NAND Flash现货价于8月中旬反弹，DRAM价格也在9月开始回升，内存市况确立好转，带动内存族群获利能力普遍呈现攀升。观察第三季内存族群财报，内存制造大厂包括南亚科、旺宏及华邦电仍呈小幅亏损；内存模块厂创见、威刚、广颖、品安、宇瞻单季每股税后纯益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群联单季EPS更分别有3、4元以上亮眼成绩。另从毛利率、营利率及税后纯益率三大财务指标来看，第三季财报数字呈现「三率三升」的内存厂商，则有创见、威刚、十铨、广颖、宜鼎、品安，财务成绩表现亮眼。此外，威刚14日公告10月自结财务数
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内存 NAND Flash DRAM
在本次展会上，东芯半导体也来到了EEPW的直播间。东芯半导体股份有限公司成立于2014年，作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。2022年EEPW曾有幸采访过东芯半导体副总经理陈总，这次在2023年慕尼黑华南电子展上，陈总向我们介绍了东芯半导体这次在展会上带来了全线的产品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前东芯在NAND
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东芯半导体 NAND NOR DRAM 存储
据TrendForce集邦咨询最新研究显示，第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND
Flash方面，eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%；由于Mobile
DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低，因此成为本次的领涨项目。季涨幅扩大包括几个原因，供应方面：三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等，持续奠定同业涨价信心的基础。需求方面：2023下半年Mobile
DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受传统旺季带动，华为Mate
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Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
受高通胀冲击消费电子产品买气影响，据TrendForce集邦咨询统计，2022年全球DRAM模组市场整体销售额173亿美元，年衰退约4.6%；其中各模组厂因供应的领域不同，使得各家营收表现差异较大。TrendForce集邦咨询统计，2022年全球前五大存储器模组厂占整体销售额90%；前十名则合计囊括全球模组市场的96%营业额，其中Kingston（金士顿）的市占达78%，虽营收小幅下跌，仍维持全球第一。尽管终端市场需求不佳，但基于Kingston品牌规模，加上完整的产品供应链，使得其营收衰退幅度较小，仅衰
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消费电子 DRAM 模组
● 全新霍尔效应传感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模拟输出和数字 SENT 协议。● 卓越的角度测量以及符合 ISO 26262 标准的开发水平，以小型 SOIC8 SMD 封装为高安全要求的汽车和工业应用场景提供支持。TDK 株式会社近日宣布，其 Micronas 直接角霍尔效应传感器系列产品增添了新成员，现推出面向汽车和工业应用场景的全新 HAL® 3927* 传感器。HAL 3927 采用集成断线检测的
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TDK 3D HAL 位置传感器
10月9日，韩国总统办公室通报，美国目前已做出决定 —— 在无需单独批准的情况下，三星和SK海力士可以向中国工厂提供半导体设备，该决定一经通报即生效。据悉，无限期豁免将通过更新Validated End-User（VEU）清单来取得。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，代表美国出口管制的适用性实际上是被无限期暂停。三星在一份声明中表示，“通过与相关政府的密切协调，与我们在中国的半导体生产线运营有关的不确定性已大大消除。”SK海力士则表示，“我们欢迎美国政府决定延长对出口管制规定的豁免。我们相信，这一决定将
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三星 SK海力士 NAND DRAM 半导体设备
受需求放缓、供应增加、价格竞争加剧等因素影响，存储芯片的价格在 2022 年最后两个季度均出现暴跌。根据 TrendForce 的最新数据显示，DRAM 的平均价格继 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅扩大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均价跌幅收敛至 13%～18%，Q2 DRAM 价格跌幅收窄至 10% 到 15%。与 DRAM 市况相似，NAND 闪存的市场需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 价格跌幅均超过 20%，今年 Q1 NAN
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NAND SSD DRAM
IT之家 10 月 10 日消息，闪存市场固然存在全球经济下行、高通胀等诸多因素影响，依然处于充满挑战的时期，但美光、三星等 DRAM 巨头正积极备战 1γ DRAM 技术。图源：SK 海力士DRAM目前全球最先进的 DRAM 工艺发展到了第五代，美光将其称为 1β DRAM，而三星将其称为 1b DRAM。美光于去年 10 月开始量产 1β DRAM，不过研发的目标是在 2025 年量产 1γ DRAM，这将标志着美光首次涉足极紫外 (EUV) 光刻技术。而三星计划 2023 年迈入 1b D
