市场研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash销售额和出货量分别增长98%和67%，其他产品的业绩数据也十分健康，这说明产业已调头撞向V形反弹的上升阶段。
从今年1月到7月，IC市场销售额增长了43%，DRAM、MPU、模拟电路销售额分别增长61%、57%和50%。
爆炸式的增长率当然也与今年1月半导体市场业绩达到此轮衰退的最低点有关。
“IC产业复苏并不会是缓慢的，而是V形增长，目前上升周期已经开始。”IC Insights分析师
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DRAM NAND MPU 模拟电路
近日三星电子(Samsung Electronics)紧急通知台系存储器模块厂，9月对于台厂NAND Flash供货量将锐减50%，迫使部分存储器模块厂大老板紧急前往韩国调货;无独有偶地，美光(Micron)日前亦告知客户无货可供应，加上原本供货量有限的东芝(Toshiba)和海力士(Hynix)，目前NAND Flash产能呈现严重不足。存储器业者透露，主要是苹果(Apple)iPhone和iPod不断追加订单，加上手机大厂内建NAND Flash容量倍增，使得NAND Flash产能几乎被消费性大
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三星 NAND iPhone iPod
DRAM价格趋于稳定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，台厂面对这样美好的光景，心中还是有些疑虑，担心三星电子(Samsung Electronics)会从中作梗，破坏DRAM价格涨势，然现在苹果(Apple)强劲追加NAND Flash订单，且随著智能型手机价格平民化的趋势，未来内建高容量存储器普及，都让各界相当看好2010年NAND Flash市场前景，三星在喜迎苹果大单之余，也无暇与台系DRAM厂厮杀，暌违多年的DRAM和NAND Flash双好行情可望再现。
2009 年存储器产业触
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三星 DRAM NAND 存储器
根据国外媒体爆料，NAND闪存芯片制造商以及英特尔的合作伙伴美光科技可能会收购英特尔投资的NOR闪存制造商Numonyx。
这将使得英特尔能够摆脱掉Numonyx，而美光则可以藉此进入NOR闪存业务，并获得Numonyx的phase-change memory技术。
Numonyx是英特尔的合资公司，英特尔拥有其45%的股份，意法半导体持股49%。金融服务公司Francisco Partners持有其余股份，并在Numonyx 2008年成立时投资了1.5亿美元。闪存业务对英特尔和意法半导
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韩国三星电子计画于今年10月底前停止使用8寸晶圆生产DRAM，将DRAM的生产全数转为使用12寸晶圆，以藉由使用产能效率较高的大尺寸晶圆来提高DRAM的成本竞争力。
报导指出，三星电子计画于10月底前停止在美国德州奥斯丁(Austin)半导体工厂内生产使用8寸晶圆的DRAM，加上三星电子已于今年初停止京畿道华城工厂的8寸晶圆DRAM生产，故待奥斯丁工厂停止生产后，三星电子的DRAM生产将全数转为使用12寸晶圆。
彭博社曾于日前转述韩国网路媒体“E-Daily”报导指
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三星 DRAM 晶圆 NAND
全球最大NOR闪存芯片供应商之一恒忆(Numonyx)宣布，该公司已于7月12日与上海外高桥保税区签署厂房租赁合同，正式投资落户上海。今天上午，恒忆总裁兼首席执行官Brian Harrison专程赴沪考察上海研发中心新址，并拜会了外高桥保税区管委会主任助理、功能区域党工委副书记、管委会副主任简大年等领导。双方代表齐聚一堂，共同见证了这一重要历史时刻。
恒忆正式成立于2008年3月，是由英特尔(Intel)和意法半导体(STMicroelectronics)以各自的闪存部门组成的合资企业，拥有技术
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Numonyx NOR NAND RAM PCM
美国从事半导体相关市场调查的IC Insights发布预测称，NAND闪存市场将迎来价格上升局面。IC Insights预测，由于在需求增加的情况下各大厂商减少设备投资，造成供需紧张，因此到2012年之前平均销售价格将继续保持上升趋势。
IC Insights自1993年开始就NAND闪存市场进行调查以来，NAND闪存的供货量低于上年业绩的只有2001年一次。该公司预测，今后到2013年供货量将稳步增加。全球经济低迷的2009年也不会例外。
供货容量也将大幅增长。即使是全球经济低迷的200
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三星 NAND 闪存
在全球金融危机影响下，由于市场的萎缩导致大部分企业都不甚景气，向来红火的半导体业也感觉压力深重。在探讨未来如何发展之中，发现各种矛盾丛生，似乎很难作出决断。
投入多产出少，能持久吗?
