生成式AI的爆发、大模型参数量级的指数级跃升、多场景实时推理需求的井喷式增长，让AI服务器正承受着前所未有的压力——更大的功耗、更快的数据传输、更高的集成密度。在这样的环境下，系统的稳定运行依赖于每一个元器件的协同配合，从功率转换到信号保护，再到电路板级的防护，缺一不可。2026年，罗姆携多款创新产品，为AI服务器搭建起覆盖“功率转换—信号保护—电路防护”全链路的“安全三角”。接下来，我们将逐一解析这几款产品各自攻克的痛点罗姆面向下一代800 VDC架构发布了电源解决方案白皮书，详细内容您可点击下载。60
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罗姆
多维元器件
AI服务器
未来，AI数据中心的算力瓶颈最终将是电力，电力传输系统是算力提升的关键约束，AI数据中心的电源系统从传统48V架构在逐渐过渡到HVDC供电架构，并在往SST（固态变压器）的最终形态转变。而宽禁带半导体（SiC和GaN）在这些高压电力转换过程中可以充分发挥其高压高频高速的材料和器件特性。作为全球功率半导体标杆企业，罗姆半导体是如何应对这场功率变革的呢？近日，EEPW电子产品世界的记者采访了罗姆半导体（上海）有限公司深圳分公司技术中心高级经理苏勇锦。罗姆半导体（上海）有限公司深圳分公司技术中心高级经理&nbs
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202608
AI算力电源
罗姆
ROHM
SiC模块
数据中心供电
SiC MOSFET
GaN HEMT
全球知名半导体制造商罗姆宣布，将于7月1日～3日参加2026慕尼黑上海电子展（electronica Shanghai 2026）。届时，罗姆将在上海新国际博览中心N4馆500号展位，集中展示其面向AI服务器、车载及工业设备等领域的多元化产品与解决方案，以及丰富的应用案例。当前，AI算力基础设施、新能源汽车和工业智能化正在推动电子系统向更高功率密度、更高能效和更高可靠性方向演进。尤其是在AI服务器和数据中心领域，电源架构正面临大功率、高效率和系统级优化的多重挑战；在汽车电子领域，智能座舱、ADAS和车载高
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罗姆
慕尼黑上海电子展
SiC
罗姆半导体（ROHM）全新研发 TSC3PAK 封装，这是一款适配碳化硅（SiC）MOSFET 的顶部散热封装，面向新能源车、工业设备高压电能变换场景。该表面贴装封装尺寸为 14.00×18.58×3.50 mm，既支持自动化贴装工艺，散热能力又可媲美 TO-247-4L 等传统插针式封装。随着碳化硅器件的应用场景从牵引逆变器拓展至车载充电机、电动压缩机、服务器电源、光伏逆变器等设备，封装方案已然成为核心设计考量点。支持自动化组装的顶部散热架构大功率场景传统碳化硅 MOSFET 普遍采用插针式封装，虽然散
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罗姆
碳化硅
MOSFET
顶部散热
日本功率半导体厂商罗姆（ROHM Semiconductor）与德国设备制造商爱思强（AIXTRON）达成全新生产合作，扩大氮化镓（GaN）制造能力。根据合作协议，罗姆将在日本滨松工厂引入爱思强 G10-GaN 外延沉积平台，实现氮化镓外延工序自研自产。该设备已进入量产爬坡阶段，专注生产8 英寸氮化镓外延片，分别面向 650V 与 100V 功率器件平台。此次合作凸显：随着 AI 基础设施与电动汽车需求激增，行业正持续加码氮化镓产能投资。这一合作也表明，功率半导体厂商正愈发重视化合物半导体的供应链掌控与垂
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氮化镓
功率半导体
罗姆
爱思强
AI数据中心
电动汽车
中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境
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罗姆
SiC
MOSFET
AI服务器
电池备份单元
过去十年里，碳化硅（SiC）功率器件的叙事主线几乎始终围绕新能源汽车展开。从650V、1200V到1700V，SiC MOSFET最重要的技术价值是替代传统硅基IGBT，提高逆变效率、降低散热压力并缩小系统体积。随着新能源汽车市场逐渐成熟，领先的SiC企业们纷纷谋求进入新的竞争阶段：谁能够率先突破“中高压”乃至“超高压”电力电子领域，谁就有机会成为下一代SiC竞争的赢家。 在这样的背景下，压力重重的Wolfspeed（欧胜）于2026年3月率先发布全球首款商业化10kV SiC MOSFET（C
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SiC
10KV
Wolfspeed
英飞凌
罗姆
202606
意义：2025至2026财年，尽管受美国加征关税、原材料价格上涨及人力资源投入增加等不利因素影响，电装依托降本举措及生产规模扩大，营业利润实现同比增长。此外，由于未能获得罗姆公司董事会及特别委员会的支持，电装公司宣布撤回对罗姆公司的收购提案。展望：截至2026年3月31日的2025-2026财年内，尽管受美国加征关税的影响，但在全球货币与财政政策、人工智能投资升温的共同推动下，全球经济整体保持平稳运行。与此同时，供应链扰动、中东紧张局势等地缘政治问题，进一步加剧市场不确定性，并推高通胀水平。在此期间，公司
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电装公司
罗姆
