- 据Digitimes网站报道，终端需求持续疲弱，11月上旬DRAM合约价再跌10%，DRAM市场没有任何止跌迹象，而现货价跌势亦让合约价无法止跌回稳，不少DRAM大厂为消化库存，不断以低价方式销售DRAM模块，让市场价格陷入冻结，即使多家DRAM厂宣布要减产救市，但目前对于DRAM价格仍没有太大激励性。
受全球金融海啸冲击，2008年下半电子产业传统旺季失灵，DRAM价格也在旺季中出现重挫，不仅最新出炉的11月上旬DRAM合约价再跌10%之多，1Gb容量DDR2价格仅剩下1.19美元，下半
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DRAM 存储器 金融海啸
- 市场研究公司iSuppli在日前发布的预测中指出，全球NAND flash市场收入在上世纪末和本世纪初曾获得超过100％速度的增长，然而2008年，预计NAND flash市场收入将减少14％，2009年继续减少15％。
预测报告显示，2008年NAND flash收入将从2007年的139亿美元减少至120亿美元，2009年进一步减少至102亿美元。
此前，iSuppli预测2008年NAND flash市场微减3％，2009年恢复增长，增长率为12％。今年是全球NAND flash收入
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NAND flash
- 来工业界的领袖们几乎一致的采用“困难”、“不可预测”、“差”或者“有限的可见度”来描绘目前工业的现状、前景的不确定性以及未来可能面临严峻的挑战。
此次金融风暴危害有多深？
由美国次贷危机引发的金融风暴，已经从美国蔓延至全球。从9月15日美国雷曼银行倒闭到如今的1个半月中，全球股市总计蒸发了10万亿美元。不少国家出现财政危机，如冰岛政府向IMF求20亿美元的紧急贷款。预计未来匈牙利、罗
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半导体 硅片 存储器 金融危机
- 引言一个完整的嵌入式系统必须要有一个合适的存储器存放用户代码。Flash是一种非易失性存储器,而...
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TI DSP FLASH 算法 嵌入式
- 台湾地区取得全球晶圆代工第一、封装第一及IC设计第二（仅次于美国）如此骄人的成绩，并没有 沾沾自喜，相反总是在努力寻找差距，并确立追赶目标，这一点非常难能可贵。例如在台湾岛内自2004年开始，就半导体及平板显示业展开大讨论，以南韩为目标寻找差距。口号是“为什么韩国能，台湾不能？”
通过分析与比较，台湾在半导体产业中的目标是：1) 总产值要超过韩国，成为继美国，日本之后的全球第三位；2) 在未来三至五年中，存储器业要超过韩国，成为全球第一。
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晶圆 IC设计 存储器 DRAM 半导体业
- 2008年10月9日，国内知名电子元器件分销商世强电讯携手优秀的半导体厂商NEC电子在北京成功举办了“All Flash MCU应用技术研讨会”。
本次研讨会是世强电讯继成为NEC电子大中国区代理商以来，首次举办的大型全国性巡回研讨会。近200名来自工业、通讯、消费电子、教育科研等领域的研发工程师及技术人员受邀出席了本次会议，共同见证并体验了NEC电子All Flash MCU的结构特征和应用优势。
会场上，来自主办方的技术专家向现场听众重点介绍了NEC电子
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NEC 世强电讯 All Flash MCU
- 受美国金融危机的影响，市场调研机构纷纷调整对半导体产业前景的预期。
半导体设备市场正在发生变化，8月SEMI发布乐观的2009年资本支出预测后，日前调降了市场预期，并称诸多芯片制造商处于突然其来的“恐慌状态”。8月的报告中，SEMI预测2008年晶圆厂设备支出减少20％，而2009年将反弹20％。对于2008年的预测没有变化。但对于2009年，SEMI分析师ChristianGregorDieseldorff表示，预计半导体资本支出增幅在-10％至5％之间。许多芯片制
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半导体 存储器 芯片
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DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JED-EC开发的新生代内存技术标准,与上一代DDR内存技术标准相比，虽然采用时钟的上升／下降沿同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有2倍于上一代DDR内存预读取能力(即：4 bit数据读预取)。即就是，DDR2内存每时钟能以4倍的外部总线速度读／写数据,并且能以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装,而不是目前DDR广泛应用的TSOP/TSOP-II封装,FB
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嵌入式 内存 DDR2 存储器
- 提到“华尔街”，这个词现在所包含的意义其实已经远远超过了纽约市内那条短短的WALL Street，因为对于世界经济来说，华尔街俨然世界经济的心脏，华尔街模式的存在成为保持经济活力的源泉。其实，华尔街模式并不神秘，说得简单点，所谓“华尔街”模式不过是金融运作的高级手段，之所以充满活力是因为其本身几乎就是空手套白狼。然而，空手不是永远安全，总有被狼咬上一口的时候，随着最近次贷危机中众多独立投行的危机，华尔街特有的商业投资模式正式被美国财政部叫停。
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半导体 华尔街 金融 投资银行 私募基金 芯片 存储器 产业结构
- Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速访问、无延迟(NoDelay?) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1Mb串行闪存和串行EEPRO
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存储器 F-RAM Ramtron 闪存
- 爱特梅尔公司 (Atmel® Corporation) 宣布业界首款能够在1.8V电压下运作的8Mb Serial Flash 器件 AT25DF081，经已准备投产。全新的AT25DF081具有1.65V到1.95V的低工作电压范围，与许多现有和即将面市的采用亚90nm工艺的ASIC和处理器/控制器相同的工作电压，允许系统设计人员最终创建出使用单一电源电压为系统中所有元件供电的应用，并可显著降低成本。不同于那些经筛选在较低电压下工作而使到性能降低的器件，AT25DF081专门针对1.8V电压
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Atmel Flash Serial 爱特梅尔
- 近期黑心NAND闪存大量流窜到市面上，多数仿造三星产品，三星电子成最大受害者。
网易科技讯 9月16日消息，全球存储器市场不景气，而伪劣商品却大行其道，过去市面上曾出现黑心记忆卡，但近期在市场却首次出现黑心NAND Flash，大批已封装晶圆颗粒经拆封后，竟发现里面连芯片都没有，且已整批流窜到市面上，其中，以三星电子(Samsung Electronics)品牌NAND Flash为被仿冒大宗，算是最大受害者。业内人士表示，假的NAND Flash产品都是整批以低价交易，严重破坏NAND
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NAND 三星 存储器 黑心商品
- 1 引言
在现代数字信号处理系统中，采用Flash做为DSP程序加载和引导是一种常用的方法，它为用户对那些将来可能需要改变数据或代码的系统维护提供了有效手段。利用Flash器件，能够实现在线程序编写，减少EPROM程序烧写带来的麻烦。
2 Flash AM29LV800B简介
Flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的特点，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)功能，而且不会断电丢失数据同时能快速读取数据，它具有在线电擦写、低功耗、大容量、擦写速度快等特点，属于EEPROM
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DSP Flash 接口 EPROM 闪存
- NEC电子是世界上首家可以提供All Flash MCU的厂商，随着flash存储器技术的成熟以及功耗、成本的下降，它已经被越来越多地应用于MCU。从NEC电子All Flash MCU保持年均3倍以上增速的交货量来看，All Flash MCU在业界被越来越多的人认知并大受欢迎的事实已不容置疑。
为协助更多的工程师快速了解NEC电子全新的All Flash MCU,全面展示其卓越性能与广泛应用，从2008年10月9日起， NEC电子将与其授权代理商世强电讯携手，蔚为壮观地在全国11个城市巡回举
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闪速(flash)存储器介绍
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