- 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。本文将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。
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雪崩 能量 UIS MOSFET 功率 理解
- 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的液晶电视功率解决方案相比现今使用的传统解决方案，可为设计人员提供显著优势，最近的创新技术能够减少元件数目，简化设计，并进一步提高可靠性——所有这些可以大幅降低成本。
通过技术进步，飞兆半导体的半桥解决方案Ultra FRFET系列进一步优化设计，具有35ns~65ns的同类最佳反向恢复时间(trr)和业界最小的反向恢复电流(1.8A ~ 3.1A)。目前的液晶电视设计使用MOSFET和半桥电路中的两个快速恢
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Fairchild 液晶电视 MOSFET
- 据iSuppli公司，由于高端服务器、笔记本电脑、手机和有线通讯领域的快速增长，氮化鎵(GaN)电源管理半导体市场到2013年预计将达到1.836亿美元，而2010年实际上还几乎一片空白。
GaN是面向电源管理芯片的一种新兴工艺技术，最近已从大学实验阶段进入商业化阶段。该技术对于供应商来说是一个有吸引力的市场机会，它可以向它们的客户提供目前半导体工艺材料可能无法企及的性能。
iSuppli公司认为，在过去两年里，有几件事情使得GaN成为电源管理半导体领域中大有前途的新星。
首先，硅在
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iSuppli MOSFET 电源管理芯片
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能产品。这些系列器件具有业内领先的标准，如容值电压、电流等级和导通电阻。这些创新产品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/进行展示，是很多关键应用的理想选择，也是Vishay广泛的产品线组合的典型代表产品。
2010年将要发布的Super 12产品是：
597D和T97多模钽电容：对于+28V应
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Vishay 电容 导通电阻 MOSFET
- 全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司今天宣布，推出最新的双通道同步降压稳压器 --- ISL8088。该器件采用超小封装，具有非常高的功率转换效率和低静态电流。
ISL8088是每通道800mA的双通道降压稳压器，内部集成了功率MOSFET。2.7V～5.5V的输入电压和35mA的静态电流，使ISL8088成为电池供电和其他“绿色电源”应用的理想之选。ISL8088可以选择工作在强制的PWM模式和自动的PWM/PFM模式，以延长电池寿命。
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Intersil 稳压器 ISL8088 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降压稳压器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC转换器解决方案，具有先进的控制器IC和栅极驱动器、两个针对PWM控制优化的N沟道MOSFET(高边和低边)、在独立降压稳压器配置中的自启动开关，采用节省空间的MLPQ 4mm x 4mm的28引脚封装。
microBUCK系列的产品综合了Vishay独特的分立MOSFET设计、IC专长和封装工艺，为客户提供了具有成本效
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Vishay microBUCK MOSFET 封装
- 在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比，双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AHB)及移相全桥等软开关技术能提供更高的能效。因此，在注重高能效的应用中，软开关技术越来越受设计人员青睐。
另一方面，半桥配置最适合提供高能效/高功率密度的中低功率应用。半桥配置涉及两种基本类型的MOSFET驱动器，即高端(High-Side)驱动器和低端(Low-Side)驱动器。高端表示M
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安森美 MOSFET 变压器 硅芯片
- 国际著名电子、电机和工业产品分销商RS Components于今日宣布，通过其在线目录RS Online(RS在线：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半导体公司的1200类半导体产品。
此次推出的产品中，除了有采用三洋半导体独自技术达成的用于电源电池管理的MOSFET系列(具有业界最高水准的低导通电阻特性, 并实现了小型薄型大功率), 低压驱动闪光用IGBT产品以外，还包括低饱和电压,射频用各种双极晶体管产品。 通过驱使独自的核心技术, 三洋在多
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RS MOSFET IGBT
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅技术，是该公司首批采用5x6mm PQFN封装、优化铜片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可实现业界领先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高仅为1.2mΩ，显著降低了手工工具等直流电机驱动应用的传导损耗。
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IR MOSFET HEXFET
- PI公司今日宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新产品系列共由16款高度集成的功率转换IC组成，其内部均集成有一个725 V功率MOSFET，适用于设计反激式电源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法，可提高整个负载范围内的功率效率。由于在满功率下工作效率较高，因此可减少正常工作期间的功率消耗量，同时降低系统散热管理的复杂性及费用支出。在低输入功率水平下，高效率还可使适配器的空载功耗降至最低，增大待机模式下对系统的供电量，这一点特别适用于受到能效标准和规范约束的产品应用。
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PI 功率转换IC TOPSwitch-JX MOSFET
- 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用,1 引言
随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围电路大大减少，使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁，.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321
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芯片 功能 应用 驱动 MOSFET UCC27321 高速 基于
- 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色热性能，并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案的MOSFET产品系列，可应对工业、计算和电信系统对更高效率和功率密度的设计挑战。
FDMC7570S是采用3mm x 3mm MLP 封装、具有业界最低RDS(ON)的25V MOSFET器件，可提供无与伦比的效率和结温性能。FDMC7570S在10VGS 下的RDS(ON) 为1.6mOhm，在4.5VGS下则为2.3mOhm;其传导损耗更比其它外形尺寸相同
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Fairchild MOSFET 电源
- 飞兆半导体公司 (Fairchild Semicondcutor) 将在IIC China 2010展会上，展示其最新的功率技术和移动技术。时间及地点分别是3月4至5日于深圳会展中心2号展馆2K19展台，以及3月15至16日于上海世贸商城四楼8H01展台。
智能移动解决方案：
飞兆半导体将展示其丰富的模拟技术产品系列，以及相关的定制解决方案和系统级专有技术，这些产品及方案在解决移动领域之设计和应用难题方面发挥不可或缺的重要作用。例如，飞兆半导体的业界最小的USB附件开关FSA800将所有主
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飞兆 功率 智能移动 MOSFET
- 中心议题：
马达的结构
提升马达工作的效率
解决方案：
正弦脉冲调制控制方式
智能功率模块
近些年来，家用电器对节能的要求变得越来越强烈。这是很显然的，仅电冰箱所消耗的能量就超过家庭用电量的10%。由于电冰箱的马达主要在低速运转，就有非常大的节能潜力，通过在低速驱动器中简单改进马达的驱动效率就能实现。
同样，据估计工业用电的65%被电驱动马达所消耗，毫无疑问，商家正逐渐意识到节能将成为改善收益率和竞争能力的关键。在电驱动马达中降低能量消耗有两种主要的方式：改善
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工业电子 马达 MOSFET
- 英飞凌科技股份公司近日宣布，公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示会上，推出OptiMOS 25V器件系列，壮大OptiMOS 功率 MOSFET产品阵容。该系列器件经过优化，适合应用于计算机服务器电源的电压调节电路和电信/数据通信的开关。这种全新的MOSFET还被集成进满足英特尔DrMOS规范的TDA21220 DrMOS。
通过大幅降低三个关键的能效优值(FOM)，这种全新的器件无论在任何负载条件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同时达到更高的性能。此外，更高的功率密度还能让典型电
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英飞凌 OptiMOS MOSFET DrMOS
碳化硅(sic)mosfet介绍
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