路透社 4 月 27 日报道，因未能获得罗姆公司同意，电装集团正考虑撤回针对这家日本芯片制造商的收购提案。这家丰田集团旗下零部件供应商最早于今年 2 月提交收购要约，一旦落地，罗姆的碳化硅功率半导体业务将直接纳入车企体系管控。目前该笔收购取消的原因众说纷纭，日经的报道是电装认为无法满足罗姆的报价要求，而路透社则认为罗姆内部评估后认为三家合并计划对罗姆未来比被电装收购更有利。不管如何，电装撤回收购报价，意味着日本功率器件三强的合并将全面加速。罗姆方
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电装
罗姆
功率器件
据罗姆官方消息，日本半导体制造商罗姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的开发。新产品通过改进器件结构和优化制造工艺，在175℃结温（Tj）条件下，导通电阻较上一代产品降低了约30%。罗姆指出，这款SiC MOSFET在电动汽车（xEV）牵引逆变器等高温环境下表现出色，能够有效缩小单元体积并提升输出功率。同时，该芯片还非常适合用于AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源系统，展现了其在高性能应用场景中的潜力。
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罗姆
第5代碳化硅
MOSFET
对于日渐憔悴的日本半导体产业来说，抱团整合似乎成为日本经济产业省重塑日本半导体辉煌仅有的手段，从现在日本最大的芯片企业瑞萨，到已经不复存在的存储巨头尔必达（Elpida），还有闪存领域的铠侠，以及还没量产就誓言要挑战台积电的Rapidus，下一个抱团整合的目标轮到了今天着重谈及的日本功率半导体。三菱电机、罗姆和东芝半导体，是日本现有功率半导体领域三大具有国际影响力的厂商，当然瑞萨电子也有功率半导体业务，但这部分业务主体来自于收购的美国厂商。在机械工业唱主角的时代，日本的功率半导体实力丝毫不弱于美国和欧洲，
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日本
功率半导体
罗姆
据日经新闻、产经新闻等报道，日本罗姆半导体（Rohm）于3月27日宣布，已与东芝旗下的Electronic Devices & Storage半导体业务以及三菱电机的功率元件业务达成基本协议，三方将围绕事业与经营整合展开正式协商。 罗姆社长东克己在当天受访时表示，电装（Denso）此前提出的并购提案加速了罗姆与东芝及三菱电机的整合进程。但他强调，此次整合并非单纯为了对抗电装，而是罗姆既有成长战略的延续。东克己分析称，加入丰田（Toyota）集团体系虽能稳定车用业务并获得资金支持，但可能导
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功率半导体
罗姆
东芝
三菱电机
据《日本经济新闻》报道，罗姆与东芝正在磋商合并双方的功率半导体业务。上周有报道称电装公司对罗姆提出82 亿美元收购要约。据悉，罗姆和东芝可能为其功率半导体业务成立一家独立的合资企业；另一种方案则是，电装收购罗姆的同时接手东芝的功率半导体业务，进而达成两家功率半导体业务整合的目的。 东芝和罗姆在功率半导体领域的市场份额均约为 2.5%，两家的合作谈判已经持续多年，2023 年东芝半导体进行重组期间，罗姆通过日本产业合作伙伴（JIP）投资基金向东芝注资约 20 亿美元，希望借此通过整合提升市场竞争力
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罗姆
东芝
功率半导体
据《日经新闻》报道，日本汽车零部件供应商电装（Denso） 已发出收购要约，拟以约82 亿美元收购罗姆（Rohm）。电装今日早些时候表示：“我方正在考虑包括收购罗姆股份在内的多项战略选择”，并补充称，“将及时披露所有决定予以公开的重大信息”。在日本功率半导体领域，电装目前与富士电机合作，而罗姆则与东芝合作。若电装成功收购罗姆，现有这些合作关系将被打破。收购背景与金额截至去年 7 月，电装持有罗姆约5%的股份。罗姆昨日市值约为70 亿美元。若电装计划收购剩余约95%股份，收购总价预计约为82 亿美元。电装近
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电装
收购
罗姆
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司（TSMC）的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。通过获得台积公司的GaN技术授权，罗姆将进一步增强相应产品的供应能力，从而满足AI服务器和电动汽车等领域对GaN产品日益增长的需求。 GaN功率器件具有优异的高电压和高频特性，有助于应用产品实现更高效率和更小体积，因此已被广泛应用于AC适配器等消费电子产品。此外，其在AI服务器的电源单元及电动汽车（EV）的车载充电器等
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罗姆
GaN
功率器件
供应能力
● 英飞凌与罗姆签署谅解备忘录，约定互为采用特定碳化硅（SiC）半导体产品的客户提供第二供应商支持● 未来，客户可在英飞凌与罗姆各自的对应产品间轻松切换，从而提升设计与采购的灵活性● 此类产品能提高汽车车载充电器、可再生能源及AI数据中心等应用场景中的功率密度英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer（左）罗姆董事兼常务执行官伊野和英（右）全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以
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英飞凌
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SiC功率器件
SiC
