（一）会议概况2024中国集成电路设计创新大会暨第四届IC应用展（ICDIA-IC Show）和第十一届汽车电子创新大会（AEIF）暨汽车电子应用展将于9月25-27日在无锡同期召开，两会共设2场高峰论坛、8场专题分会（含1场供需对接+1场强芯发布），150场报告，6000+平米展区展示，200+展商展示IC创新成果与整机应用，200+行业大咖，500+企业高管，5000+行业嘉宾参会。会议看点1、第十届汽车电子创新大会（AEIF）概况2024 AEIF技术展览规模将全面升级，聚焦大模型与AI算力、汽车电
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ICDIA-IC Show & AEIF 2024
据彭博社援引消息称，台积电美国亚利桑那州晶圆厂项目首座工厂4nm产线的试产良率已与台积电位于台湾地区的南科厂良率相近。台积电在回应彭博社报道的电子邮件中表示，其亚利桑那州项目“正在按计划进行，进展良好”。根据此前的信息显示，台积电美国亚利桑那州的第一座晶圆厂在今年4月中旬完成了第一条生产线的架设，并开始接电并投入基于4nm制程进行工程测试晶圆的生产，而根据彭博社最新的报道来看，基于该生产线的第一批试产的4nm晶圆良率如果与南科厂良率相当，那么表明其后续如果量产，良率将不是问题。根据规划，台积电将在美国亚利
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英特尔正在经历其最艰难的时期，今年第二季度的财报表现糟糕，市值已经跌破1000亿美元。相比之下，目前，英伟达市值已接近3万亿美元。为了扭转不利的处境，在二季度的财报中，英特尔宣布将暂停股息支付、精简运营、大幅削减支出和员工数量：2024年非美国通用会计准则下的研发、营销、一般和行政支出将削减至约200亿美元，2025年减至约175亿美元，预计2026年将继续削减，作为削减支出计划一部分的裁员，预计将裁减超过15%的员工，其中的大部分将在今年年底前完成。外媒援引知情人士的透露报道称，已宣布裁员、削减支出的英
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根据市场调查机构Counterpoint Research最新《晶圆代工季度追踪》报告指出，2024年第二季度全球晶圆代工行业的营收环比增长9%，同比增长23%。尽管整个逻辑半导体市场复苏相对缓慢，但全球晶圆代工市场数据已有明显的复苏迹象。
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8月12日消息，作为美国最大的芯片制造商，英特尔可能依然能够生存下去，但具体以何种形式则尚不明确。到了2024年，尽管英特尔的实力大幅减弱，但作为一个巨大的半导体制造商，它可能还是“大而不能倒”。本月英特尔发布的第二季度财报令人失望，使这家芯片巨头的困境和不确定的前景更加凸显。面对关键市场销售额的下滑与制造转型所需高昂成本的双重压力，英特尔不得不采取更为激进的成本控制措施来节省资金。这些措施包括裁减15%的员工、大幅削减用于建设和配备生产设施的资本支出，以及暂停自1992年以来一直发放的股息。英特尔的最新
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消费电子市场的复苏拉动晶圆代工厂业绩进一步回暖。8月8日晚，国内最大的集成电路代工企业中芯国际（688981.SH）公布了第二季度业绩。期内，销售收入
19.013亿美元（约136.35亿元人民币），环比增长8.6%，同比增长21.8%；净利润1.646亿美元（约
11.8亿元人民币），环比增长129.2%，同比减少59.1%。第二季度毛利率为13.9%，今年第一季度毛利率为13.7%。产能利用率也进一步爬升至85.2%，第一季度为80.8%，环比提升四个百分点。中芯国际管理层表示，二季度的销售收
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8 月 7 日消息，随着电子设备不断小型化和性能要求的提升，芯片中的晶体管数量持续增加，尺寸日益缩小，同时也带来了新的技术挑战，尤其是在介质材料方面。经过多年研究攻关，中国科学院上海微系统与信息技术研究所成功研制出一种人造蓝宝石作为绝缘介质的晶圆，为开发低功耗芯片提供了重要的技术支撑。相关成果今日已发表在国际学术期刊《自然》上（DOI:10.1038/s41586-024-07786-2）。电子芯片中的介质材料主要起到绝缘的作用，但当传统的介质材料厚度减小到纳米级别时，其绝缘性能会显著下降，导致电流泄漏。
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英特尔在2024年第二季度财报中呈现出全面亏损的态势，实现营收128.33亿美元（低于市场预期的129.4亿美元），同比下降1%；净利润为-16.54亿美元（远不及市场预期的-5.4亿美元），2023年同期净利润14.73亿美元，同比转亏；毛利率35.4%，远低于市场预期（42.1%），而上一季度的毛利率为41%，也低于2023年同期的35.8%。AI PC产品的增加、Intel 4和3芯片晶圆从俄勒冈州工厂过渡至爱尔兰工厂的成本，以及其他非核心业务的费用等因素是导致毛利率暴跌的主要原因，营收的微降和毛利
