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3d tof 文章 最新资讯

3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构

  • 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩，随着技术在节点间迭代，芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐，向三维发展，以提高单位面积的存储单元数量。（NAND指“NOT AND”，意为进行与非逻辑运算的电路单元。）l  这一趋势有利于整个行业的发展，因为它能推动存储器技术的突破，而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l  DRAM技
  • 关键字： 3D DRAM  泛林  

意法半导体全新多区测距 TOF 传感器发布：90 度视场角，号称“堪比相机水准”

  • IT之家 7 月 20 日消息，意法半导体今日宣布推出一款视场角达 90° 的 FlightSense 多区 ToF 测距传感器，视场角比上一代产品扩大 33%，用于家庭自动化、家电、计算机、机器人以及商店、工厂等场所使用的智能设备。据介绍，与一些专用的摄像头传感器不同，这款型号为 VL53L7CX 的飞行时间（ToF）传感器并不拍摄图像，因此，可以保障用户个人隐私安全。VL53L7CX 将视场角扩大到 90°（对角线），号称“几乎相当于相机的水准”，增强了对场景周边的感知能力，提升了存在检测和
  • 关键字： ST  ToF  

被垄断的NAND闪存技术

  • 各家 3D NAND 技术大比拼。
  • 关键字： NAND  3D NAND  

3D 晶体管的转变

基于 LPC5528 的 3D 打印机方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印机主板方案，该方案主控 MCU LPC5528 是一颗 Cortex-M33 内核的高性能 MCU，主频达到 150MHz，拥有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多个 Timer，多路 PWM，多种通信接口，支持 16 位的 ADC，资源丰富。      该方案支持 3.5 寸触摸屏显示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盘传输打印资料给打印机，支持 5 轴电机控制，支
  • 关键字： 3D 打印机  NXP  LPC5528  

Teledyne将在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中国上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 将于 7 月 11-13 日在上海国家会展中心举办的 2023中国（上海）机器视觉展 (Vision China) 展示最新产品和解决方案。欢迎各位莅临 5.1A101 展位了解先进的 3D 解决方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
  • 关键字： Teledyne  Vision China  3D  AI成像  

Melexis ToF传感器助力实现功能安全应用

  • 2023年6月21日，比利时泰森德洛——全球微电子工程公司Melexis今日宣布，Melexis扩展产品范围，进一步巩固其在飞行时间（ToF）技术领域的地位。最新推出的MLX75027RTI有助于汽车和工业客户满足功能安全要求。 MLX75027RTI是一款VGA分辨率ToF传感器芯片，具有307k像素的空间分辨率，符合ASIL标准，适用于需要获得ASIL或SIL认证的安全关键型系统。该传感器芯片的主要应用包括动态安全气囊抑制（确保安全气囊不会在非必要时展开）、驾驶员注意力监测以及外部近距离Li
  • 关键字： Melexis  ToF  功能安全  

有效范围 5 米，消息称三星将为 AR / VR 头显推出新型 ToF 传感器

  • IT之家 6 月 14 日消息，消息源 Tech_Reve 在最新推文中表示，三星计划在 VLSI 2023 研讨会（6 月 11-16 日）上，展示一款针对 AR 和 VR 市场的新型 ToF 传感器。这款传感器支持 on-chip ISP，采用双堆栈工艺技术制造，其上层采用 65nm BSI，下层采用 28nm CMOS。这款 ToF 传感器的有效范围为 5 米，测速为 60fps，且能维持 188mW 的低功耗状态。IT之家注：Time of flight（飞行时间）。其实 ToF 是一种
  • 关键字： 三星  ToF  MR  

ToF 3D图像传感器正在改变我们参与摄影和混合现实的方式

  • 视频技术的问世掀起了一场席卷全球的视听通信革命。今天，整个世界都非常依赖照片和视频媒体来实现各种目的，包括商业、通信、教育和娱乐。采集和显示视频的机制也突飞猛进。而3D摄像头的采用，使用户可以以前所未有的信息量观察事物。这个过程所不可或缺的一环，就是给数字视频添加深度信息，使其更接近真实。本文探讨了如何使用飞行时间（ToF）传感器实现此目的，以及ToF传感器正在如何改变我们与VR和其他视频技术的交互方式。ToF 3D图像传感器简介总的来说，飞行时间（或 ToF）是一种基于光的飞行时间测量物体距离的方法。T
  • 关键字： 英飞凌  ToF  图像传感器  

DRAM迎来3D时代？

3D NAND 堆叠可超 300 层，铠侠解读新技术

  • 5 月 5 日消息， 铠侠和西数展示最新的技术储备，双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文，铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，读取延迟缩小到 40 微秒。此外，铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件，这是一个具有实验性的 3D NAND IC，通过金属诱导侧向
  • 关键字： 3D NAND  

全新i-ToF图像传感器助力打造更小巧的3D摄像系统，在优化成本的同时提升量子效率

  • 英飞凌科技股份公司与 专注于3D ToF 领域的优质合作伙伴湃安德（pmd）联合推出IRS2877C ToF VGA 传感器的性能进阶版——IRS2976C 飞行时间（ToF）VGA 传感器。该传感器是 REAL3™ 系列产品的新成员。这款产品采用了英飞凌的新型像素技术，将像素的量子效率提升到 30% 以上，达到迄今为止只有背面照明（BSI）传感器才能实现的水平，同时又保持了正面照明（FSI）传感器的成本优势。得益于此，IRS2976C 图像传感器成为全球首款获得谷歌人脸识别三级认证（增强级）的 ToF
  • 关键字： i-ToF  图像传感器3D摄像系统  

平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？

  • 近日，外媒《BusinessKorea》报道称，三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法，据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么？它将如何颠覆DRAM原有结构？壹摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构1966年的秋天，跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器（DRAM），而在不久的将来，这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA
  • 关键字： 3D DRAM  存储器  

外媒：存储大厂正在加速3D DRAM商业化

  • 据外媒《BusinessKorea》报道，三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况，业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然，而不是一种方向。与现有
  • 关键字： 存储  3D DRAM  

芯和半导体荣获3D InCites “Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”

  • 国内EDA行业领导者芯和半导体，由于其Metis平台在2.5D/3DIC Chiplet先进封装设计分析方面的杰出表现，近日在半导体行业国际在线平台3D InCites的评选中，获封2023“Herb Reiter 年度最佳设计工具供应商奖”称号。  “Xpeedic芯和半导体去年宣布Chipletz采用了Metis平台用于智能基板产品的设计，这一事件引起了我们极大的关注。“3D InCites创始人Françoise von Trapp表示，” 我们非常兴奋芯和半导体今年首次参加3D InCi
  • 关键字： 芯和半导体荣  3D InCites  Herb Reiter  年度最佳设计工具供应商奖  
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