- 韩国公平交易委员会(FTC)周三宣布，并未发现NAND快闪记忆芯片制造商在韩国或其它地区有操纵市场价格的行为，也宣告终止近3年来对该产业的反垄断调查。
反垄断监管单位声明，针对计算机记忆芯片产业 (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相关的价格操纵调查已经全部结束。
2007年1月，FTC宣布将针对NAND快闪记忆芯片制造商进行反垄断调查，侦查是否有操纵价格的事实，之后已针对全球4家企业进行调查，其中2家位于韩国，另外2家分别在美国和日本，但FTC并未公布详细的企业名单。
韩国快闪记
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海力士 NAND DRAM
- 据华尔街日报(WSJ)报导，韩国公平贸易委员会(FTC)并未发现NAND Flash存储器大厂有任何操控价格的证据，将结束为期将近3年的调查。此外，韩国FTC表示，至目前为止所有和存储器市场相关的操控价格调查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市场。
韩国FTC自2007年1月开始调查存储器产业是否存在操控价格的不法行为，并调查4家全球存储器大厂，包括两家韩国厂商、1家日本及1家美国厂商，然FTC并未透露遭调查的厂商名称。
存储器产业近年来遭数个国家调查是否存在柯断，近期
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- 韩国公平交易委员会在一份声明中表示尚未发现韩国或其他地区闪存厂商有操纵价格或其他垄断行为的证据。
该机构调查了四家NAND闪存制造商。在被调查的四家厂商中，两家位于韩国，其他位于美国和日本。不过公平交易委员会没有点出这些厂商的名字。NAND闪存适用于于各种手持设备，包括数字音乐播放器、数码相机和手机。
根据三星电子和东芝的说法，今年8月，美国司法部也结束了这样的调查。三星电子和东芝是全球前两大NAND闪存芯片制造商。
市场调查公司iSuppli的数据显示第三季度三星在全球NAND闪存
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海力士 NAND 闪存芯片
- 日本政府自2009年5月中起推动节能家电补助Eco Point政策，虽成功刺激日本薄型电视市场买气，却未能抵挡薄型电视均价跌跌不休之势，仍较前一年同期下跌近2成。为此，各业者相继投入3D TV，希望在这次世代电视加持下止住跌势。
2010年1月7~10日即将在美国拉斯韦加斯举行的美国消费性电子大展(CES)，预料将成为2010年各家业者3D电视争奇斗艳的第1站。各家业者也一致认为，3D TV将是攸关胜败的重要关键。
薄型电视技术之争在薄型化、大尺寸化后告一段落后，因产品区隔不易，只有走向价
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- 据业者透露，韩国厂商生产的三位元型MLC NAND闪存芯片新品在稳定性和耐用性方面不如现有两位元型产品，不过消息来源不愿意透露这家韩国厂商的具体名称。据消息来源透露，这家韩国厂商首批推出 的三位元MLC NAND闪存芯片只面向大陆以及美国地区的市场发售，不过目前部分销往美国市场的产品已经由于产品质量不稳定而遭到客户的退货。
据闪存控制芯片的厂商表示，三位元型MLC NAND闪存芯片技术目前还处在初级发展阶段，由于可能存在一些兼容性等方面的问题，因此需要3个月的时间对这种新产品进行充分的测试。
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- 根据市场调研公司DRAMeXchange的最新统计，12月后半个月的MLC NAND闪存芯片价格和前半月相比持平，高密度芯片价格则将下降1-5%。
其中，16Gb芯片期货价格下降2-7%，32Gb芯片价格持平或下降3%，两种芯片后半个月的平均销售价格预计为4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均价格依旧保持在4.02美元。
尽管受到季节性销售规律的影响，NAND闪存12月份的销售价格依旧保持稳定。考虑到一些芯片制造商将重点转移到了工艺升级上，产能上或受影响，很多下游厂商已经开始存货为即
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- 经历了09年初的低糜，IC产业正逐步从危机中复苏，观望其2010年的发展趋势，可以说是机遇与挑战并存。本文将对于2010年电子产业市场的有利与不利因素分别敍述，供业界探讨与分析。
10大机遇
1. IC行业的季节性需求好于预期。FBR分析师Craig Berger说：“亚洲芯片分销商的最新订单显示，第4季度芯片销售将环比下降4到8个百分点，比起上个月我们调查得出的环比下降10个百分点情况更好，这是由11月份的工业、消费和智能手机芯片的强劲需求推动的的出货量下降4%-8%，跌幅较
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- 伴随着平板彩电产业的快速发展，电视机已经历了从CRT到LCD再到LED的全面转型。而近一年来，在平板显示技术快速提升的趋势下，更具尖端技术的3D电视也已经开始崭露头角。