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）近日宣布，与英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等领域的SiC功率器件封装展开合作，推动彼此成为SiC功率器件特定封装的第二供应商。未来，用户可同时从罗姆与英飞凌采购兼容封装的产品，既能灵活满足客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升用户在设计与采购环节的便利性。英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter
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罗姆
英飞凌
SiC
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，与中国知名OEM厂商奇瑞汽车股份有限公司（以下简称“奇瑞”）于2025年6月5日在奇瑞总部共同举办的“奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日”圆满落幕。奇瑞汽车股份有限公司执行副总裁 高新华博士、罗姆高级执行官 阪井 正树等多位高层领导出席本次活动。双方技术专家及供应链核心伙伴齐聚一堂，共话汽车电子前沿技术，致力于为未来智慧出行注入强劲创新动力。右三：奇瑞汽车股份有限公司执行副总裁；高新华博士；右四：罗姆高级执行官 阪井 正树奇瑞汽车股份有限公司执行副总
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奇瑞
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汽车电子技术
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，与领先的车规芯片企业芯驰科技面向智能座舱联合开发出参考设计“REF68003”。该参考设计主要覆盖芯驰科技的智能座舱SoC*1“X9SP”产品，其中配备了罗姆的PMIC*2产品，并在2025年上海车展芯驰科技展台进行了展示。2025年上海车展芯驰科技展台现场照片；右三：芯驰科技 创始人 仇雨菁 左二：芯驰科技 创始人 CTO 孙鸣乐；左三： 罗姆半导体（上海）有限公司 董事长 米泽 秀一芯驰科技的X9系列产品全面覆盖仪表、IV
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芯驰
PMIC
智能座舱
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新跨界纯电动汽车（BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。“bZ5”作为丰田与比亚迪丰田电动车科技有限公司（以下简称“BTET”）、一汽丰田汽车有限公司（以下简称“一汽丰田”）联合开发的跨界纯电动汽车，由一汽丰田于2025年6月正式发售。此次采用的功率模块由罗姆与正海集团的合资企业——上海海姆希科
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SiC MOSFET
丰田
纯电车型
随着人工智能持续重新定义计算的边界，为这些进步提供动力的基础设施也必须同步发展。作为功率半导体技术领域公认的领导者，罗姆很荣幸成为支持英伟达全新800V高压直流（HVDC）架构的主要硅供应商之一。这标志着数据中心设计的关键转变，使兆瓦级人工智能工厂变得更加高效、可扩展和可持续。罗姆不仅提供硅（Si）功率元器件，还拥有包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体在内的丰富产品阵容，可为数据中心的设计提供更优解决方案。得益于极高的成本效益和可靠性，Si MOSFET已被广泛应用于汽车和工业设备市场的电
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罗姆
电源解决方案
全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称“SMA”）在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模太阳能发电设施、储能系统以及下一代技术设计的模块化平台，旨在进一步提高电网的效率和稳定性。罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示：“罗姆新型2kV耐压SiC MOSFETs是为1,500V DC链路实
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罗姆
ROHM
SiC MOSFET
功率模块
太阳能
Mazda Motor Corporation（以下简称“马自达”）与ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）开始联合开发采用下一代半导体技术——氮化镓（GaN）功率半导体的汽车零部件。（左）马自达董事、专务执行官兼CTO 广濑一郎／（右）罗姆董事、专务执行官 东克己马自达与罗姆自2022年起，在“针对电驱动单元的开发与生产合作体系”中，一直在推进搭载碳化硅（SiC）功率半导体的逆变器的联合开发。此次，双方又着手开发采用GaN功率半导体的汽车零部件，旨在为下一代电动汽车打造创新型汽车零部件。GaN
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马自达
罗姆
下一代半导体
汽车零部件
