模拟电子技术是电气工程及其自动化等专业的学生必须掌握的一门技术，此课程在专业培养计划中具有举足轻重的的地位，少年子弟江湖老，如今，走上工作岗位的我们在工作中也许会接触到这些知识，下面就模拟电子技术中的重难点做一些说明。 一、放大电路基础 作为本课程的基础，由于课程刚入门，概念较多，又要初步培养分析、计算能力，因此，必须放慢进度，保证足够的学时。 关于半导体的物理基础部分，因“物理”和“化学”两课中一般都已讲过，本课程不必重复，可从晶体的共价键结构讲起。PN结是重点内容，要求用物理概念讲清PN结的
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场效应管 功率放大器
众所周知，电子系统芯片中的晶体管会随着时间而逐渐老化。它们会慢慢变旧，反应变得迟缓，毛病越来越多，甚至突然崩溃死机。不过凡事都有两面性，虽然晶体管老化对电子产品不是好事，但其功耗却随着时间的推移而降低。 在这个快节奏、快消费的年代，人们总是在求新、求快。不光是手机、电脑、汽车，就连我们自身，都想要时尚，新朝，不落伍。如果我想说老有老的好，旧有旧的妙，你一定不能认同。但事实确是如此，我们不妨看几个例子。 我们都知道汽车有一个磨合期，新车在最初的2000公里里程内要注意磨合，以便各个部件比较顺畅地吻合
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晶体管 芯片
在电子制作时，经常涉及到需要控制蜂鸣器、继电器、电机等元件，发现晶体管负载的不同接法，效果差别很大，有的接法甚至会导致电路工作不可靠，下面将介绍常见的负载驱动电路、驱动电路及元器件的选择和使用进行讨论。
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晶体管 驱动电路 电机 继电器 驱动负载
几种基本类型的开关电源 顾名思义，开关电源就是利用电子开关器件（如晶体管、场效应管、可控硅闸流管等），通过控制电路，使电子开关器件不停地“接通”和“关断”，让电子开关器件对输入电压进行脉冲调制，
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晶体管 开关电源 场效应管
此功法电路可谓一装即成，特别适合初学者制作。这款功放一声道只需17个零件，却收到了意想不到的效果，还音效果真实，频响平直，解析力高，且功率可以达到50W。
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晶体管 功放 电路
常用大功率高耐压场效应管参数114种
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场效应管
虽然真空管曾经一度是早期电子元器件的基本核心组件，但是截止到上个世纪七十年代，真空管就已基本被半导体晶体管所全部替代。可是，近年来美国航空航天局(NASA)艾姆斯研究中心的研究人员一直在开发可将真空管和现代半导体晶体管的优势融为一体的“纳米真空沟道晶体管”(NVCTs, nanoscale vacuum channel transistors)。
与传统晶体管相比，纳米真空沟道晶体管的速度更快且对高温和辐射等极端环境的抵抗能力更强。这些优势使纳米真空沟道晶体管成为了抗辐照
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晶体管
多年来这个定律一直在发挥作用。第一个集成电路(由德州仪器的杰克•基尔比发明，见图)还只是一个笨拙不堪的大家伙，而现在晶体管已需用纳米(1米的十亿分之一)来计量。人们以摩尔定律的发展速度创造了快速而智能化的计算机，图案漂亮并将世界联接在了一起。从摩尔博士创立这个定律的时候起，人类就进入了一个不可思议的信息技术时代。本来一个不经意的发现竟有如此强大的生命力。 其实它并不是一条真正的定律，而只是一种现象，一种对技术发展漫漫征程的描述，发展的每一步都包含着具体的技术变革(见图表)。技术发展势不可挡，已成预言
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摩尔定律 晶体管
本文图文结合的解析了绝缘栅型场效应管的工作原理，希望对你的学习有所帮助。 增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD。 耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。 1、结构和符号(以N沟道增强型为例) 在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。 其他MOS管符号 2、工作原理(以N沟道增强型为例) (1) VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，
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场效应管
增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD。耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。 1. 结构和符号(以N沟道增强型为例) 在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
其他MOS管符号
2. 工作原理(以N沟道增强型为例)
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场效应管
1.共源极电路 共源极电路可采用图16-14 所示的电路。这种电路的栅偏压是由负电压UG经偏置电阻RG提供的。该电路虽然简单.但R G不易取得过大.否则会在栅漏泄电流流过时产生较大的压降，使栅偏压发生变化.造成工作点的偏离。共源极基本放大电路的主要参数，可由以下各式确定:
2. 共漏极电路(源极输出器) 共漏极电路如图16-15 所示。该电路中除有源极电阻Rs提供的自偏压外，还有由R1和R2组成的分压器为栅极提供的固定栅偏压
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场效应管 共源极电路
场效应管是只有一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET(Metal Oxide Sem
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场效应管 二极管
东京—东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向游乐设备LED照明、工业设备高电压信号发射机等应用推出新一代晶体管阵列“TBD62089APG”。该新IC在输入部分集成了为数据存储功能提供支持的D型触发器电路(8位类型)。样品发货即日启动，量产计划于2016年12月开始。 游乐设备(弹球盘和老虎机)、家用电器(空调和冰箱)以及工业设备(自动售货机、ATM等银行终端、办公室自动化设备和工厂自动化设备)等应用每年都不断增加功能，导致IC的安装面积不足。 TBD62089APG采用DIP20封
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东芝 晶体管
据美国电气与电子工程师协会《光谱》杂志网站11日报道，美国国家航空航天局(NASA)与韩国科学技术研究院(KAIST)合作，研制出了一款能自我修复的晶体管。研究人员表示，最新自我修复技术有助于研制单芯片飞船，其能以五分之一光速飞行，在20年内抵达距太阳系最近的恒星“比邻星”。
今年4月12日，霍金宣布启动“突破摄星”计划，同俄罗斯商人尤里·米尔纳、脸谱创始人马克·扎克伯格合作建造能以五分之一光速(每秒6万千米)飞行的微型
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芯片 晶体管
晶体管－场效应管介绍
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