台湾DigiTimes报道，数家内存厂商最近聚集在台北探索建立对大陆和台湾的固态存储产业共同标准，与会者们预计随着制程逐渐过渡到20nm，NAND闪存价格将出现大幅下跌，最终实现一个可负担的水平，不过这一时间点被认为是2011年以后。
此外，来自大陆的工业代表敦促尽快发展和规范SSD的规格，以解决来自国际供应商控制的核心技术。
去年Fusion-io公司首席科学家Steven Wozniak曾表示，他并不认为SSD硬盘会很快就能替换普通硬盘。不过由于SSD硬盘功耗更低，同时性能更高，也不需
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NAND SSD
由于传出大客户苹果(Apple)开始减少下单，加上原本三星电子(Samsung Electronics)供应NAND Flash数量相当有限，12月供应量控制亦开始松动，以及白牌记忆卡在市面上流通数量增加，使得淡季需求明显反映在现货及合约价上，近2个月NAND Flash价格从高档连续缓跌，累计回档幅度相当深。不过，多数存储器业者认为，由于价格跌幅已大，预计后续再大跌机率不大，25日NAND Flash 11月下旬合约价开出，便呈现持平到小跌局面。
存储器业者表示，苹果对于NAND Flash供
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苹果 NAND SSD
市场研究机构水清木华日前发布“2009年手机内存行业研究报告”指出，NOR闪存在512Mb是个门槛。高于350Mb，NOR闪存的成本飞速增加。同时，NOR闪存的应用领域单一，应用厂家很少;而NAND闪存则容量越大，成本优势越明显，应用领域更广泛，应用厂家也多。手机市场变化迅速，现在每一款手机的生命周期通常都小于5年，NOR最强大的优势“长寿”也不复存在。尽管NOR闪存的成本在进入65纳米后也大幅度下降，但是专心NOR领域的只有Spansion。而NAND
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手机 NAND NOR
尽管IC产业在步入2009年的时候还是前景迷茫，但在岁末之际，曾深受经济危机影响的存储产业终于看到了复苏的曙光。面对市场可预期的需求增长，恒忆 (Numonyx) 通过两方面的举措响应市场需求，扩充产能。一是通过从高节点技术向低节点技术的制程升级，进一步扩大位级产能;二是充分发挥“灵活资产(Asset Smart)”策略的优势，与合资晶圆厂、代工伙伴一起增加产能。
展望2010年的市场前景，主管恒忆亚洲区嵌入式业务及渠道的销售副总裁龚翊表示：“作为全球存储器解
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Numonyx NAND NOR闪存 PCM
尽管 IC 产业在步入 2009 年的时候还是前景迷茫，但在岁末之际，曾深受经济危机影响的存储产业终于看到了复苏的曙光。面对市场可预期的需求增长，恒忆 (Numonyx) 通过两方面的举措响应市场需求，扩充产能。一是通过从高节点技术向低节点技术的制程升级，进一步扩大位级产能;二是充分发挥“灵活资产(Asset Smart)”策略的优势，与合资晶圆厂、代工伙伴一起增加产能。
展望2010年的市场前景，主管恒忆亚洲区嵌入式业务及渠道的销售副总裁龚翊表示：“作为全球
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Numonyx NAND NOR闪存
市场研究机构水清木华日前发布"2009年手机内存行业研究报告"指出,NOR闪存在512Mb是个门槛.高于350Mb,NOR闪存的成本飞速增加.同时,NOR闪存的应用领域单一,应用厂家很少;而NAND闪存则容量越大,成本优势越明显,应用领域更广泛,应用厂家也多.手机市场变化迅速,现在每一款手机的生命周期通常都小于5年,NOR最强大的优势"长寿"也不复存在.尽管NOR闪存的成本在进入65纳米后也大幅度下降,但是专心NOR领域的只有Spansion.而NAND领域,三
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三星 NAND NOR RAM
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术，看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘，结果选出了两个最有希望的候选 者：相变随机存取存储(PCRAM)、自旋极化随机存取存储(STTRAM)。
PCRAM我们偶尔会有所耳闻。它基于硫系玻璃的结晶态和非结晶态相变属性，单元尺寸较小，而且每个单元内能保存多个比特，因此存储密度和成本
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NAND 闪存 相变存储
2008年DRAM产业跌落谷底，台湾DRAM厂开门做生意平均每天亏新台币1亿元，且庞大的负债成为台湾科技产业的巨大问题，因此经济部为挽救台湾内存演产业，宣布要进行产业再造，成立台湾内存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因为此名字已被其它公司注册，因此改名为Taiwan Innovation Memory Company，简称为TIMC。
TIMC正式于2009年7月31日登记成立，董事长为联电荣誉副董事长宣明智，带领台湾内存产业再造的任务，目的在于协助台湾DRAM产