全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN™产品GaN HEMT，被先进的日本电子元器件、电池和电源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI（人工智能）服务器电源采用。罗姆的GaN HEMT具有低损耗工作和高速开关性能，助力Murata Power Solutions的AI服务器5.5kW输出电源单元实现小型化和高效率工作。预计该电源单元将于2025年开始量产。近年来，随着AI（人工智能）和AR（增强现实）等在I
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罗姆
EcoGaN
村田
服务器电源
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）被主要对企业等的环境相关战略及举措进行评估和认证的国际非营利组织CDP（总部位于英国）评为“CDP气候变化领域A级榜单企业”、“CDP水安全领域A级榜单企业”。在最高级“A级榜单企业”的评定中，罗姆在气候变化领域为首次入选，在水安全领域已经连续第四年入选。CDP是环保领域的国际非营利组织，运营针对企业和地方政府的全球环境信息披露系统，实施“气候变化”和“水安全”等环境信息调查并公布相应的调查结果。本调查与TCFD框架完全一致，其评分被广泛用于面向可持续且有韧性
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罗姆
CDP气候变化
CDP水安全
Source: Getty image/ CHUNYIP WONG据1月7日发布的一篇新闻稿，罗姆半导体宣布研发出一款全新的高输出功率激光二极管RLD8BQAB3，该二极管专为采用激光雷达技术进行距离测量和空间识别的高级驾驶辅助系统而设计。RLD8BQAB3是激光二极管技术的一大突破，提供了实现精确远距离信息探测所需的千瓦级高输出功率，随着激光雷达应用的不断扩展，这一需求正变得愈发重要。凭借其实现更窄激光线宽的专利技术，罗姆半导体在2019年推出了输出功率为25瓦的RLD90QZW5，并于2023年推出了
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罗姆
激光雷达
功率激光二极管
1. 前言近年来，全球耗电量逐年增加，在工业和交通运输领域的增长尤为显著。另外，以化石燃料为基础的火力发电和经济活动所产生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成为严重的社会问题。因此，为了实现零碳社会，努力提高能源利用效率并实现碳中和已成为全球共同的目标。在这种背景下，罗姆致力于通过电子技术解决社会问题，专注于开发在大功率应用中可提升效率的关键——功率半导体，并提供相关的电源解决方案。本白皮书将通过“Power Eco Family”的品牌理念，介绍为构建应用生
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罗姆
功率半导体
12 月 12 日消息，日本半导体制造商罗姆 ROHM 当地时间本月 10 日宣布同台积电就车载氮化镓 GaN 功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。罗姆此前已于 2023 年采用台积电的 650V 氮化镓 HEMT（注：高电子迁移率晶体管）工艺推出了 EcoGaN 系列新产品。罗姆、台积电双方将致力于把罗姆的氮化镓器件开发技术与台积电业界先进的 GaN-on-Silicon（硅基氮化镓）工艺技术优势结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优异的功率器件日益增长的需求。台积电在新闻稿中提到，
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罗姆
台积电
氮化镓
功率器件
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）生产的SoC用PMIC*1被无晶圆厂车载半导体综合制造商Telechips Inc.（总部位于韩国板桥，以下简称“Telechips”）的新一代座舱用SoC*2“Dolphin3”和“Dolphin5”为主的电源参考设计采用。该参考设计计划用于欧洲汽车制造商的座舱，这种座舱预计于2025年开始量产。在车载信息娱乐系统用AP（应用处理器）*3“Dolphin3” 的电源参考设计中，配备了SoC用的主PMIC“BD96801Qxx-C”。另外，在新一代数字座舱用A
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罗姆
PMIC
Telechips
座舱电源
1 LiDAR（3D感测和距离感测）备受瞩目在物流行业，物流需求持续扩大，但同时也面临着严重的劳动力短缺问题。越来越多的业内企业开始考虑引进智慧物流系统，利用AGV（无人搬运车）和AMR（自主移动机器人）等执行工作。然而，也有很多企业担心安全性和系统管理等方面的问题。实际上，ISO 对功能安全的要求也很高，能够确保安全性的智能感测技术和模块已经逐渐成为不可或缺的存在。在这种背景下，旨在构建更安全、更安心的智慧物流系统，并且能够更精准地感测更远的距离、不易受到阳光干扰的激光雷达LiD
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202411
LiDAR
激光雷达
智慧物流
罗姆
激光器
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罗姆介绍
罗姆电子（ROHM Co., Ltd.）是日本半导体制造商，总部在京都市左京区，创始人是佐藤研一郎，成立于1958年。罗姆电子的二极管与芯片在世界上拥有很高的占有率。
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