- 据国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元(约合22亿美元)扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。
报道称，东芝当前还计划在2012年3月之前，为半导体产业投资总计5000亿日元。市场调研公司iSuppli上周发布研究数据显示，今年第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲，东芝表现最为抢眼，营收环比增长近50%。
iSuppli的报告称，全球NAND闪存市场第三季度的营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。
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东芝 NAND 闪存芯片
- 据台湾媒体报道，近期市场传出中芯国际将切割代管的成都厂及武汉厂等两地晶圆厂，而两座厂将可能由中芯前总裁张汝京出面统筹管理，张汝京等于找到了新舞台。
台湾媒体引述“内部人士”的话报道称，成都及武汉两地政府日前希望与中芯国际CEO王宁国见面，但王宁国未有正面回应，目前中芯切割两晶圆厂政策已是箭在弦上，成都市政府上周密会中芯前总裁张汝京，两地政府希望未来成都厂及武汉厂由张汝京出面统筹管理。
据报道，中芯在张汝京时代，曾与成都、武汉等两地方政府达成协议，成都市政府出资成立成
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中芯国际 晶圆 NOR NAND
- 据国外媒体报道，市场研究公司iSuppli最新研究数据显示，第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲，东芝表现最为抢眼，营收环比增长近50%。
全球NAND闪存市场第三季度的营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。东芝第三季度表现强于市场，其NAND闪存营收较第二季度的9.24亿美元增长了47.5%，达14亿美元。东芝在全球NAND闪存市场上位居第二，仅次于三星电子。
iSuppli资深分析师Michael Yang说：“东芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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东芝 NAND 闪存
- 东芝公司本周一发布了据称为业内最大容量的64GB嵌入式NAND闪存模组。这种模组内建专用的控制器，并内含16个采用32nm制程技术制作的32Gbit存储密度的闪存芯片，这种闪存芯片的厚度则仅有30微米。
这款内存模组产品装备在便携设备如iPod/智能手机等之上后，手机的存储容量将实现倍增。比如采用单闪存模组设计的iPhone的容量可由原来的32GB提升到64GB,而采用双闪存模组设计的iPod touch的最大容量则可达到128GB。
东芝本月将开始对外提供这种64GB嵌入式闪存模组的
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东芝 NAND 嵌入式 闪存模组
- 两大韩系内存厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)纷传出将大幅调高2010年资本支出，继三星预计投入30亿美元扩产及制程微缩后，海力士2010年资本支出亦将倍增至20亿美元，使得尔必达(Elpida)和美光(Micron)加紧脚步与台系DRAM厂合作，尽管过去喊出的台美日厂连手抗韩策略，在DRAM整合戏码停摆后没再被提起，但DRAM厂指出，实际上全球4大DRAM阵营板块运动，仍按照台美日厂连手抗韩局势发展。
随着三星和海力士都扩增2010年资本支出，隐约释出对
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Samsung DRAM NAND
- 台积电董事长张忠谋日前表示，台湾企业五年内成本将面临三大挑战，包括美元弱势引起的新台币汇率挑战，石油等原物料价格上涨引发的通膨，还有减碳增加的环保税负成本。
张忠谋只提到美元弱势，并没有说新台币有升值压力，张忠谋认为，全球经济都在复苏中，复苏力道缓慢，尽管景气慢慢复苏，但张忠谋认为，企业近中程的三大挑战相当严峻，所谓近中程大概是五年内，所以严峻因为是过去两年、甚至十年没遇见过。
第一个挑战是汇率。张忠谋说，台湾过去20年没有遭遇很大的汇率挑战，但美元愈来愈弱，这会是一个趋势，相对地新台币波
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台积电 芯片代工 DRAM NAND
- 12月上旬的存储器合约价格中，DRAM合约价意外持平开出，南亚科副总经理白培霖表示，主要是个人计算机(PC)厂急单涌入之故;而 NAND Flash合约价格则反应市场需求不佳，16Gb芯片价格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合约价格贴近现货价格水平，下游存储器业者都尽量减少库存水位，以免营运被跌价的NAND Flash芯片库存烫伤。
近期DRAM现货价格持续反弹，1Gb容量DDR2价格从2美元反弹至2.5美元，属于触底反弹，然整个市场的交易量是相当有限，反倒是原本各界预期12月上旬
