闪速(flash)存储器 文章 最新资讯
FPGA如何同DDR3存储器进行接口?
- 大家好，我叫Paul Evans，是Stratix III产品营销经理。到目前为止，我已经从事了6年的双倍数据速率存储器工作，今天和大家一起讨论一下DDR3。DDR3的主要难题之一是它引入了数据交错，如屏幕上所示。 为了更好地进行演示，我们将使用这里所示的Stratix III DDR3存储器电路板。它上面有几个高速双倍数据速率存储器，例如DDR2 UDIMM插槽、RLD RAM、QDR，当然，还有DDR3 UDIMM插槽。因此，我们所要做的就是通过Quartus软件来下载一个简单设计，FPGA
- 关键字： FPGA DDR3 存储器
ZigBee技术 无线传感器网络节点 MCl3192 LPC2138
- 摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208为例，对比NAND Flash和NOR Flash的异同;介绍大容量NAND Flash在uPSD3234A增强型单片机系统中的应用，完成了硬件接口设计和软件设计，并给出硬件连接图和部分程序代码。 关键词 NAND Flash uPSD3234A单片机嵌入式系统 1 NAND Flash和NOR Flash 闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点，被广泛地应用于手
- 关键字： NAND Flash uPSD3234A单片机嵌入式系统
NAND Flash上均匀损耗与掉电恢复在线测试
- 摘要 NAND Flash以其大容量、低价格等优势迅速成为嵌入式系统存储的新宠，因此其上的文件系统研究也日益广泛，本文简要介绍了常用的NAND Flash文件系统YAFFS，并针对YAFFS在均匀损耗和掉电恢复方面进行在线测试。在给出测试结果的同时，着重研究嵌入式软件测试方案和方法;对测试结果进行分析，并提出改进方案和适用环境。 关键词 NAND Flash 均匀损耗 软件测试 YAFFS 引 言 随着嵌入式技术在各种电子产品中的广泛应用，嵌入式系统中的数据存储和管理已经成为一个重要
- 关键字： NAND Flash 均匀损耗 软件测试 YAFFS
中国首个256位分子存储器电路研制成功
- 近日，中科院微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室成功研制出国内首个256位分子存储器电路。 分子电路是指在分子层次上构筑的电子器件及其集成电路，是后摩尔时代接替硅基电路最受关注的方向之一，它能够使电子器件的关键尺寸缩小到分子尺度，突破摩尔定律极限，推动集成电路向更小尺寸，更高集成度方向发展。 电阻转变型双稳态材料的存储特性在信息存储以及存储器方面有着非常广阔的应用前景，是一种天生的存储材料。 具有此类双稳态特性的分子功能材料由于其低成本、低功耗，并且有潜力将特征尺寸缩小到分子尺度等优
- 关键字： 分子 存储器 电路
Flash 单片机自编程技术的探讨
- 核心器件: MSP430 1 MSP430芯片Flash存储器的结构 Flash存储器模块是一个可独立操作的物理存储器单元。全部模块安排在同一个线性地址空间中，一个
- 关键字： Flash 单片机 自编程
介绍嵌入式应用中存储器类型的选择技巧
- 存储器的类型将决定整个嵌入式系统的操作和性能，因此存储器的选择是一个非常重要的决策。 无论系统是采用电池供电还是由市电供电，应用需求将决定存储器的类型(易失性或非易失性)以及使用目的(存储代码、数据或者两者兼有)。另外，在选择过程中,存储器的尺寸和成本也是需要考虑的重要因素。对于较小的系统，微控制器自带的存储器就有可能满足系统要求，而较大的系统可能要求增加外部存储器。为嵌入式系统选择存储器类型时，需要考
- 关键字： 嵌入式 存储器 选择
NAND和NOR flash详解
- NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
- 关键字： NAND NOR flash
嵌入式设备中片上存储器的有效使用方法
- 引 言 随着CPU速度的迅速提高，CPU与片外存储器的速度差异越来越大，匹配CPU与外部存储器的方法通常是采用Cache或者片上存储器。微处理器中的片上存储器结构通常包含指令Cache、数据Cache或者片上存储器。对于嵌入式设备上数据密集的应用，数据Cache与片上存储器相比存在以下缺陷：①片上存储器是固定的单周期访问，可在设计时(不是运行时)研究数据访问模式;而Cache还要考虑不命中的情况，因而有可变的数据访问时间，执行时间的预测更加困难。②使用Cache执行时间的不可预测性影响编译器的优
- 关键字： 存储器
TMS320C64x的16-bit Flash加载的可行性分析与实现
- l 引言 在仿真环境下调试DSP板程序之后，还有一项重要的工作要做：怎样实现程序代码的脱机加载。TMS320C6000系列DSP提供了3种引导方式：不加载、HPI加载以及Flash (ROM)加载。实际应用中，多采用外接Flash来加载程序代码。此种方法简单、灵活、成本低，因而受到广大工程技术人员的青睐。由于开发的DSP系统应用板最终要脱离仿真器独立运行，而TMS320C64x系列DSP本身不带这样的存储体，掉电后程序及数据就会丢失。这就需要1个能在断电后保存程序及初始化数据的存储体。Flash
- 关键字： TMS320C64x Flash
Ramtron升级FM31x Processor Companion系列
- 非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布升级其FM31x Processor Companion (处理器伴侣) 系列。升级产品融入了更高效的涓流充电器和标准12.5pF外部晶振实时时钟 (RTC)。新型 FM3127x/L27x Processor Companion具有4、16、64或256Kb非易失性F-RAM存储器、高速双线接口及高度集成的支持与外设功能，适用于基于处理器的先进系统。
- 关键字： Ramtron 存储器 半导体
闪速(flash)存储器介绍
您好，目前还没有人创建词条闪速(flash)存储器!
欢迎您创建该词条，阐述对闪速(flash)存储器的理解，并与今后在此搜索闪速(flash)存储器的朋友们分享。 创建词条
欢迎您创建该词条，阐述对闪速(flash)存储器的理解，并与今后在此搜索闪速(flash)存储器的朋友们分享。 创建词条
闪速(flash)存储器电路
闪速(flash)存储器相关帖子
闪速(flash)存储器资料下载
闪速(flash)存储器专栏文章
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473