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NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人
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NAND NOR flash 集成电路 存储器
- 高性能系统设计师在满足关键时序余量的同时要力争获得更高性能，而存储器接口设计则是一项艰巨挑战。双倍数据速率SDRAM和4倍数据速率SDRAM都采用源同步接口来把数据和时钟(或选通脉冲)由发射器传送到接收器。接收器接口内部利用时钟来锁存数据，此举可消除接口控制问题(例如在存储器和FPGA间的信号传递时间)，但也为设计师带来了必须解决的新挑战。 关键问题之一就是如何满足各种读取数据捕捉需求以实现高速接口。随着数据有效窗越来越小，该问题也益发重要；同时，更具挑战性的问题是，如何让接收到的时钟与数据中
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FPGA 存储器 接口 模拟IC
- 高性能系统设计师在满足关键时序余量的同时要力争获得更高性能，而存储器接口设计则是一项艰巨挑战。双倍数据速率SDRAM和4倍数据速率SDRAM都采用源同步接口来把数据和时钟(或选通脉冲)由发射器传送到接收器。接收器接口内部利用时钟来锁存数据，此举可消除接口控制问题(例如在存储器和FPGA间的信号传递时间)，但也为设计师带来了必须解决的新挑战。
关键问题之一就是如何满足各种读取数据捕捉需求以实现高速接口。随着数据有效窗越来越小，该问题也益发重要;同时，更具挑战性的问题是，如何让接收到的时钟与数据中心
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嵌入式系统 单片机 FPGA 存储器 接口 存储器
- 非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出2兆位 (Mb) 并行存储器产品，进一步扩展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44脚TSOP-II封装的3V、2Mb并行非易失性RAM，具有访问速度快、NoDelay 无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。FM21L16与异步静态RAM (SRAM) 管脚兼容，其目标应用是以SRAM为基础的工业控制、计量、医疗、汽车
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模拟技术 电源技术 RAMTRON 并行存储器 FM21L16 存储器
- 地时间本周二，日本索尼和德国芯片制造商奇梦达宣布，它们计划建立一个芯片设计合资机构，开发消费电子和游戏机使用的DRAM储存芯片。 两公司在一份联合声明中称，新的合资机构称为 Qreatic Design，计划在今年年前在东京成立，在由双方30名专家组成的芯片设计合资公司中，两公司将各自拥有50%的股份。合资公司主要开发高性能、低能量消耗、嵌入式的、明确用于消费电子产品的DRAM芯片。 奇梦达是全球最大的DRAM储存芯片制造商之一，尽管索尼内部拥有它自己的芯片设计
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嵌入式系统 单片机 索尼 奇梦达 DRAM 存储器
- 9月29日消息，据外电报道，日立正在考虑把将其硬盘部门的股份出售给战略投资者以帮助它扭转亏损的硬盘业务。
日立要出售其硬盘业务部门股份的消息传出之后，日立股票上涨了7%，达到了一个月的最高点。这是四年以来日立股票单日最大的涨幅。
日立自从2002年以20亿美元收购IBM硬盘业务部门以来，由于硬盘价格下降，日立的硬盘业务一直没有盈利。
Ichiyoshi投资管理公司首席基金经理Mitsushige Akino表示，这是日立的一个巨大变化。现在正是时机。随着硬盘向非PC领域扩张，日
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日立 硬盘部门 存储器
- 据一名外国分析师透露，中国晶圆代工厂中芯国际集成电路制造有限公司(Semiconductor Manufacturing International Corp.，以下简称中芯国际)进军闪存市场的计划明显遇到了阻力。
早在2005年的时候，以色列的赛芬半导体有限公司(Saifun Semiconductors Ltd.)曾透露和中芯国际签订了一份晶圆代工协议。在赛芬的帮助下，中芯国际公司去年决定进军存储卡市场。中芯国际扩充了专利授权范围，获得了使用氮氧化合物闪存技术的权利，目的是开发和生产存储卡。
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中芯国际 闪存 存储器
