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闪速(flash)存储器 文章 最新资讯

COMPUTEX 2008:PNY展台复古又神秘

  •   2008年6月3日-7日,台北国际电脑展COMPUTEX 2008将如期而至。每年一度的台北国际电脑展正在不断的提升着在业界中的地位,俨然已经成为了业界最受瞩目的国际性大展之一。COMPUTEX是每年实力厂商必将参展的展会之一,COMPUTEX也成为了IT产业发展的一个缩影,甚至许多厂商都愿意在展会上进行自己的新品发布。COMPUTEX上我们不仅仅会看到最新产品,也会看到整个年度的产业发展趋势,甚至每一个小动作都有可能成为产业今后发展方向引爆剂,乃至冲击波。   今天是6月2日,距离COMPUTEX
  • 关键字: COMPUTEX  PNY  IT  显卡  存储器  

汽车MCU演绎四大发展趋势

  • 过去几年里,平均一部汽车大约会用到20颗MCU,而现在汽车中使用的MCU数量已达40-60颗,部分高档轿车MCU数量已经达到上百颗。2004年,全球汽车半导体的收入是160亿美元,其中汽车MCU的销售收入就占到34%。据预测,2005年,汽车MCU所占比例还将保持这一数字。    目前,汽车MCU已经进入汽车动力系统、汽车安防系统、汽车娱乐系统、汽车导航与远程通信系统,这些系统对汽车MCU提出了不同的要求,推动汽车MCU不断发展。汽车MCU在提高性能的同时,在应用上也将以不同于消费、通信中的应
  • 关键字: 汽车电子  MCU  Flash MCU  

08年全球MP3/PMP将托起闪存芯片销量

  •   MP3/PMP市场在经过4Q07传统旺季的促销热卖,达到单季6,300万台以上的销售纪录后,1Q08在淡季因素的效应影响下,出货量锐减至4,258万台。以目前全球MP3/PMP市场来看,Apple仍是MP3/PMP市场的领导品牌,今年第一季Apple在北美MP3/PMP市场的市占率达73%,全球市场其它的一线品牌尚包含Samsung、SanDisk、Sony、Creative与Philips等。   单以Apple目前的iPod系列产品来看,最引人关注的是高阶机种iPod Touch在2008年2月
  • 关键字: 闪存芯片  MP3  PMP  NAND Flash  

嵌入式非易失性存储器在汽车系统中的应用

  •         随着汽车逐渐发展成为高度集成的交通、信息和娱乐系统,其半导体成分不断增多。如今的汽车包含了数以十计的处理器、大量的传感器和各类控制、安全、舒适及通信系统。所有这些系统都需要非易失性存储。   车载系统的存储器有多种不同形式,其容量少则只有数百位,用于存储ID和传感器数据,多则高达数兆字节,用于保存复杂的固件程序。不同系统对非易失性存储器(NVM)的要求不同,但无一例外都希望它便宜、可靠、安全并易于在系统中实现。本文深入
  • 关键字: RFID  汽车系统  非易失性  存储器  嵌入式  

嵌入式非易失性存储器在汽车系统中的应用

  •   随着汽车逐渐发展成为高度集成的交通、信息和娱乐系统,其半导体成分不断增多。如今的汽车包含了数以十计的处理器、大量的传感器和各类控制、安全、舒适及通信系统。所有这些系统都需要非易失性存储。   车载系统的存储器有多种不同形式,其容量少则只有数百位,用于存储ID和传感器数据,多则高达数兆字节,用于保存复杂的固件程序。不同系统对非易失性存储器(NVM)的要求不同,但无一例外都希望它便宜、可靠、安全并易于在系统中实现。本文深入探讨了一些常见应用,阐述了它们所需要的存储器要求和特性。   固件存储   如
  • 关键字: 嵌入式  非易失性  存储器  汽车系统  EEPOM  MCU  

瑞萨科技开发采用瑞萨“RX”的未来RX600系列CISC MCU

  •   2008年5月20日,瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)今天宣布,开发出了系列微控制器(MCU),重新定义了基于MCU的CISC(复杂指令集计算机)*1 的性能能力。这种新器件是第一个集成了新一代“RX”CPU架构,并实现了高达200 MHz的CPU性能,以及业界最快的单周期闪存存取能力(100 MHz)的32位产品,其样品计划于2009年第二季度交付。   新开发的RX系列可以满足高速、高性能、大容量片上存储器和功率敏感的MCU不断变化的市场需
  • 关键字: 瑞萨科技  微控制器  MCU  存储器  功率敏感  

Wolfgang Ziebart辞去英飞凌首席执行官职务 Peter Bauer继任并启动IFX 10-Plus项目

  •   由于对公司未来战略发展方向持有不同意见,从2008年6月1日起,英飞凌科技股份公司首席执行官兼总裁Wolfgang Ziebart博士将辞去公司职务,由管理委员会成员Peter Bauer继任首席执行官。此外,监事会和管理委员会已经决定启动IFX Plus-10项目,以提振公司业绩。在今天的会议上,监事会一致就此向主席Max Dietrich Kley投了信任票。   英飞凌监事会主席Max Dietrich Kley表示:“我们非常感谢Ziebart先生在职期间为英飞凌所做的努力和成绩
  • 关键字: 英飞凌  存储器  奇梦达  半导体  

