- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。
新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道技术的首款芯片级产品。这种最先进的技术能够实现超精细、亚微米的节距工艺，将业内P沟道MOSFET所能实现的最低导通电阻减小了一半：在4.5V、2
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Vishay MOSFET TrenchFET
- 英飞凌科技股份公司与飞兆半导体公司近日宣布，两家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。
兼容协议旨在保证供货稳定性，同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业技术，为3A至20A的DC-DC应用提供非对称MOSFET、双MOSFET和单MOSFET。
英飞凌低压MOSFET产品总监兼产品线经理Richard Kuncic表示：“我们的客户将从功
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英飞凌 MOSFET 飞兆半导体
- Maxim推出内置28V MOSFET的双向过流保护器MAX14544/MAX14545，有效避免主机因过载故障和/或输出过压而损坏。器件本身的集成功能，结合开关断开状态下输出端较高的耐压能力，使其成为外设供电端口保护的理想选择。目标应用包括：蜂窝电话、MID (移动互联网设备)、电子书及其它外挂配件的便携设备。
MAX14544/MAX14545的正向限流值可在200mA和400mA的工厂预置门限之间选择，反向限流值设置为150mA。器件采用2mm x 2mm、8引脚TDFN无铅封装，工作在-
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Maxim MOSFET 过流保护器
- 恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日成为首个发布以LFPAK为封装(一种紧凑型热增强无损耗的封装)全系列汽车功率MOSFET的供应商。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LFPAK封装MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)被认为是世界上高度可靠的功率SO-8封装。LFPAK封装针对高密度汽车应用进行了优化，其面积比DPAK封装减小了46%而具有与DPAK封装近似的热性能。
随着对电子应用不断增长的消费需求，汽车
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NXP MOSFET LFPAK
- 全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。
兼容协议旨在保证供货稳定性，同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业技术，为3A至20A的DC-DC应用提供非对称、单一n沟道MOSFET。
飞兆半
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英飞凌 MOSFET DC-DC
- 全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封装的功率MOSFET达成封装合作伙伴协议。
兼容协议旨在保证供货稳定性，同时满足对同级最佳的DC-DC转换效率和热性能的需求。这项协议利用了两家企业的专业技术，为3A至20A的DC-DC应用提供非对称、单一n沟道MOSFET。
飞兆半
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Fairchild MOSFET
- 据来自IC分销渠道的消息人士透露，目前包括电源管理芯片(PWM)、金氧半场效晶体管(MOSFET)和DRAM在内的大部分半导体元件供应比较紧张，但是由于代工厂已经在满负荷运行，预计短期内这种情况不会得到缓解。
据台湾媒体报道，消息人士指出，预计在今年第二季度，半导体元件的价格涨幅将超过10%。在第一季度中，其价格已经平均提高了5-10%。
另外，消息人士还表示，由于在第一季度NOR闪存芯片供应不足，多芯片封装(multi-chip package，MCP)价格涨幅最大，在今年余下几个月中，
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PWM MOSFET DRAM
- 准方波谐振转换器也称准谐振(QR)转换器，广泛用于电源适配器。准方波谐振的关键特征是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在漏极至源极电压(VDS)达到其最低值时导通，从而减小开关损耗及改善电磁干扰(EMI)信号。
准谐振转换器采用不连续导电模式(DCM)工作时，VDS必须从输入电压(Vin)与反射电压(Vreflect)之和降低到Vin。变压器初级电感(Lp)与节点电容(Clump，即环绕MOSFET漏极节点的所有电容组合值，包括MOSFET电容和变压器寄生电容等)构成谐振网络，Lp与C
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安森美 MOSFET 电源适配器 EMI
- 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布推出创新的双端子CAPZero系列IC，该IC可对X电容自动进行放电，不仅能消除功率损耗，还可轻松满足各项安全标准。
X电容通常位于电源的输入端子之间，用于过滤EMI噪声。由于它们可以在AC断电后长时间贮存高压电能，因此会构成安全威胁。电阻通常用于对这些电容进行放电，以便满足安全要求;但这些电阻会在AC接通后产生恒定的功率损耗，这是造成空载及待机输入功耗的重要因素。
CAPZero与放电电容串联
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PI CAPZero MOSFET
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片组，为 12V 输入同步降压应用 (包括服务器、台式电脑和笔记本电脑) 提供最佳效率。
IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片组不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技术，还具有业界领先的性能指数 (FOM) 及 DirectFET 封装卓越的开关和热特性，成为一个为高频率 DC-DC 开
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IR MOSFET DirectFET 芯片组
- 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET器件阵容，新推出带集成肖特基二极管的30 V产品。
NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 毫欧(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻抗(RDS(on))值，针对降压转换器应用中的同步端而优化，达致更高电源能效。典型门电荷(在4.5 V门极-源极电压(Vgs)时)规格分别为39.6纳库仑(nC)、25.6 nC及1
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安森美 MOSFET 肖特基二极管
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系列，适用于需要低导通电阻的各种应用，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵和电机控制、DC-DC 转换、电池开关，以及内燃机 (ICE) 和混合动力汽车平台的其它重载应用。
新器件采用了 IR 经过验证的 Gen 10.2 技术，可提供低至 1.0 mΩ 的导通电阻 (最大) ，在各种表面贴装器件 (SMD) 和通孔封装上均可承受 24V 至
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IR MOSFET
- 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非所有原创。包含 MOS管的推选 ，特征，驱动以及运用 电路。
在运用 MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会思虑 M
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MOSFET 利用 原理 电路 驱动
- 日前，Vishay宣布推出新款500V N沟道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。
SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性，从而能够更好地抵御EMI，实现更高的效率，同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V电压等级，在10V栅极驱动下的最大导通电
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Vishay MOSFET
- 美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示，2010年的市场规模近乎为零，但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式，不断扩大市场规模。iSuppli预测，该产品在高性能服务器、笔记本电脑、手机及有线通信设备等方面的应用将取得进展。
目前，GaN功率半导体正处于在研究室评测阶段，或者刚开始商用化的阶段。不过，GaN功率半导体与采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有导通电阻较低等优点，可提高电源电路的转
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GaN MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介绍
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