- 全球第二大储存芯片制造商韩国现代半导体表示，为了避免芯片价格迅速下滑，公司将停止向现货市场提供计算机储存芯片。
现代半导体发言人向媒体表示，为了提高灵活性并加强我们在期货市场的地位，我们将停止通过现货市场销售我们的DRAM储存芯片。发言人表示，停止向现货市场销售产品的决定从已经从九月份生效，但发言人没有提供具体日期。
发言人同时拒绝透露将在什么时候重新向现货市场提供产品。现代半导体表示，通常在公司销售的全部芯片中，现货市场的比例大约占15%，其余的在期货市场销售。
分析师对现代
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现代半导体 储存芯片 存储器
- 非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想
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- 非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出带2KB非易失性F-RAM 以8051为基础的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron将F-RAM添加到其快速灵活的Versa 8501产品中，以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统，而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想
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模拟技术 电源技术 F-RAM 电存储器 微控制器 存储器
- 提要
本应用指南介绍了在 VirtexTM-4 器件中实现存储器接口的直接时钟控制数据采集技术。直接时钟控制方案利用了 Virtex-4 系列所独有的某些架构特性（例如，每个 I/O 模块 (IOB) 中均具备一个 64-tap 的绝对延迟线）。
简介
大多数存储器接口都是源同步接口，从外部存储器器件传出的数据和时钟/ 选通脉冲是边沿对齐的。在 Virtex-4 器件采集这一数据，需要延迟时钟/ 选通脉冲或数据。利用直接时钟控制技术，数据经延迟，并与内部 FPGA 时钟实现中心对齐。在这
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模拟技术 电源技术 时钟控制技术 存储器 存储器
- 据国外媒体报道，所有想为自己电脑增加更多内存的人都赢得了来自DRAM行业的礼物--激烈竞争使得内存价格猛跌，行业分析师预测，DRAM价格还将进一步下降。 使用最广泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合约价格已比两周前下跌了12.5%，周二时跌至1.75美元，创下了DRAMeXchange今年记录的新低。DRAMeXchange公司运营一家对内存芯片进行网上交易的网站。 这条重大新闻将对用户产生三个重大影响：第一，DRAM价格下跌将增加惠普和戴尔这类电脑制
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嵌入式系统 单片机 DRAM DDR DDR2 存储器
- 前言DSP系统的引导装载是指在系统加电时，由DSP将一段存储在外部非易失性存储器中的代码移植到内部高速存储器单元并执行的过程。这种方式即可利用外部存储单元扩展DSP本身有限的ROM资源，又能充分发挥DSP内部资源的高速效能。因此，引导装载系统的性能直接关系到整个DSP系统的可靠性和处理速度，是DSP系统设计中必不可少的重要环节。在装载系统中，外部非易失性存储器和DSP的性能尤为重要。FLASH是一种高密度、非易失性的电可擦写存储器，而且单位存储比特的价格比传统EPROM要低。为此，本文介绍了TMS320C
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嵌入式系统 单片机 FLASH 装载系统 DSP 单板计算机
- 你是否想像过这种情景：在一个很小的内存器件中存储数百部高分辨率电影，并且不用等待数据缓冲就可以下载并播放它们；或者在无需将操作系统转移到有源内存的情况下，你的笔记本电脑在短短几秒钟内就可以启动？ 美国宾夕法尼亚大学研究人员已开发出的一种新型纳米器件，也许能将这些想象变成现实。这种纳米器件能存储10万年的电脑数据，检索数据的速度比现有的，像闪存和微型硬盘之类的便携式存储设备快1000倍，而且比目前的内存技术更省电、存储空间更小。 该校材料科学与工程系副教授阿格瓦尔及同事采用自组装工艺，用纳米金属
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消费电子 纳米器件 微型硬盘 电流感应 存储器
闪速(flash)存储器介绍
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