可管理NAND:适用于移动设备的嵌入式大容量存储革新

  •   与多年前相比,现在的移动消费电子装置结构复杂,功能丰富,能够存储大量音乐、照片和视频内容。让人欣慰的是,存储系统的体系结构能够适应这些新的数据密集型应用。例如,适用于大容量存储的高性价比紧凑型 NAND 闪存就替代了手机、MP3 播放器和数码相机中使用的 NOR 闪存和其它非易失性存储装置。    随着工艺技术的进步,存储器密度大约每 12 至 18 个月即提高一倍。对于 NAND 闪存而言,这意味着对多层单元 (MLC) 技术的重视程度日益提高。传统的单层单元 (SLC) NAND 闪存
  • 关键字: NAND  嵌入式  MMC  存储器  Micron  

世强电讯携手瑞创国际举办全国五大城市巡回研讨会

  •   今年6月底至7月初, 世强电讯将携手瑞创国际(Ramtron Internetional),分别在全国五个大城市举办铁电存储器与MCU应用技术巡回研讨会,共同展示多个工业领域的铁电存储器和MCU应用解决方案,藉此世强电讯拉开了在中国市场推广瑞创铁电产品的帷幕!   今年4月中旬, 世强电讯与瑞创国际(Ramtron International)正式签订分销协议,以期强强联手,共同加大Ramtron在中国市场的推广力度。对世强分销权的委任是Ramtron实施其预期销售增长战略的一个重要部分。在过去的0
  • 关键字: 世强电讯  瑞创国际  存储器  MCU  Ramtron  

存储器大厂意外频发“稳定”行业价格

  •   近期记忆体业者常幽默指出,以后DRAM和NAND型快闪记忆体(Flash)产业可能只有2种方法可带动价格,一是每年1次的晶圆厂跳电事件,带来的“自然减产机制”,使得上游供给减少,二是记忆体厂制程凸捶,导致的供给大减,尤其DRAM产业这么依赖个人电脑(PC)的成长性,很难再出现需求大好的情况,只好想尽办法让供给减少,维持价格秩序。   意外事件+制程出错 稳定价格的捷径   2007年8月三星电子(Samsung Electronics)厂房意外电线走火,导致NAND Fla
  • 关键字: 存储器  DRAM  NAND  晶圆  三星  海力士  NB  DT  

用FPGA构建PCI Express端点器件的平台

提高DFT设计测试覆盖率的有效方法

  • 伴随着现代大规模集成电路制造工艺的快速发展,设计工程师必需直面芯片制造过程中可能产生的物理缺陷。现...
  • 关键字: 寄存器  逻辑  存储器  RTL  接口  扫描  模拟  

基于GPRS的远程心电实时监护仪软件系统设计

  •   当今社会,心脏疾病已严重影响了人们的生命安全,许多突发患者因得不到及时救治而使生命受到威胁。传统的心电监护设备限制了患者的自由,动态心电记录仪(Holter)虽能便携地记录患者日常活动时的心电数据,但是没有实时监护功能,对于危及生命的突发心脏病变帮助不大。   无线通信技术的日渐成熟使便携式心电实时监护成为可能。利用GPRS无线数据通信技术,可将实时监护功能与Holter结合起来。患者可以配戴监护仪自由活动,同时可随时随地得到心电监护。紧急情况发生时,患者掌握着可靠的求生路径;而医生可根据全面的心电
  • 关键字: GPRS  远程  监护仪  心电  实时  Holter  单片机  电源  NAND Flash  LCD  GSM/GPRS无线通信  

Ramtron的64千位串行F-RAM存储器达到汽车电子AEC-Q100标准

  •   Ramtron International Corporation扩展其符合AEC-Q100标准要求的F-RAM存储器产品,FM24CL64 64千位 (Kb) 串行F-RAM已通过认证,可在 -40至 +85℃ 的Grade 3汽车温度范围内使用。FM24CL64是Ramtron不断扩充的通过Grade 1 (+125℃) 和Grade 3 AEC-Q100认证的汽车存储器产品的一部分。   FM24CL64已设计用于高级汽车音频平台,其中F-RAM用于快速频繁地记录动态数据,并保持数据的完整性,
  • 关键字: Ramtron  存储器  汽车电子  AEC  

基于ARM9内核Processor对外部NAND FLASH的控制实现

  • 目前流行的ARM9 CPU中,没有集成NAND FLASH的控制器,可以通过使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,实现对外部NAND FLASH的控制.实测结果显示,用8 b I/O的NAND FLASH,在文件系统下读/写的速度为3 MB/s,擦除的速度为65 MB/s,满足现在流行手持设备对Memory的要求.
  • 关键字: Processor  FLASH  ARM9  NAND    
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闪速(flash)存储器介绍

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