- Flash存储器已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。但是在对Flash进行编程或擦除的操作过程中，如果单片机需要处理一些紧急的情况(如中断、数据存储等等)，就需要暂停相对比较消耗时间的Flash编程/擦写过程，优先处理这些紧急情况。这对Flash存储器的工艺水平及控制技术提出了更高的要求。
瑞萨公司推出的R8C/1B单片机采用改进的Flash存储器工艺，大大缩短了编程/擦除挂起的时间，使其能够更加及时地响应中断或进行其他操作。
Flash编程/擦除挂起功能
所谓挂起功能，是
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瑞萨 R8C Flash
- 市场调研公司VLSI Research指出，6月全球半导体设备订单出货比11个月来首次超过1。
VLSI Research的数据显示，6月全球芯片设备订单出货比升至1.01，是去年7月来首次突破1。6月全球设备订单额达25亿美元，较5月增长40%，但较去年6月减少41%。6月出货额较5月增长31%，达24亿美元，但较去年6月减少57%。
VLSI Research指出目前订单出货额仍低于正常水平，但已出现了一些积极的趋势。后端设备供应商预计将获得一次强劲增长，后端工厂产能利用率正在快速增长
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半导体设备 SDRAM 存储器 芯片设备
- 引 言
现代电子战孕育了DRFM的诞生，数字射频存储器是一种对射频信号采样、存储、运算然后转发的电子部件。DRFM对样本信息保存下来后，根据需要加入调制信息；再通过高速DAC转发出去，实现对目标的有效干扰。随
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设计 存储器 射频 数字 DRFM FPGA
- 随着EDA(电子设计自动化)技术的发展和可编程逻辑器件性能的不断提高，基于FPGA的可编程片上系统技术为系统设计提供了一种简单、灵活、高效的途径。基于NiosII的可编程片上系统(SoPC)设计中，几乎所有的应用设计都需要使用Flash存储器，而Flash的编程必需相应的目标板Flash编程设计支持。结合实际应用详细论述了目标板Flash编程设计的创建及应用。
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Flash SoPC 编程
- 海力士(Hynix)NAND Flash产业之路命运多舛，之前48纳米制程量产不顺，加上减产之故，几乎是半退出NAND Flash产业，直到近期新制程41纳米制程量产顺利，才开始活跃起来，日前更打入苹果(Apple)iPhone 3G S供应链，获得认证通过，可以一起和东芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大厂一起「吃苹果」!
海力士2008年下半开始，NAND Flash出货量变得相当少，一方面是48纳米制程量产不顺，另一方面是NAND Flash价格崩盘，导致亏损
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Hynix NAND 48纳米 41纳米 34纳米 存储器
- 一般来说，对于台湾芯片制造商而言，科技行业的变革是好消息。
自从上世纪80年代，台湾政府成立台积电(TSMC)和联华电子(UnitedMicroelectronicsCompany)以来，台湾半导体行业已发展成为世界芯片工厂。
英特尔(Intel)亚太区总裁孙纳颐(NavinShenoy)表示，这基本上是通过“赢在转型”而实现的。
在从台式电脑向笔记本电脑的转型过程中，台湾半导体集团和电脑制造商“非常明智地提前参与了进来”。
通过
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台积电 芯片制造 存储器
- 数字射频存储器(DRFM)采用高速采样和数字存储作为其技术基础，具有对射频和微波信号的存储和再现能力，可实现对雷达设备性能的无线检测。但DRFM系统模拟前端一直是保证系统高速高精度信号采集与回放的设计难点。本文以实际工程项目为背景，着重论述了在本项目中解决DRFM系统模拟前端设计中诸多难题的方法。
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接口 设计 研究 转换 模数 射频 存储器 数字 射频
- 在友达(2409)法说会前夕，面板股22日表现普遍回档休息，由于面板报价7月下旬冻涨，又市调机构WitsView 提出警告，新世代面板产能逐渐开出，7-8月面板价格将是今年高点，因此友达法说行情跟着冻结，面板股稍作休息。
根据显示器某市调机构指出，由于7月上旬面板价格涨势太过猛烈，导致下游厂措手不及，要求面板厂暂缓涨价，观察终端市场对于产品涨价的反应，再决定8月报价是否该调涨。
