- 随著英特尔(Intel)和美光(Micron)所合资成立IM Flash抢头香推出34纳米制程NAND Flash产品，应战三星电子(Samsung Electronics)42纳米制程，不但制程技术领先，近期英特尔和美光在价格策略上，更是上演绝地大反攻计画，以超低价策略抢食三星地盘。下游厂商透露，近期英特尔和美光32Gb芯片价格硬是比其它品牌便宜1美元，相较于三星更是便宜将近3美元，价差相当惊人，而此策略亦让英特尔阵营近期NAND Flash产品询问度大增，三星在现货市场活络度则降低。
英特尔
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Intel 34纳米 NAND 42纳米
- 电子行业报纸ETnews周五报导称，预计韩国三星电子下半年在一个半导体生产设施上投资至少1万亿韩元(合7.9亿美元)。
该报未指明消息来源称，三星下半年在芯片业务方面的资本支出料为8,000亿韩元左右。
三星半导体事业群总裁劝五铉周四在一次业内活动上称，三星预计下半年投资“略高于”上半年。
该公司多次拒绝透露今年的资本投资计划规模，或是迄今的已投资额。
ETnews报称，芯片业务下半年的投资将侧重于引进更先进的生产技术，比如采用40纳米制程生产DRAM和
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三星 DRAM 30纳米 NAND
- 3D立体影像市场快速发展，据估计，2012年约有10%的美国、日本家庭消费者将使用3D影像产品，西欧约有6%，到了2015年，3D立体影像产品进入一般家庭使用的比重将超过60~70%，也宣告3D影像世代即将来临。
日前落幕的2009年光电展中，可看出3D显示器堪称是当红炸子鸡，包括友达、奇美电、华映等面板厂均正式发表其3D显示器产品，意味3D影像技术渐趋成熟，而从2008年起，美国好莱坞各大电影公司也陆续大动作投入3D电影、动画的制作，3D影片数量达到上百部，加上目前也有数百种的游戏支持3D显示
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友达 3D 投影机
- 周一消息 研究机构iSuppli指出，NAND闪存价格大幅波动的现象，大幅削弱了之前对2009年固态硬盘(SSD)在笔记本电脑市场普及的预期。
iSuppli专研行动和新兴内存的资深分析师Michael Yang表示，近期NAND闪存价格上涨，对闪存供货商来说来说是好事，但却为SSD在笔记本电脑的普及带来阻碍。因为SSD的价格约有90%由NAND闪存决定。所以当NAND闪存价格上涨，SSD在个人和企业市场的销量就会减缓。
多层单元(MLC)规格16GB的NAND闪存，其平均价格大幅上涨12
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NAND 闪存 MLC
- 全球NAND闪存的尺寸缩小竞赛再次打响。无论英特尔与美光的联合体,IMFlash,三星及东芝都欲争得NAND缩小的领导地位而互相较劲。但是实际上在目前存储器下降周期时尺寸缩小竞赛并无实际的意义。
按分析师报告,IMFlash正讨论2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm样品及美光计划利用每单元3位技术于今年第四季度开始量产。
在DRAM领域,三星一直是技术领导者,目前已作出46nm DRAM样品。
究竟谁是NAND尺寸缩小的领导者,据今年早些时候报道,东芝与新帝合资公司己走在前列,尺寸
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三星 DRAM NAND 存储器
- 市调机构InSpectrum认为,尽管降低报价但是仍很难促进存储器的销售,本周6月22-26日期间,无论DRAM或者是NAND的零售价继续因市场需求疲软而下降。
原因是目前正是传统的淡季,所以存储器模块的销售仍很弱,但己看到DRAM的零售价开始利润有所好转。
由于供应商担心是持久力问题,加上英特尔美光联盟推出34纳米芯片,贸易中间商为了促销给出更大的折扣,导致同样在零售市场也看到与DRAM相似情况，近期DRAM合同价格趋势在零售价基础上有点小的波动。虽然6月下半月无论DDR2及DDR3的价
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英特尔 DRAM NAND 34纳米
- Micron Technology近日宣布采用34nm工艺技术的NAND闪存芯片实现量产。Micron还称其子公司Lexar Media将推出34nm闪存卡和USB闪盘。
Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在为2x nm技术做准备，计划于第四季度推出样品。
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Micron 纳米 NAND USB闪盘
- 虽然固态硬盘迅速成为了各大媒体主要的宣传内容,但是由于价格过高的原因今年固态硬盘的市场份额将不会太高.根据DRAMeXchange的最新调查报告表明,固态硬盘在标准笔记本电脑的市场份额2009年将维持在1%-1.5%,同时由于众多厂商在主流存储设备上依然选择的是机械式硬盘,因此在低端PC上的市场份额将不到10%,这里应该主要指的是上网本产品.
