客户饭碗,到底葫芦里是卖什么药?业界相当好奇!而原本应该站在反对立场的大客户创见,这次却成为三星自有品牌记忆卡的代理商,究竟整起故事的来龙去脉为何?连同业都有雾里看花之感,只能说三星2009年真的是新人事、新作风,每一步都让业界跌破眼镜!   与三星做生意的客户都知道,2009年不论在DRAM或是N
  • 关键字: 三星  NAND  Flash  

NAND Flash强势不坠 模块厂9月营收将再写新高

  •   NAND Flash产业受到苹果(Apple)备货和智能型手机内嵌存储器的带动,32Gb容量的MLC型NAND Flash均价大涨至7.5美元,存储器模块厂9月营收在NAND Flash和DRAM芯片价格双双大涨的带动下,预计可再次创下新高,同时第3季获利也将雨露均沾;群联9月营收续创历史新高,创见也受惠欧洲市场买气回笼,9月预计可达新台币30亿~35亿元水平,威刚更在PC OEM的DRAM模块订单涌入下,9月营收预估可达35亿~40亿元,劲永9月营收也将维持高档不坠。   NAND Flash现货
  • 关键字: Apple  NAND  智能手机  

三星DRAM芯片停止对台供货

  •   三星电子(Samsung Electronics)2009年随著新经营团队上任,营运策略出现不少重大转变,将影响存储器产业生态,三星日前决定全面停止对台销售DRAM芯片,一律只销售DRAM模块。存储器厂表示,三星策略明显侧重OEM市场,减少与现货客户合作,就连NAND Flash芯片供货策略,亦同样以消费性电子大厂为优先,尤其近期PC厂对于DRAM模块需求强劲,三星供应台湾DRAM模块数量大减,市场日前甚至喊出 1条DDR2模块40美元天价。   存储器业者指出,三星2009年在全球供货策略出现许多
  • 关键字: Samsung  DRAM  NAND  

NAND Flash强势不坠 模块厂9月营收将再写新高

  •   NAND Flash产业受到苹果(Apple)备货和智能型手机内嵌存储器的带动,32Gb容量的MLC型NAND Flash均价大涨至7.5美元,存储器模块厂9月营收在NAND Flash和DRAM芯片价格双双大涨的带动下,预计可再次创下新高,同时第3季获利也将雨露均沾;群联9月营收续创历史新高,创见也受惠欧洲市场买气回笼,9月预计可达新台币30亿~35亿元水平,威刚更在PC OEM的DRAM模块订单涌入下,9月营收预估可达35亿~40亿元,劲永9月营收也将维持高档不坠。   NAND Flash现货
  • 关键字: Apple  NAND  智能手机  

数据中心和企业IT需求将推动SSD增长六倍

  •   据iSuppli 公司,虽然2009 年面向笔记本电脑的固态硬盘(SSD)销售因为内存价格飞涨而受挫,但企业市场对弥补上述领域的疲软表现是绰绰有余,从而推动今年整体SSD 市场的营业收入将增长六倍。   第二季度NAND 闪存的成本大幅上升,引起SSD 价格跳涨,使其与硬盘驱动器(HDD)相比缺乏竞争力,并影响其在笔记本电脑中的普及。 NAND 闪存是SSD 中的关键部分,约占其价值的90%。然而,对于寻求扩展功能和降低整体功耗的企业数据中心来说,SSD 仍然是一个具有吸引力的选择。   由于企业
  • 关键字: NAND  SSD  PC  

后摩尔定律时代

  • 知名物理学大师费曼早在多年前就预测:「其实下面还有许多空间」,英特尔科学家摩尔也据此提出晶圆效能与密度每18个月就会扩增一倍的「摩尔定律」。虽然多年来半导体工业随着摩尔定律而蓬勃发展
  • 关键字: 3D  SiP  Intel  NXP  英特尔  

IC资本支出依然谨慎 供应收紧价格上涨

  •   分析师指出,资本支出创下历史新低使IC市场供应收紧,价格可能随之上涨,但可能会发生其他不可预料的结果。   IC Insights总裁Bill McClean称,今年半导体资本支出在销售额中所占的比例降至12%,创历史新低。芯片商在经历了严重衰退后,对资本投入依然比较谨慎。   “我们还不知道资本支出比例12%意味着什么。”McClean说道,“我们从来没有遇到过这种情况。”   资本支出比例在2008年为16%,2004年至2007年均在20%至
  • 关键字: NAND  DRAM  

东芝Sandisk计划明年启用2xnm制程量产闪存芯片

  •   据业者透露,东芝及其闪存合作伙伴SanDisk计划要在明年下半年开始采用20nm级别制程来量产NAND闪存芯片。另外两家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合资兴建的闪存芯片厂将逐月增大闪存芯片的产能,直至达到20万片的产能水平。   东芝公司最近已经开始32nm制程3bpc(每存储单元3bit数据)闪存芯片的量产,按原先的计划,合资的四日市芯片厂32nm制程芯片的产量应在今年底前达到总产量的50%左右,不过按目前的产能规划来看,实际的量产实施时间看来已经会有所拖延。   另一方面,对手In
  • 关键字: SanDisk  20nm  NAND  闪存芯片  
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