上旬涨势凶 下游措手不及
由于受限玻璃基板供应短缺，预期第3季面板出货量成长有限，因此各家面板厂无不希望调
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友达 面板 LED 存储器
- 1．引言 随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大，FLASH型存储器的用量迅速增长。FLASH芯片由于其便携、可靠、成本低等优点，在移动产品中非常适用。市场的需求催生了一大批FLASH芯片研发、
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FLASH 存储器 测试 方法研究
- 三星传出下半年将投入大笔资金发展存储器先进制程，对于台湾DRAM厂来说，又将面临一次严峻的考验。
DRAM厂目前最欠缺的就是金援，以现在全球DRAM业者来看，很难靠一己之力对外筹资。也因此，包括韩国、日本等国政府都已出手金援，相形之下，台湾DRAM厂迄无政府资金奥援，俨然落居劣势。
由于资金压力紧迫，加上政府产业再造计划仍没有进一步具体动作，甚至连政府挹注TMC资金都还没到位，近期台塑集团旗下南科、华亚科已抢先发动募资计画，将有助提升台湾DRAM 产业竞争力与韩系业者势力抗衡。
伴随
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三星 DRAM 存储器
- 2009年DRAM产业景气从谷底爬出，各家DRAM厂盛行缩衣节食，日前也传出海力士(Hynix)大砍2009年的资本支出近一半，全年支出仅约16亿美元，但分析师预估，将海力士的自有厂房与意法半导体在大陆合资的无锡厂一并计算，2009年的总资本支出也顶多10亿美元，较目前规划的金额减少6亿美元，充分反应对存储器市场看法的保守;此外，台系DRAM厂只有南亚科和华亚科下半年转进50纳米，2009年资本支出规划超过新台币100亿元，力晶资本支出不到50亿美元，茂德更无资本支出可言。
DRAM业者表示，以
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海力士 DRAM 存储器
- 根据半导体设备权威机构SEMI的报道，由于今年半导体投资迅速下降，导致全球产能下降。
SEMI认为如果半导体市场迅速与全球经济同步复苏，目前的低投资水平无法满足需求。
SEMI预计明年芯片厂投资将增加60%。
然而，2009年在很低水平，如08年用于芯片厂房建设投资为46亿美元，而09年仅16亿美元。预计明年为28亿欧元。
全球半导体设备业于2008年消费260亿美元，2009年为140亿美元， 而2010年预计为220亿美元。
总的半导体用于厂房投资，包括设施及设备，2
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英特尔 半导体设备 存储器 MPU
- 高性能系统设计师在满足关键时序余量的同时要力争获得更高性能，而存储器>存储器接口设计则是一项艰巨挑战。双倍数据速率SDRAM和4倍数据速率SDRAM都采用源同步接口来把数据和时钟(或选通脉冲)由发射器
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FPGA 助力 存储器 接口设计
- 市场调研公司VLSI Research指出，6月全球半导体设备订单出货比11个月来首次超过1。
VLSI Research的数据显示，6月全球芯片设备订单出货比升至1.01，是去年7月来首次突破1。
6月全球设备订单额达25亿美元，较5月增长40%，但较去年6月减少41%。6月出货额较5月增长31%，达24亿美元，但较去年6月减少57%。
VLSI Research指出目前订单出货额仍低于正常水平，但已出现了一些积极的趋势。
后端设备供应商预计将获得一次强劲增长，后端工厂产能利
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芯片设备 半导体设备 SDRAM 存储器
- 三星破天荒公布第二季获利预估，优于市场预期，业界认为作多意味浓厚，三星主要业务涵盖面板、手机、半导体晶片等三大领域，以现况来看，面板需求畅旺无虞，但半导体芯片，尤其是DRAM与NAND Flash两大存储领域，则仍有观察空间。
近来包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、南科、力晶等岛内外大厂，纷纷看好下半年DRAM价格走势，为市场信心吞下一颗定心丸。
但业界忧心，三星第二季整体获利超乎市场预期，在记忆体价格仍未见明显起色下，是否会以其他部门的获利，来弥补存储事业亏损，进而持续以&
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三星 DRAM 存储器
闪速(flash)存储器介绍
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