Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封装，包含一对互补100V增强式MOSFET，性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路，应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出：“这个N通道和P通道组合的MOSFET能够代替采用SOT223及DPak (TO252) 封装的同等器件，有助减省电路板空间及元件数目，同时简化栅极驱动电路设计。比方说，SO8充分发挥了
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Diodes MOSFET ZXMC10A816
Diodes 公司推出四款半桥MOSFET 封装，为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸，极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出：“ZXMHC 元件为SO8封装，包含两对互补N型和P型MOSFET，可取代四个分立式SOT23封装的MOSFET或两个SO8 互补MOSFET 封装。对于现有不同类型的电机或其它感性负载驱动装置来说，这意味着可节省至少一半的PCB占板面积，同时大幅降低整体存货成本。”
ZXM
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Diodes MOSFET 半桥器件 ZXMHC SO8
Maxim推出内置升压开关的低电压、降压调节器MAX17083。该器件专为空间紧张的应用而设计，在微小的16mm² TQFN封装中集成了双路n沟道MOSFET功率开关。内部25mΩ、低边功率MOSFET能够提供高达5A的持续负载电流，在保证高效率的同时减少了元件数量。MAX17083无需外部肖特基二极管以及外部升压二极管，进一步节省了空间和成本。这款小型降压调节器理想用于超便携移动PC (UMPC)、上网本、便携式游戏机及其它紧凑的低功耗应用。
MAX17083采用电流模式
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Maxim 降压调节器 MAX17083 MOSFET
今日在深圳举办的中国国际电源展览会上，英飞凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的这个产品系列具备业内领先的导通电阻(RDS(on))和品质因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何负载条件下，降低开关模式电源(SMPS)、电机控制和快速开关D类功放等电源产品的功率损耗并改善其整体能效。
OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流开关模式电源(譬如面向全球市场的台式机和计算机服务器装备的电源)的同步整流的
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英飞凌 MOSFET OptiMOS SMPS
本文描述了不对称半桥转换器的基本工作原理，并介绍了一种相比普通分立式MOSFET及PWM控制器解决方案具有显著优势的集成式功率开关。此外还阐释了这种专门为软开关转换器而设计的功率开关如何降低设计总成本和元件数目、减小尺寸和重量，同时提高效率、产能和系统可靠性。
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飞兆 SMPS PWM MOSFET PCB版图设计 200906
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，适用于低、中、高压汽车应用，包括汽车预电充开关、步进驱动器和DC-DC转换器。
AUIRS2003S符合AEC-Q100标准，是一款坚固耐用、灵活的高速功率MOSFET驱动器，并备有高、低侧参考输出通道，适用于恶劣的汽车环境及引擎罩下的应用。这款输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，可将驱动器跨导降至最低，而浮动通道可在最高200V的高侧配置中驱动一个 N 沟道功率MOSFET。
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IR MOSFET 驱动器IC
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。
新 MOSFET 系列采用了 IR 经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻 (RDS(on)) ，并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率
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IR MOSFET 硅技术
Diodes公司应用的高热效率、超小型DFN封装的双器件组合技术,推出便携式充电设备的开关。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封装，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020两种封装以供选择。DMP2160UFDB则把两个相同的MOSFET组合封装成DFN2020形式。
与传统便携式应用设计中常用的体积较大的3mm x 3mm封装相
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Diodes MOSFET DFN封装
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封装的100V MOSFET器件，使用了飞兆半导体先进的PowerTrench® 工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性
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Fairchild MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
新系列基准MOSFET采用了IR最新的沟道技术，可在4.5V Vgs下实现非常低的RDS(on) ，显著改善了热效率。此外，这些器件具有更高的电流额定值，多余瞬变可以带来更多防护频带，并可减少由
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IR 沟道 MOSFET
Maxim推出具有同步整流的双通道、Quick-PWM降压控制器MAX17031，用于为电池供电系统产生5V/3.3V电源。器件内置100mA线性稳压器，以产生上电或其它低功耗、“常备电路”所需的5V偏置电压。控制器还包含一路低电流(5mA)，“始终开启”的线性稳压器，当笔记本电脑的其它所有调节器关闭时为实时时钟(RTC)供电。MAX17031能够为笔记本电脑、便携式PC及其它便携式设备提供完整的、节省空间的电源方案。
器件采用低边MOSFET
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Maxim MOSFET 控制器
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的严苛要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、更小的应用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引线框架的MicroFET 封装，相比传统的MOSFET，它具有出色的热阻，能提供超卓的功率耗散，并可减少传导损耗。该器件采
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Fairchild MOSFET
使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 衬底
前不久，能源之星发布了2.0版外部电源能效规范。新规范大幅提高了工作频率要求，同时进一步降低待机功耗要求。例如，为了满足新规范，2.5W（5V，0.5A）外部电源的最低效率必须达到72.3%，新规范要求空载功耗应低于300mW，这些都比目前使用的规范有了大幅提高。不仅是外部电源，很多手持式产品及家电产品，同样面临着低功耗的考验。以手机为例，随着智能手机的功能越来越多，低功耗设计已经成为一个越来越迫切的问题。
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MOSFET 节能
Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式电源系统的设计人员能以高效MOSFET取代散热阻流二极管，从而在对正常运行时间要求苛刻的电信、服务器及大型机应用中，实现更低温度的运行、更少的维护和更可靠的操作。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权表示，传统上用于电源故障保护的肖特基阻流二极管的热耗散很高，这与其很强的0. 5V 正向压降有直接关系。如果用典型正向电压低于100mV的导通电阻较低的MOSFET替代二极管，功耗将明显减少。ZXGD3102正是为了控
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Diodes MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介绍
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