Intel突破 65nm 70MbitSRAM制造成功

日前，Intel宣布，他们采用最新的65纳米工艺制造SRAM（静态存储器）取得了突破，他们成功的用65nm的工艺制造出了70Mbit的大容量静态存储器。 

　　静态存储器（SRAM）主要用作高速的存储设备，例如处理器内部的高速缓存等存储设备。

　　05年11月，Intel首次宣布65nm制造工艺的时候就曾宣布成功制造了4Mbit的SRAM，现在能够生产出70Mbit的SRAM将有助于将来处理器的制造。