闪速(flash)存储器 文章 最新资讯
奇梦达推出四列8GB DDR2全缓冲双线内存模组
- 奇梦达公司近日宣布推出业界首款四列8GB DDR2全缓冲双线内存模组（FB-DIMM），该模组技术是推动下一代多核服务器性能的重要技术，同时还可降低服务器的功耗。这些领先的FB-DIMM模组进一步壮大了奇梦达本已非常广博的产品阵容，可更好地满足服务器和高性能计算机工作站应用日益增长的要求。 奇梦达的新款FB-DIMM模组的速率最快可达800 MHz。800 MHz模组将提高今年晚些时候面市的下
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赛普拉斯与InPhase Technologies合作开发全息数据存储驱动器
- 赛普拉斯半导体公司日前宣布，该公司正在与全息数据存储领域的全球领先者InPhase Technologies公司合作，为InPhase的Tapestry™全息数据贮存系统供应CMOS图像传感器解决方案。 赛普拉斯和InPhase自2005年以来一直在合作开发一种超灵敏和超高速的CMOS图像传感器，以满足InPhase的Tapestry驱动器所记录数据的高速读取要求。这款赛普拉斯的CMOS图像传感器包含了一个数字接口，共有1696 X 1710个像素，像素间距8微米的。这款图像传感器
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Keil C动态内存管理机制分析及改进
- Keil C是常用的嵌入式系统编程工具，它通过init_mempool、mallloe、free等函数，提供了动态存储管理等功能。本文通过对init_mempool、mallloe和free这3个KeilC库函数源代码的分析，揭示其实现的原理和方法，并对其中的不足作了改进，以使Keil C编程人员更好地应用动态存储管理。 1 相关数据结构、变量及说明 在Keil C安装目录下的＼c5l＼lib目录下，有实现init_mempool、mallloe和free这3个函数的C源文件init_me
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RadioFrame获授权采用CEVA-X DSP内核及子系统无线基站
- CEVA宣布授权RadioFrame Networks公司使用CEVA-X1620 DSP 内核 和 CEVA-XS1200 子系统来开发其下一代毫微微蜂窝式 (femtocell) 基站。RadioFrame Networks是移动和无线市场以IP为基础的微微蜂窝式 (picocell) 和毫微微蜂窝式解决方案的领先厂商。 毫微微蜂窝式基站的部署可以提高
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KLA-Tencor发布最新存储和逻辑器件明场检测系统
- KLA-Tencor推出 28xx 明场检测平台的最新成员 2810 和 2815。通过特殊的光学配置，它们能有效地应对亚 55 纳米存储器件和亚 45 纳米逻辑器件生产中所面临的独特缺陷检测挑战。无论是适合存储器件缺陷检测的 2810 系统，还是适合逻辑器件检测的 2815 系统，都依靠 KLA-Tencor 业界领先的全光谱光源技术以捕获最广泛的缺陷类型
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QuickLogic利用闪存卡主控制器扩展存储解决方案产品线
- QuickLogic® 公司为其针对移动设备的集成可编程连接解决方案再添新产品。该公司发布完整的闪存卡(Compact Flash) 主控制器，将使设计人员可以简单采用这一通用存储技术。 闪存卡于1994 年首次发表，最初是作为闪存数据卡存储接口推出的。随着时间的推移，它已得到了加强，可以支持微型硬盘驱动器，以及诸如Wi-Fi、全球定位系统（GPS）和扫描仪模块等外围设备。虽然安全数字(SD)卡因其更简单的接口而获得了广泛采用，但是闪存卡仍然是企业PDA、便
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瑞萨松下开发45nm传统CMOS片上SRAM技术
- 瑞萨科技公司与松下电器产业有限公司宣布共同开发出一种可以使45nm工艺传统CMOS*1的SRAM（静态随机存取存储器）稳定工作的技术，这种SRAM可以嵌入在SoC（系统级芯片）器件和微处理器（MPU）当中。采用这种技术的512Kb SRAM的实验芯片的测试已经得到证实，可以在宽泛的温度条件下（-40℃－125℃）稳定工作，而且在工艺发生变化时具有较大的工作电压范围裕量。采用45nm CMOS工艺生产的用于实验的SRAM芯片集成了两种不同的存储单元设计，一个
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Intel突破 65nm 70MbitSRAM制造成功
- 日前，Intel宣布，他们采用最新的65纳米工艺制造SRAM（静态存储器）取得了突破，他们成功的用65nm的工艺制造出了70Mbit的大容量静态存储器。 静态存储器（SRAM）主要用作高速的存储设备，例如处理器内部的高速缓存等存储设备。 05年11月，Intel首次宣布65nm制造工艺的时候就曾宣布成功制造了4Mbit的SRAM，现在能够生产出70Mbit的SRAM将有助于将来处理器的制造。
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NOR标准化能否延续手机存储器老大地位
- 市场调研表明，NOR闪存仍是手机存储器的老大，它目前可以满足95%以上手机存储容量需求。但NOR闪存一直没有标准化，给手机制造商带来研发时间长、没有第二供货源等难题。近日，Intel和ST共同宣布，两家公司针对手机存储子系统，制定了NOR闪存规范，并将针对手机市场各自独立设计、制造软硬件兼容的NOR闪存产品，这一举措能否去除NOR的软肋，使它延续在手机制造商处的热度？ 手机对存储器依赖性增加 今天，市场上的手机已经成为流
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闪速(flash)存储器介绍
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