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南亚科 NAND DRAM
- 12月9日消息，台积电董事长张忠谋昨日表示，台湾企业五年内成本将面临三大挑战，包括美元弱势引起的新台币汇率挑战，石油等原物料价格上涨引发的通膨，还有减碳增加的环保税负成本。
张忠谋只提到美元弱势，并没有说新台币有升值压力，张忠谋认为，全球经济都在复苏中，复苏力道缓慢，尽管景气慢慢复苏，但张忠谋认为，企业近中程的三大挑战相当严峻，所谓近中程大概是五年内，所以严峻因为是过去两年、甚至十年没遇见过。
第一个挑战是汇率。张忠谋说，台湾过去20年没有遭遇很大的汇率挑战，但美元愈来愈弱，这会是一个趋势
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台积电 芯片代工 DRAM NAND
- 据报道，为了更加快速的追赶台积电，三星计划将以后每年的代工芯片产能提高一倍直至达到台积电的规模。
根据iSuppli的统计，去年全球芯片代工市场的产值为190亿美元，而台积电独自占据了其中的100亿美元。
三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM内存和NAND闪存市场处于领先地位，但是他们在代工市场的收入却只有可怜的几亿美元。三星发言人近日表示，三星已经决定扩大其代工产能，目标直指台积电。
三星目前在韩国器兴(Giheung)有一座占地350英亩的晶圆厂，专门用于代工业务。三星一直强调
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台积电 芯片代工 DRAM NAND
- 三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司宣称，这种产品的读取带宽 是传统闪存芯片的3倍左右，单颗这样的DDR MLC闪存芯片数据传输峰值带宽可达133Mbps，而旧款闪存芯片则只能达到40Mbps的水平。
即便将这种芯片应用到闪存卡中，也能够保持60Mbps的持续读取速率，同样比传统闪存芯片的17Mbps快三倍左右。这种闪存芯片产品既适合智能手机，便携多媒体播放器等产品，也同样适用于SSD硬盘等设备。
另外一款
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三星 30nm NAND
- 北京时间12月2日消息，据国外媒体报道，《韩国先驱报》援引匿名消息人士的话报道称，三星2010年计划投资约7万亿韩元(约合60亿美元)扩大芯片业务。
消息称，其中约5万亿韩元(约合43亿美元)将用于扩大DRAM芯片业务，2万亿(约合17亿美元)韩元将用于扩大NAND闪存和逻辑芯片业务。
三星2010年芯片投资将比2009年的4万亿韩元(约合34亿美元)高75%。10月份发布第三季度财报时，三星曾表示明年芯片投资将超过5.5万亿韩元(约合47亿美元)。
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三星 NAND 逻辑芯片 DRAM
- 近日，有某匿名厂商指控苹果在NAND闪存市场上“欺行霸市”，威逼闪存厂商。该厂商指苹果经常向韩系三星，海力士等厂商超额订货。《韩国时报》还报道称苹果经常采取等待闪存由于供过于求而出现价格下降时，才采购少量闪存的采购策略，这很容易导致闪存厂商的库存再次出现积压现象。
由于海力士与三星两家厂商的闪存业务对苹果依赖甚大，因此他们对苹果的这种策略可谓敢怒不敢言，只好被迫接受苹果将签订的长期订货协约价下调4%。这家未具名厂商的高管指这种行为“极为不合理”。
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三星 NAND
- 三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司宣称，这种产品的读取带宽是传统闪存芯片的3倍左右，单颗这样的DDR MLC闪存芯片数据传输峰值带宽可达133Mbps，而旧款闪存芯片则只能达到40Mbps的水平。
即便将这种芯片应用到闪存卡中，也能够保持60Mbps的持续读取速率，同样比传统闪存芯片的17Mbps快三倍左右。这种闪存芯片产品既适合智能手机，便携多媒体播放器等产品，也同样适用于SSD硬盘等设备。
另外一款三
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三星 30nm NAND
- 据悉，包括三星、LG、诺基亚等手机大厂第四季将上市销售的手机，已将MicroSD等NAND记忆卡列为标准内建配备，加上消费者扩充手机记忆卡的需求也明显转强，带动第四季记忆卡销售量大增。力成董事长蔡笃恭表示，MicroSD记忆卡封测产能吃紧现象将延续到明年1、2月。
NAND晶片大厂三星下半年开始跨足记忆卡市场，并与创见合作销售，新帝(SanDisk)也传出介入贴牌白卡市场，只是手机用小型记忆卡需采用较先进的基板打线封装(COB)制程，但两家大厂自有封测厂产能已多年未曾扩充，因此8、9月后已大量将
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SanDisk NAND 封测
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