- LED 领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位错(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1 cm-2，引起Vf偏移的基面位错容量小于0.1 cm-2。
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科锐 LED 碳化硅
- 科锐材料产品经理 Vijay Balakrishna博士表示：“科锐拥有在碳化硅领域100毫米外延片的强大量产能力。最新的150毫米技术将进一步提升碳化硅晶圆片的标准。科锐的垂直整合能力确保能够为客户提供针对高品质150毫米碳化硅外延片的完整解决方案，并为电力电子市场的领先企业提供稳定的供货保障。
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科锐 碳化硅 LED
- LED领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4H N型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片，从而继续引领碳化硅材料市场的发展。此项最新技术能够降低设备成本，并能够利用现有150毫米设备工艺线。新型150毫米外延片拥有高度均一的厚度为100微米的外延层，并已开始订购。
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科锐 LED 碳化硅
- 进入21世纪，开关电源技术将会有更大的发展，这需要我国电力电子、电源、通信、器件、材料等工业和学术各界努...
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开关电源 转换器 碳化硅（SiC）
- 在“2012年欧洲电力电子、智能运动、电能品质国际研讨会与展览会”上，英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，该产品系列增强了英飞凌在SiC(碳化硅)产品市场的领先地位。这个革命性的新产品系列，立足于英飞凌在SiC技术开发以及高质量、大批量生产方面十多年的丰富经验。
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英飞凌 SiC JFET
- 由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖，电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率，具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中，功率损耗的降低可以改善
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VCESAT 1200V 开关 碳化硅
- 日本京都大学工学研究系电子工学专业教授木本恒暢等人的研究小组，试制出了耐压高达21.7kV的SiC制PiN二极管。此前虽有耐压为十数kV的半导体功率元件，但超过20kV的尚为首次，“是半导体元件中的世界最高值”(木本)。
该二极管的设想用途为置换变电站使用的硅制GTO。比如，日本的电网电压为6.6kV，因此要求耐压达到20kV。据称目前是使用3～4个数kV的GTO来确保耐压的。如果使用耐压超过20kV的SiC制PiN二极管，一个即可满足要求。由此，转换器及冷却器等便可实现
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SIC 二极管 半导体
- TRIFIA 2012年清华-罗姆国际产学连携论坛于4月28日在清华罗姆电子馆召开，来自清华的教授跟与会者分享了与罗姆合作以来在某些领域取得的成果以及一些教学科研经验。会后，罗姆株式会社常务董事高须秀视先生和清华电子工程系系主任王希勤教授接受了采访，我们了解到了更多罗姆和清华在产学研方面的相关合作。
以“罗姆”命名清华楼，并无排他性
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罗姆 SiC
- 与SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的beta;-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员，以论
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SiC 讲座 功率元件 氧化镓
- 功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准
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电源应用 碳化硅 肖特基二极管
- 基板成本也较低采用β-Ga2O3制作基板时，可使用“FZ（floatingzone）法”及“EFG（edge-definedfilm-fed...
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氧化镓 SiC 功率元件 MOSFET LED
- 与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源...
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SiC 功率元件 GaN 导通电阻
- 采用IMEC的SiC技术完成生物电信号采集,人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的体积
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IMEC SiC 生物电信号采集
- 日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模块(额定1200V/100A)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)构成。
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罗姆 半导体 SiC
- 由于具有低功耗、高耐压、高耐温、高可靠性等优点，SiC功率器件被广泛应用于电动汽车/混合动力车中的逆变器、转换器、PFC电路等领域、传统工业(尤其是军工)中的功率转换领域以及太阳能、风能等新能源中的整流、逆变等领域，很多半导体厂商都看好SiC技术的未来，并积极投身其中，在08年收购生产SiC晶圆的德国SiCrystal公司之后，罗姆半导体(ROHM)已经在SiC领域形成了从晶圆制造、前期工序、后期工序再到功率模块的一条龙生产体系，并率先市场SiC器件的量产，罗姆要将SiC器件应用于哪些新兴领域?如何发挥其
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罗姆 太阳能 SiC
碳化硅（sic）介绍
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