- 引 言
功率场效应管MOSFET是一种单极型电压控制器件，它不但具有自关断能力，而且具有驱动功率小，关断速度快等优点，是目前开关电源中常用的开关器件。采用MOSFET 控制的开关电源具有体积小、重量轻、效率高、成本低的优势，因此，较适合作仪器电源。本文给出了一种由MOSFET 控制的大范围连续可调(0～45V) 的小功率稳压电源设计实例。
总体结构与主电路
图1 为该电源的总体结构框图。工作原理如下：
图1 原理方框图
全桥整流电路将电网电压220V
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消费电子 MOSFET 功率场效应管 PWM 电源
- 随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时
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MOSFET 元件 制造
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高输入电源电压 (100V) 同步 MOSFET 驱动器 LTC4444，该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的 N 沟道 MOSFET。这个驱动器可与功率 MOSFET 以及凌力尔特公司的很多 DC/DC 控制器一起组成完整的高效率同步转换器。 这个强大的驱动器可采用 1.2Ω 的下
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嵌入式系统 单片机 凌力尔特 MOSFET LTC4444 模拟IC
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多 DC/DC 控制器组合使用时，可组成完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压或升压型 DC/DC 转换器。
这个强大的驱动器可以吸收高达
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模拟技术 电源技术 凌力尔特 MOSFET 驱动器 模拟IC
- 丰田汽车在“ICSCRM 2007”展会第一天的主题演讲中，谈到了对应用于车载的SiC功率半导体的期待。为了在“本世纪10年代”将其嵌入到混合动力车等所采用的马达控制用逆变器中，“希望业界广泛提供合作”。如果能嵌入SiC半导体，将有助于逆变器大幅实现小型化及低成本化。
在汽车领域的应用是许多SiC半导体厂商瞄准的目标，但多数看法认为，就元器件的成本、性能及可靠性而言，比起在产业设备以及民用设备上配备，在汽车上配备的障碍更大。该公司虽然没有透露计划采用SiC半导体的日期，但表示“到本世纪10年代前
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汽车电子 丰田 SiC 半导体 汽车电子
- 当今的小型家电，如洗碗机、烘干机、电炉等用开关电源代替了体积笨重的线性电源。工程师对这些电流从50mA~1A的电源进行了测试，一般使用电阻或标准现成的电负载。工程师会使用各种大功率电阻来检验多种负载条件以满足合适的设计。多数标准的电负载都是针对平均300W功率的。在测量50mA ~ 300mA电流时，显示结果并不准确，多数显示为0.1A，那样低的电流不能保证精度。还可以使用图1中的简单双恒流负载设计，这种设计可以利用廉价的通用元件来构建电路。
负载电流流过MOSFET和一个 1Ω
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模拟技术 电源技术 双恒流载荷 MOSFET 运算放大器 放大器
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 再次荣获《今日电子》杂志的十大 DC-DC 2007产品大奖，获评审小组肯定而胜出的产品是飞兆半导体全面优化的集成式12V驱动器加MOSFET功率级解决方案FDMF8700。飞兆半导体的30V同步降压转换器芯片组FDS6298和FDS6299S则于2006年获得相同奖项。 FDMF8700将驱动器IC和两个功率MOSFET集成在一个节省空间的8mm x 8mm的56脚M
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消费电子 飞兆半导体 FDMF8700 MOSFET 消费电子
- 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV的ESD(HBM)电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用(如笔记本电脑和手机)的最新架构。利用飞兆半导体的PowerTrench工艺，这些低导通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能够降低传导损耗并且延长宝贵的电池寿命。它们还提供坚固稳健的抗雪崩和抗峰值电流能力，确保电池组在意外的电压尖峰冲击下
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嵌入式系统 单片机 飞兆 MOSFET FDS881XNZ 嵌入式
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N沟道MOSFET系列，提供高达8kV 的ESD (HBM) 电压保护，较市场现有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于电池组保护应用 (如笔记本电脑和手机) 的最新架构。利用飞兆半导体的Power Trench®工艺，这些低导通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
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模拟技术 电源技术 飞兆半导体 MOSFET ESD 模拟IC 电源
- 1 引言
人类的经济活动已经到了工业经济时代，并正在转入高新技术产业迅猛发展的时期。电源是位于市电（单相或三相）与负载之间，向负载提供优质电能的供电设备，是工业的基础。
电源技术是一种应用功率半导体器件，综合电力变换技术、现代电子技术、自动控制技术的多学科的边缘交叉技术。随着科学技术的发展，电源技术又与现代控制理论、材料科学、电机工程、微电子技术等许多领域密切相关。目前电源技术已逐步发展成为一门多学科互相渗透的综合性技术学科。他对现代通讯、电子仪器、计算机、工业自动化、电力工程、国防及某些
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模拟技术 电源技术 创新 高频 MOSFET 模拟IC 电源
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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MOSFET 德州仪器
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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MOSFET 德州仪器
- NEC电子近日完成了8款用于汽车的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。
此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中NP50P04等4款产品为40V耐压、导通阻抗为业界最低的产品；另外4款产品与现有的60V耐压品相比，导通阻抗最大可减至一半。
对于汽车厂商及器件厂商等用户而言，使用低导通阻抗产品可以减少电流流经时产生的热量，从而减轻电路设计时的负担。
新产品的样品价格因耐压及导通阻抗的不同而有
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NEC电子 MOSFET 汽车电子
- 京都大学、东京电子、罗姆等宣布，使用“量产型SiC（碳化硅）外延膜生长试制装置”，确立对SiC晶圆进行大批量统一处理的技术已经有了眉目。由此具备耐高温、耐高压、低损耗、大电流及高导热系数等特征的功率半导体朝着实用化迈出了一大步。目前，三家已经开始使用该装置进行功率半导体的试制，面向混合动力车的马达控制用半导体等环境恶劣但需要高可靠度的用途，“各厂商供应工程样品，并获得了好评”。 此次开发的是SiC外延生长薄膜的量产技术。
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碳化硅(sic)mosfet介绍
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