SanDisk CEO Eli Harari于近期阐述了自己对于NAND闪存技术未来发展的几点看法，认为NAND闪存产业正处在十字路口，未来的产能需要和产品需求两者之间脱节，也即每年投资巨大, 然而由于ASP下降导致销售额没有相应的增大，利润越来越薄,目前糟糕的NAND闪存产业模式使得制造厂商对于建新厂已逐渐
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SEMI World Fab Forecast最新出炉报告，2009年前段半导体业者设备支出下滑，其中第1季的资本支出便较2008年第4季下滑26%至32亿美元。然而，资本支出在2009年第2季便已呈现落底，目前在整个产业供应链也已经看到稳定回升的讯号，其中晶圆代工厂2009年下半年扮演资本支出复苏推手，存储器晶圆厂、后段封测则跟进。
晶圆代工厂台积电宣布，增加2009年资本支出回复到2008年19亿美元的水平，比起原本的预测提高了26%左右。随后，台积电第2季的投资法人说明会上，台积电又进一步
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面临英特尔(Intel)和美光(Micron)阵营的压力，东芝(Toshiba)下半年积极转进32纳米的NAND Flash制程技术，东芝原本预计32纳米制程产量，在年底可达产能30%，但以目前进度来看，势必会延后量产时间点，其控制芯片供应商群联则表示，支持东芝32纳米的所有产品线都已经准备妥当，包括随身碟和记忆卡的控制芯片皆然，随时可进入量产阶段。此外，群联8月营收将持续成长，估计月增率可达10%以上，8月毛利率可微幅高于7月，整体第3季获利持续上扬。
东芝43纳米制程量产成熟，下半年积极转进
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东芝 32纳米 NAND
根据配备各种存储器的电子终端等的产量，笔者预测了2013年之前NAND型闪存和DRAM的需求走势。预测结果为，1990年代曾经拉动半导体元件投资增长的DRAM即将完成其使命，NAND型闪存将取而代之，一跃成为投资主角。
按8Gbit产品换算，NAND需求规模将达到400亿个
《日经市场调查》的调查结果显示，按8Gbit产品换算，2013年NAND型闪存的需求规模将达到约400亿个。这一规模相当于2008年的11倍左右。支持需求增长的产品是个人电脑用SSD(固态硬盘)。不过，SSD市场要到2
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三星 DRAM NAND
在今后的2年～3年内，NAND闪存的集成度仍将保持目前的发展速度。具体来说，到2011年～2012年，通过采用2Xnm的制造工艺与3位/单元～4位/单元的多值技术，NAND闪存很有可能实现128Gb的容量。
但是，如果要实现超过128Gb的更大容量，恐怕就需要全新的技术。目前正在量产的NAND闪存通常都使用浮栅结构的存储单元。许多工程师也认为，2011年～2012年将量产的2Xnm工艺及其后的20nm工艺仍可采用现有的浮栅结构的存储单元。但据SanDisk公司分析，当工艺发展到20nm以下时，从
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SanDisk 20nm NAND
随著TMC股东和班底逐渐浮上台面，美光(Micron)和台塑集团将加速送出整合计画书，美光在台代表暨华亚科执行副总勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不会成功，即使成功亦不会解决台湾DRAM产业问题，但台系DRAM厂并不会步上奇梦达(Qimonda)后尘，因为台湾12寸厂产能相当吸引人，不会像奇梦达倒了都还找不到买主，而美光在台湾DRAM产业布局策略，除华亚科之外，亦将寻求与其它DRAM厂合资(JV)机会。
现阶段TMC还未有产能奥援，初期定位以利基型存储器公司作出发，采取尔必
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美光 DRAM NAND
三星电子正计划对美国德克萨斯州奥斯汀的一处内存芯片工厂进行升级改造，这一过程中将裁员500人。
三星奥斯汀半导体公司将投资5亿美元将对该工厂进行改造。该工厂将于10月份关闭，改造工作将于2009年末至2010年初开始。
今年早些时候，三星奥斯汀半导体公司在三星电子的大规模重组中裁员20人。该公司在当地拥有两家工厂，分别生产DRAM内存芯片和NAND闪存芯片。
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