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8月6日消息，在近日的财报电话会议上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV（极紫外光刻机）。High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一，其分辨率达到8纳米，能够显著提升芯片的晶体管密度和性能，是实现2nm以下先进制程大规模量产的必备武器。帕特·基辛格表示，第二台High NA设备即将进入Intel位于美国俄勒冈州的晶圆厂，预计将支持公司新一代更强大的计算机芯片的生产。此前，Intel已于去年12月接收了全球首台High NA EUV光刻
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出新系列8款小型高压电子熔断器（eFuse IC）——TCKE9系列，支持多种供电线路保护功能。首批两款产品“TCKE903NL”与“TCKE905ANA”于今日开始支持批量出货，其他产品将陆续上市。TCKE9系列产品具有电流限制和电压钳位功能，可保护供电电路中的线路免受过流和过压状况的影响，这是标准物理熔断器无法做到的。即使发生异常过流或过压，也能保持指定的电流和电压。此外，新产品还具有过热保护和短路保护功能，当电路产生异常热量或发生意外短路时，可通
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● Calibre 3DThermal 可为 3D IC 提供完整的芯片和封装内部热分析，帮助应对从芯片设计和 3D 组装的早期探索到项目 Signoff 过程中的设计与验证挑战● 新软件集成了西门子先进的设计工具，能够在整个设计流程中捕捉和分析热数据西门子数字化工业软件近日宣布推出 Calibre® 3DThermal 软件，可针对 3D
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6月21日消息，据日媒报道，在CoWoS订单满载、积极扩产之际，台积电也准备要切入产出量比现有先进封装技术高数倍的面板级扇出型封装技术。而在此之前，英特尔、三星等都已经在积极的布局面板级封装技术以及玻璃基板技术。报道称，为应对未来AI需求趋势，台积电正与设备和原料供应商合作，准备研发新的先进封装技术，计划是利用类似矩形面板的基板进行封装，取代目前所采用的传统圆形晶圆，从而能以在单片基板上放置更多芯片组。资料显示，扇出面板级封装（FOPLP）是基于重新布线层（RDL）工艺，将芯片重新分布在大面板上进行互连的
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自比利时微电子研究中心（imec）官网获悉，6月18日，在2024 IEEE VLSI技术与电路研讨会（2024 VLSI）上，imec首次展示了具有堆叠底部和顶部源极/漏极触点的CMOS CFET器件。虽然这一成果的两个触点都是利用正面光刻技术获得，但imec也展示了将底部触点转移至晶圆背面的可能性——这样可将顶部元件的覆盖率从11%提升至79%。从imec的逻辑技术路线图看，其设想在A7节点器件架构中引入CFET技术。若与先进的布线技术相辅相成，CFET有望将标准单元高度从5T降低到4T甚至更低，而不
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IT之家 6 月 20 日消息，IT之家援引日经亚洲报道，台积电在研究一种新的先进芯片封装方法，使用矩形基板，而不是传统圆形晶圆，从而在每个晶圆上放置更多的芯片。消息人士透露，矩形基板目前正在试验中，尺寸为 510 mm 乘 515 mm，可用面积是圆形晶圆的三倍多，采用矩形意味着边缘剩余的未使用面积会更少。报道称，这项研究仍然处于早期阶段，在新形状基板上的尖端芯片封装中涂覆光刻胶是瓶颈之一，需要像台积电这样拥有深厚财力的芯片制造商来推动设备制造商改变设备设计。在芯片制造中，芯片封装技术曾被认为
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据外媒报道，三星计划在今年6月召开的2024年晶圆代工论坛上，正式公布其1nm制程工艺计划，并计划将1nm的量产时间从原本的2027年提前到2026年。据了解，三星电子已于2022年6月在全球首次成功量产3nm晶圆代工，并计划在2024年开始量产其第二代3nm工艺。根据三星之前的路线图，2nm SF2 工艺将于2025年亮相，与 3nm SF3 工艺相比，同等情况下能效可提高25%，性能可提高12%，同时芯片面积减少5%。报道中称，三星加速量产1nm工艺的信心，或许来自于“Gate-All-Around（
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