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TIMC DRAM NAND Flash
美光科技股份有限公司日前宣布，该公司将业界一流的34纳米4Gb单层单元NAND闪存与50纳米2Gb LPDDR相结合，生产出了市场上最先进的NAND-LPDDR多芯片封装组合产品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封装产品以智能手机、个人媒体播放器和新兴的移动互联网设备为应用目标。较小的外形尺寸、低成本和节能是这类应用的核心特色。
美光公司目前向客户推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封装试用产品，预计于2010年初投入量产。4Gb NAND-2Gb LPDDR组合
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美光 NAND 34纳米 智能手机
10月28日消息，据国外媒体报道，全球最大的记忆体芯片制造商韩国三星电子周三表示，该公司目标要在三年内将半导体业务营收提高逾50%，并对2010年记忆体市场发表乐观的看法。
三星电子将在周五公布第三季财报。该公司估计，今年半导体业务营收为166亿美元，并称目标要在2012年达到255亿美元营收。
三星指出，明年动态随机存取记忆体(DRAM)和NAND快闪记忆体(闪存)芯片将出现小规模短缺情况。
韩国三星半导体事业群总裁劝五铉在一项高层主管会议上发表上述预估，公司发言人士也确认了这项消
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三星 NAND 存储
英特尔和芯片技术公司Numonyx本周三发布了一项新技术.这两家公司称,这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限,使加工工艺缩小到5纳米,从而更加节省成本.
英特尔研究员和内存技术开发经理Al Fazio星期三向记者解释说,这种技术产生的堆叠内存阵列有可能取代目前DRAM内存和NAND闪存的一些工作.这种技术甚至能够让系统设计师把一些DRAM内存和固态内存的一些存储属性缩小到一个内存类.
This image shows phase-change memory bu
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Intel 5纳米 DRAM NAND
最近几个月来，DRAM价格连连上涨，同时也拉升了NAND Flash颗粒的价格。各大晶圆厂和模组厂也都连连传出利好消息。虽然各大内存厂商的产品订单和资金流相较2009年年初的金融海啸时期已经有较大起色，但是这内存的价格上涨也波及到了电子卖场中的零售价格。那么究竟现在的内存产品是怎样的一个局面呢，下面小编就给大家来个深度分析，给你讲讲这里面的道道。
9月DRAM价格猛增13% Flash亦涨4%
9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均报价约为 1.70 美元，较上个月多出了近 13%。D
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NAND DRAM 内存 存储
美国内存大厂SanDisk近日公布第3季财报，意外由亏损转为强劲获利，主要由于销售额优于预期，以及先前减记的库存收入回补加持。这也反映了内存制造商持续受惠于闪存芯片市场好转趋势。
据国外媒体报道，SanDisk第3季由去年同期的亏损1.659亿美元或每股74美分，改善为获利2.313亿美元或每股99美分。去除特殊项目后，每股获利则为76美分，优于分析师预期的每股26美分。
该季营收增长14%至9.352亿美元，远优于公司今年7月份预估的介于7.25-7.75亿美元，以及分析师预期的7.87
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SanDisk NAND 闪存芯片
“经济部”「DRAM产业再造计画」20日最后截止日期，却出现戏剧性变化!台塑集团旗下南亚科和华亚科宣布不送件，形同退出这次计画;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并将这次台湾存储器产业整合规模推升到NAND Flash格局，反将了台湾创新存储器公司(TIMC)一军。力晶董事长黄崇仁表示，2010年将投入40奈米制程量产NAND Flash，且100%为自有技术，比任何同业都符合“经济部”所要求技术扎根条件，未来力晶
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力晶 DRAM 存储器 NAND
镁光34nm制程企业级MLC/SLC NAND闪存芯片已经进入试样阶段，MLC部分的存储密度可达32Gb，写入寿命达3万次，是普通MLC产品的6倍;SLC部分存储密度为16Gb，写入寿命同样为3万次，是普通SLC产品的3倍.
镁光这次开发成功的34nm MLC/SLC闪存芯片支持ONFI2.1接口规范(Open NAND Flash Interface)，数据传输率最高可达200MB/S，而且可以采用闪存封装内部集成多片闪存芯片的封装方案。
镁光表示，明年初这两种闪存芯片便可正式量产。
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镁光 NAND 闪存芯片 34nm
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