较高的价格明显妨碍了固态硬盘向更深市场的侵入,根据市场调研公司的分析,考虑到16Gb和32Gb内存芯片的价格走势,SSD产品的市场接受度将会下降.
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固态硬盘 NAND 内存芯片
- 近来谣言越来越厉，市场盛传英特尔将于未来2周里发布基于34纳米制程NAND芯片的固态硬盘。之前有报道称英特尔Chipzilla芯片实验室将于去年Q4发布新34纳米闪存，不过时间表早已大大推后。固态硬盘出现的时间不久，其成本高，容量有限，有时候人们甚至怀疑其可靠性。如果新的34纳米制程NAND闪存推出，固态硬盘的价格将大大降低，容量也将达到320GB左右。
固态硬盘的存储单元分为MLC(Multi-Level Cell，多层单元)和SLC(Single Layer Cell，单层单元)两种。MLC
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英特尔 NAND 34纳米 MLC SLC
- 虽然苹果iPhone有着惊人的利润已经是妇孺皆知的事情，但新款iPhone 3GS的成本究竟是多少还是引起了不少人的好奇。日前，以经常拆卸广受欢迎的消费电子产品而闻名的iSuppli，通过初步拆解和分析首次向大家披露了iPhone3GS的关键部件的供应商及评估产品成本。据悉，第三代苹果手机iPhone3GS的成本为178.96美元，比iPhone 3G增加了4.63美元。但仍低于第一代iPhone220美元的成本估价。
通常而言，最新一代产品的成本要低于上一代，尤其对于iPh
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苹果 NAND GPS 处理芯片
- 恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory，PCM) 产品的市场规格，此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求，从而帮助多功能手机及移动应用、嵌入式系统*、高级运算装置的制造商应对设计挑战。制定针对PCM 产品的通用软硬件兼容标准，将有效简化设计流程并缩短产品开发时间，使制造商能在短时间内采用这两家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存储产品。
相较于
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Numonyx NAND NOR PCM SDRAM
- 全球NAND Flash需求仍相当疲弱，尽管东芝(Toshiba)宣布增产重创市场信心，然存储器业者透露，由于东芝43纳米制程NAND Flash芯片日前打入苹果(Apple)iPhone供应链，推测其增产系为苹果供货做准备，近期更需关注的是，三星电子(Samsung Electronics)除采用既有42纳米制程应战，亦开始准备最新版35纳米制程NAND Flash芯片，且已陆续送样给控制芯片厂，这不仅将对东芝和英特尔(Intel)、美光(Micron)联盟造成压力，亦将影响NAND Flash市场
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三星 NAND 30纳米 43纳米
- 6月24日消息,三星电子和Numonyx表示，双方将联合开发前途光明的下一代记忆体科技--相变化记忆体技术。
三星电子和Numonyx表示，双方将合作开发PCM的通用规范，该技术有望用于高级听筒、移动电话和电脑设备中。英特尔和意法半导体(STM去年合资组建了Numonyx.。三星电子和Numonyx称，PCM读写速度非常快，但耗电量却低于传统的NOR和NAND快闪记忆体。
三星电子和Numonyx还表示，双方的通用规范将于今年完成，预计明年将推出兼容设备。
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三星 NAND NOR PCM 相变化记忆体
- 3D半导体封装技术的发展，使我们日常使用的许多产品(诸如手机、个人娱乐设备和闪存驱动器等)的形态和功能得以...
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封装 堆叠 3D
- 据市调公司DRAM Exchange的调查，2009年，传统笔记本市场上的SSD硬盘使用率仅仅只有1-1.5%，而 在低端市场SSD硬盘的占有率也只有不到10%。造成这种现象的原因是16Gb/32Gb NAND闪存价格的上涨。今年上半年，这种规格闪存的价格不断上扬，而由此产生的利润空间自然就减小了。
DRAM Exchange声称上网本与传统笔记本中使用SSD硬盘的比率今年出现持续下降的态势，结果导致“SSD销量总体表现很糟糕”。相比传统机械硬盘，SSD硬盘的每GB价格依
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SSD NAND 上网本
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