- 工程师教你如何设计一个“优质”D类音频放大器！-D类放大器首次提出于1958年，近些年已逐渐流行起来。音频放大器背景 音频放大器的目的是以要求的音量和功率水平在发声输出元件上重新产生真实、高效和低失真的输入音频信号。音频频率范围约为20 Hz～20 kHz。
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- LCD驱动工作原理 ，基于51单片机LCD底层时序程序该如何编写？-高信息密度显示技术中首先商品化的是被动矩阵显示技术，它得名于控制液晶单元的开和关的简单设计。被动矩阵液晶显示的驱动方式是由垂直与水平方向的电极所构成的，且将单独的液晶单元夹在彼此垂直的电极中间。因此，任何一组电极的驱动就会在特定的单元中引起电流通过。
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- LED首字母代码是什么意思？一款高低电平智能控制的LED电路设计-大功率LED作为照明光源具有体积小、耗电小、发热小、寿命长、响应速度快、安全低电压、耐候性好、方向性好等优点。 外罩可用PC管制作，耐高温达135度。低温-45度1.使用寿命：大功率LED路灯使用寿命高达50，000小时以上
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- 视频信号放大器工作原理剖析-录像机现如今也越来越受到广大群众的欢迎，这也是一个炙手可热的市场。本文介绍的电路，提供的是一个广阔的波段放大器，其中将采取从您的录像机的视频信号和将扩大他们充分来驱动多达3显示器，电视机，他们可以接受直接的视频信号，或其他录像机的从一个视频录制到其他三个。它也将成为可能从一个视频来记录两个人在同一时间连接到检查您正在录制一台监视器。如果录像机是远离显示器，该放大器也非常有用 。
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- 简单实用：一款三极管逆变器电路设计-这是一种性能优良的家用逆变电源电路图，材料易取，输出功率150W.本电路设计频率为300Hz左右，目的是缩小逆变变压器的体积、重量。输出波形方波。这款逆变电源可以用在停电时家庭照明，电子镇流器的日光灯，开关电源的家用电器等其他方面。
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- 低压线性稳压器的应用技巧-热力学中常犯的一个错误就是选择和线性稳压器一样简易的装置。当设计即将应用时，设计师通常会意识到这个错误。更糟的是，由于新型线性稳压器的新功能和规格，封装中消散的功率很容易被忽视。这让稳压器的运行温度会超过其额定温度，在实际使用中会引发故障。
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- MOSFET靠什么进军IGBT的应用领域？-两个主要类型的功率晶体管：MOSFET和IGBT非常流行，它们在电源系统设计中已经使用了多年，因此，很容易假定它们之间的差异一直保持不变。本文通过解释最新一代MOSFET和IGBT的工作特性，使用户能够更好地了解最能满足应用需求的最合适的器件类型，并解释了目前的功率晶体管选择的灰色区域。
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- 产生零点漂移的原因及解决措施-产生零点漂移的原因很多，任何元件参数的变化（包括电压源电压的波动），都将造成输出电压漂移。实践证明，温度变化是产生零点漂移的主要原因，也是最难克服的因素，这是由于半导体元器件的导电性对温度非常敏感，而温度又很难维持恒定。
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- 晶体管的工作状态判断和工作条件-晶体管是模拟电路中基础的器件，对于电子工程师来说，了解晶体管工作的条件和判断晶体管的工作状态都是非常基础的，本文将带大家一起学习或回顾一下。
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- 什么是函数信号发生器，函数信号发生器的作用，函数信号发生器的工作原理-函数信号发生器是一种能提供各种频率、波形和输出电平电信号的设备。在测量各种电信系统或电信设备的振幅特性、频率特性、传输特性及其它电参数时，以及测量元器件的特性与参数时，用作测试的信号源或激励源。
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- 射频MOS功率放大电路模拟器的设计方案分析，射频功率放大器的特性与使用好坏分析-窄带的稳定电路是进行一定的增益消耗。这种稳定电路是通过增加一定的消耗电路和选择性电路实现的。这种电路使得晶体管只能在很小的一个频率范围内贡献。另外一种宽带的稳定是引入负反馈。这种电路可以在一个很宽的范围内工作。
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- 在绪论课中，除了简要介绍电子技术的发展及其应用概况，本课程的性质、任务和要求以及基本内容外，还应着重介绍本课程的学习方法。根据以往的经验， 笔者从学习“电路”课程过渡到学习“电子技术基础”课程时，总感到电子电路的分析与计算，不如“电路”课程中那样严格，那样有规律可循，时而忽略这个元 件，时而忽略了那个参数，不好掌握。 因而必须指明本课程是一门技术基础课，着重“技术”二字。在定性分析，搞清概念的基础上，进行定量估算。由于半导体器件参数的分散性，存在 较大的偏差，电阻、电容
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场效应管 运算放大器
- “英特尔精尖制造日”活动今天举行，展示了英特尔制程工艺的多项重要进展，包括：英特尔10纳米制程功耗和性能的最新细节，英特尔首款10纳米FPGA的计划，并宣布了业内首款面向数据中心应用的64层3D NAND产品已实现商用并出货。
“英特尔遵循摩尔定律，持续向前推进制程工艺，每一代都会带来更强的功能和性能、更高的能效、更低的晶体管成本，”英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith表示，“很高兴首次在中国与大家分享英
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- 半导体制造的工艺节点，涉及到多方面的问题，如制造工艺和设备，晶体管的架构、材料等。下面，我们就具体介绍并分析一下，供大家参考。
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半导体 晶体管
- 随着计算机全面进入纳米时代，工程师们发现想要遵循摩尔定律变得越来越难了。
1965 年，Intel创始人戈登·摩尔提出了提出了“摩尔定律”，即集成电路上可容纳的晶体管数量大约每隔 1-2 年便会增加一倍，性能也随之翻倍。
五十多年来，摩尔定律一直有效，但目前业界的预测是，未来 10-15 年，在进行三次技术升级后，芯片制造工艺将达到 5 纳米，这意味着单个晶体管栅极的长度将仅为10个原子大小。在此基础上继续突破几乎是不可能的——
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晶体管－场效应管介绍
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