MOS晶体管表现出理想模型所没有的各种二阶效应。为了设计在现实世界中工作的模拟集成电路，我们需要了解这些非理想因素。在上一篇文章中，我们介绍了基本的MOSFET结构和工作区域。我们讨论的模型描绘了一个理想的MOSFET，并且由于其较长的沟道尺寸，对于早期的MOSFET来说是相当准确的。然而，随后的研究和晶体管的持续小型化都揭示了晶体管行为中的一系列非理想性。本文将介绍这些非理想性的基础知识以及它们如何影响模拟集成电路中的晶体管性能。寄生电容由于MOSFET的物理实现，在端子结之间形成了以下寄生电容：CGS
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MOSEFT 晶体管
台积电、英特尔都在规划如何走向万亿级晶体管。
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晶体管
01 IGBT是什么？IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；（因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN结材料和厚度有关））MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。（因为MOS管有Rds，如果Ids比较大，就会导致Vds很大）IGBT综合了以
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IGBT 晶体管 基础知识
IBM在2023年12月早些时候的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上展示了首个针对液氮冷却进行优化的先进CMOS晶体管。纳米片晶体管将通道分割成一堆薄硅片，完全被栅包围。IBM的高级研究员鲍汝强表示：“纳米片器件结构使我们能够在指甲大小的空间内容纳50亿个晶体管。”这些晶体管有望取代当前的FinFET技术，并被用于IBM的首个2纳米原型处理器。纳米片技术是逻辑器件逐步缩小的下一步，将其与液氮冷却技术搭配可能会带来更好的性能。研究人员发现，在77K的温度下运行，与在大约300K的室温条件下运行相比，设备
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IBM 芯片 晶体管
安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝（Toshiba）产品，包括一系列新型N通道功率场效应管（MOSFET）。新增系列将涵盖600V-650V的高压和30V-150V的低压产品。Farnell及e络盟高级供应商客户经理Ibtissame Krumm表示：“全球功率半导体市场正在迅速扩张。尽管这段时间以来，汽车应用对功率半导体的需求一直是人们的热点话题。但它掩盖了一个事实，那就是许多其他应用的需求增长速度也非常迅猛，至少与汽车应用的需求增长速度相当。”他补充道：“功率场效
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e络盟 东芝 场效应管
无论是在太空还是在地面，这些基于 GaN 的晶体管都比硅具有新的优势。
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GaN 晶体管
如今，越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要，因为它有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源的尺寸并降低工作温度。如今，越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要，因为它有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源的尺寸并降低工作温度。晶体管，无论是由硅还是氮化镓制成，都不是理想的器件，有两个主要因素导致其效率下降（在简化模型中）：一个是串联电阻，称为 RDS（ON），另一个是并联电容器称为 C
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氮化镓 晶体管
1947年，当John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一个能正常工作的晶体管时，他们未曾想到，晶体管如今会成为电子产品的最重要组成部分。晶体管被誉为20世纪最伟大的发明之一，它改进了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷，为电子设备的发展奠定了基础，也为人们带来了便捷高效的数字化生活。1947年，当John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一个能正常工作的晶体管时，他们未曾想到，
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新思科技 晶体管
如果您施加一个足够高的电压 V IN以正向偏置基极-发射极结，电流将从输入端流过 R B，通过 BE 结，到达地。我们称之为 I B。电流还将从 5 V 电源流经 R C，流经晶体管的集电极到发射极部分，流到地。称之为I C。假设 I C足够小以在集电极端留下相对较高的电压——足够高的电压，即保持基极-集电极结反向偏置。假设我们正在使用一个简单的电路，该电路由一个 npn双极结型晶体管(BJT) 和几个电阻器组成，连接方式如下：如果您施
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晶体管
2023 年 5 月 24 日，中国—— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术，引入氧化物填充沟槽工艺，集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身，实现高效的开关性能。因此，STL120N10F8的最大导通电阻 RDS(on)为 4.6mΩ（在 VGS = 10V 时），高效运行频率达到6
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意法半导体 STripFET F8 晶体管 优值系数
MOS 晶体管正在按比例缩小，以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。MOS 晶体管正在按比例缩小，以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。在我们尝试了解各种漏电流成
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MOS 晶体管
晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。
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晶体管
本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又拿不准自己是否已经理解了”的人。第一个应该了解的要数“晶体管”了。“晶体管”在电子制作领域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和电机时，晶体管是不可或缺的重要器件。但是，对于电子制作初学者来说，掌握晶体管的使用方法有点难。刚开始电子制作时使用的元器件，比如电池、LED、电阻器和开关等，几乎都是两个引脚，而晶体管却有三个引
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ROHM 晶体管
模拟 EE 世界失去了一颗明星。Jim 的数百篇文章、书籍和应用笔记是（并将继续是）信息、灵感和看到大师轻松解决棘手设计难题的喜悦的无底泉源，所有这些都包含在令人愉快的写作风格中。这里介绍的设计思想源自他发表在 AN45测量和控制电路集（夜班尿布和设计）第 7 页的电路之一。模拟 EE 世界失去了一颗明星。Jim 的数百篇文章、书籍和应用笔记是（并将继续是）信息、灵感和看到大师轻松解决棘手设计难题的喜悦的无底泉源，所有这些都包含在令人愉快的写作风格中。这里介绍的设计思想源自他发表在 AN45测量和控制电路
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晶体管 VBE 振荡器
晶体管－场效应管介绍
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