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DRAM 闪存
3D ToF智能相机能藉助飞时测距（Time of Flight；ToF）技术，在物流仓储现场精准判断货物的摆放位置、方位、距离、角度等资料，确保人员、货物与无人搬运车移动顺畅，加速物流仓储行业自动化。2020年全球疫情爆发，隔离政策改变人们的消费模式与型态，导致电商与物流仓储业出现爆炸性成长；于此同时，人员移动的管制，也间接造成人力不足产生缺工问题，加速物流仓储行业自动化的进程，进而大量导入无人搬运车AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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3D ToF 相机 物流仓储 自动化 台达
尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响，存储产业身处下行周期，但存储大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。对DRAM芯片而言，先进制程意味着高能效与高容量，以及更好的终端使用体验。当前，DRAM先进制程工艺——10nm级别目前来到了第五代，美光称之为1β DRAM，三星称之为1b DRAM。美光去年10月开始量产1β DRAM之后，计划于2025年量产1γ
DRAM，这将是美光第1代采用极紫外光（EUV）的制程技术，目前在美光只在台中有EUV的制造工厂，因此1γ制程势必会先在台中厂量产，未来日本厂也有望导入EUV
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DRAM NAND 存储
面对美国的护栏最终规则，韩国半导体公司被建议改变中国市场战略据韩国新闻媒体报道，随着拜登政府最终确定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）资金分配和限制的国家安全护栏，韩国半导体公司可能不得不改变他们在中国的业务，并利用其在那里的成熟节点能力来针对国内需求的产品。关于最终规则对三星和SK海力士的影响，人们有不同的意见。但有一点是肯定的：希望获得CHIPS法案资助的公司在美国扩大产能的公司将不得不接受拜登政府设定的条件，并在未来10年内避免在中国进行实质性产能扩张。商务部的新闻稿显示，补贴接受者在
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CHIPS法案 韩国半导体 DRAM NAND
IT之家 9 月 27 日消息，存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后，终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据集邦咨询报道，伴随着主要存储制造商的持续减产，已经市场去库存效果显现，预估 NAND Flash 价格回暖之后，DRAM 价格也会上涨。NAND 闪存供应商为减少亏损，2023 年以来已经进行了多次减产，目前相关效果已经显现，消息称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格出现反弹，9 月继续上涨。行业巨头三星继续减产，主要集中在 128 层以下产品中，在 9 月产量下降了
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存储 DRAM NAND Flash
消费类DRAM广泛普及，而且往往物美价廉。然而，这些表面上的好处掩盖了消费类DRAM 在工业应用中的真正危险和缺陷。在本文中，我们将探讨消费类DRAM和工业DRAM之间的差异，并揭示不正确使用DRAM的风险。固定BOM的重要性消费类 DRAM 模块没有固定的 BOM（物料清单）；这意味着模块中使用的材料可能会发生变化，而且经常会在用户未知的情况下发生变化，另外用户可能会在一月份订购两个 DIMM 用于测试，在三月份再订购五百个用于生产，但无法保证一月份订购的模块与三月份订购的模块包含相同的材料。即使是物料
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innodisk DRAM
内存大厂美光即将于27日盘后公布最新财报，鉴于美光对DRAM的订价能力提升，市场高度期待美光获利进一步改善，预期产业最坏情况已过。由于内存大厂近期积极减产，部分市场需求转强，AI服务器需求尤为强劲，致使DRAM报价逐渐改善。美光财务长Mark Murphy先前透露，若供应链持续保持自制力、预测价格有望于2023年下半转强。美光营运有望改善，带动股价逐渐走强，该公司年初迄今股价已上涨近4成。包括巴克莱、德银等券商，纷纷上调美光投资评等及目标价。巴克莱券商巴克莱给予美光「加码」投资评等，目标价从75美元调高到
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美光 DDR5 DRAM
受高通货膨胀、消费电子需求疲软等因素影响，存储市场发展“遇冷”，铠侠、美光等原厂陆续于去年第四季度启动减产，2023年三星宣布加入减产行列。不过，由于市场需求持续衰弱，2023年存储市况仍未复苏，价格不断下跌，厂商业绩承压。这一背景下，部分存储厂商期望通过继续减产维稳价格，推动市场供需平衡。近日，台湾地区《工商时报》等媒体报道，DRAM厂商南亚科将跟进大厂减产策略，调整产能、降低稼动率、弹性调整产品组合和资本支出，根据客户需求和市场变化动态调整，以应对市场疲软，预计产能将动态调降20％以内。此前，全球市场
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存储厂商 DRAM TrendForce
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