LED电视凭借超薄、环保节能、高清画质、色彩丰富、可靠性高等技术优势成为平板彩电未来发展主方向。据中国电子商会预测：2009年LED液晶电视在华销量将达100万台，明年将达400万台，2011年则突破800万台。而市场研究机构Displaybank也进一步指出，2009年只是一个序曲，未来3年将是LED电视在彩电领域里的全面&l
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- 为中芯解开多年无法突破的经营困境，而与台积电未来如能合作，将会是个双赢的局面。张汝京的下台，为台积电、中芯国际都找到下一个春天。
11月11日，台湾有四家报纸的头版头条报道了同一则新闻：中芯国际创办人、执行长张汝京宣布辞职;董事会即刻宣布由王宁国接任执行董事兼集团总裁、首席执行官。全世界最大的晶圆代工厂台积电入股中芯半导体10%的股份。
中芯将分5年赔偿台积电2亿美元，并且无偿授予台积电8%的中芯股权，且台积电另可在3年内以每股1.3港币的价格认购2%的中芯股权。
这件事情所以在台湾
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- 在本月22日召开的一次电话会议上，镁光公司声称他们很快便会试制出2x nm制程NAND闪存芯片产品，并对其进行取样测试。尽管镁光没有透露这种2xnm制程的具体规格数字，但外界认为他们很可能会于明年初公布有关的细节信 息。这样，镁光及其NAND技术的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用这种新制程技术，甩开对手三星和东芝，重新回到领先全球NAND制作技术的宝 座上。目前Intel和镁光两家公司合资创立有一家专门负责NAND业务的IM闪存技术公司。
除了制造闪存芯片之外，Intel和镁光还有出售基
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- 据华尔街日报(WSJ)报导，韩国半导体大厂海力士(Hynix)看好2010年存储器市场表现，将提升资本支出并扩张产能。
海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月为第1次DRAM合约价在11月后并未下滑，此外，预期2010年全球个人计算机(PC)市场需求将增加10%、全球DRAM存储器芯片将缺货，半导体市场已走出过去3年的谷底，前景相当稳定。
随著景气逐渐回升，海力士计划2010年提升资本支出，共投资2.3兆韩元(约20亿美元)提升技术水平，及扩张目前的NAND
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Hynix 存储器 NAND
- 沈寂已久的DRAM价格再度动起来，存储器厂对于DRAM产业后市看法相当乐观，DRAM厂供货呈现小幅吃紧状态，目前个人计算机(PC)搭载存储器 平均容量成长16%至2.92GB，未来消费性PC机种搭载DRAM容量可望升级至4GB，市场对于后市看法相当乐观，原本外界预期12月合约价格会开始下跌，反应淡季效应，但目前开出是持平，反映市场供给不多，而22日现货价格又开始蠢蠢欲动，一口气大涨3%;此外，下游模块厂皆看好2010年DRAM市场表现将优于NAND Flash市场。
存储器模块厂一致看好2010
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- 随着薄型电视等产品需求呈现增长，东芝(Toshiba)等日本半导体大厂也纷纷取消或缩短今年年底的新年假期持续进行生产，有别于去(2008)年年底动辄停工近20天的严峻局面。
报导指出，东芝旗下生产NAND型闪存的四日市工厂去年年底12吋产线停工达13天，惟因今年春天以后智慧型手机订单增加，故四日市工厂今年年底假期将持续进行生产不停工。
报导指出，NEC电子(NEC Electronics)旗下子公司所属的熊本川尻工厂原先计划于元旦期间停工2天，惟因使用于薄型电视和环保车的微控制器(MCU)
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Toshiba NAND MCU
- 据国外媒体报道，日本国内的半导体巨头重新开启了增产投资的大门。东芝公司一直生产手机等设备上使用的闪存，并在该领域排名全球第二，该公司计划与美国公司共同出资1500亿日元，以提高这方面的产能，增产程度约为4成。尔必达公司主要生产PC的内存，该公司计划在2010财年向主要生产厂投资600亿日元，将出货量提高3成。
自今年夏天以来，全球半导体市场呈现坚挺的走势，PC销售等在需求的刺激下得到恢复。全球经济危机后，日本IT业大公司一改过去的谨慎投资的态度而变为积极投资，以期待与韩国三星公司展开竞争。
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- 自2009年夏季起全球半导体市场需求回温，日本半导体大厂增资动作亦转趋积极。日本经济新闻报导指出，东芝(Toshiba)将与美国业者共同投资1,500亿日圆(约16亿美元)于NAND Flash事业，提高约4成产能;尔必达(Elpida)亦计划在2010年度中，投资600亿日圆于主力据点，以增加3成出货量。
报导指出，东芝拟于2010年度初期在三重县四日市NAND Flash厂导入尖端设备，此亦为2007年来东芝在NAND Flash事业上的大举投资。据悉，增设新生产线后，整厂生产规模将由26万
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