- 全球半导体行业已经进入存量竞争的时代，受益于5G、物联网、新能源汽车产业的优势，中国半导体行业将继续保持较高增速。根据前瞻产业研究院数据，2022年中国半导体市场规模达到12925亿人民币。在半导体第三次转移的趋势和国家的大力支持下，国产半导体公司将在未来10年迎来发展的黄金时期，值得投资者密切关注 国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司10月22日注册成立，注册资本2041.5亿元，略超此前市场预期的2000亿元。根据《关于征集浙江省数字经济产业投资基金项目的通知》显示，大基金二期主要聚焦集成电
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晶体管 半导体
- 2019年，诺贝尔化学奖颁发给了研发锂离子电池的科学家。 好事多磨，众望所归。 三位科学家，他们“驯服”了锂离子，为所有人创造了一个可重复充电“超长待机”的世界。时至今日，锂离子电池这种轻巧、可充电且功能强大的发明，出现在每个人都熟悉不已的手机、笔记本电脑、电动汽车等几乎所有电子类产品中。它还可以存储来自太阳能和风能的巨大能量，从而使无化石燃料社会成为可能。 人人都爱锂离子电池 现在，于全球范围内，你都能看到锂离子电池正在为人类的日常活动提供动力。其中最常见的方式就是为便携式电子设备供电。 我们
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锂电池 晶体管 电子
- 赛灵思(Xilinx)今天宣布推出世界最大的FPGA芯片“Virtex UltraScale+ VU19P”，拥有多达350亿个晶体管，密度在同类产品中也是最大的，相比上代Virtex UltraScale VU440增大了1.6倍，而功耗降低了60％。虽然具体面积没有公布，和日前那个1.2万亿晶体管、46225平方毫米、AI计算专用的世界最大芯片不在一个数量级，但在FPGA的世界里，绝对是个超级庞然大物，从官方图看已经可以盖住一个马克杯的杯口。相比之下，AMD 64核心的二代霄龙为320亿个晶体管，NV
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芯片 晶体管 FPGA 赛灵思
- 随着电子设备升级换代的速度，大家对于电子设备性能的标准也愈来愈高，在某些电子设备的电路设计与研发中，不仅是开关电源电路中，也有在携带式电子设备的电路中都是会运用到性能更好的电子元器件——场效应晶体管，因此正确挑选场效应晶体管是硬件工程师常常碰到的难点之一，也是极其重要的1个环节，场效应晶体管的挑选，有可能直接影响到一整块集成运放的速率和制造费，挑选场效应晶体管，可以从下列六大技巧下手。
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三极管 场效应管
- IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展最为迅速的新一代电
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IGBT 场效应管
- 全球知名半导体制造商罗姆（董事长藤原忠信、总部位于日本京都）近日决定从Panasonic公司（董事长津贺一宏、总部位于日本大阪府门真市，以下简称“Panasonic”）受让半导体业务部门（Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.）经营的二极管及部分晶体管业务。预计受让时间为2019年10月，之后将由罗姆对Panasonic的客户进行相应产品的销售。1.业务受让的背景和目标罗姆将半导体元件业务定位为罗姆集团的核心业务，自20世纪60年代以来不断地开展开发、生产与
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罗姆，晶体管，二极管业务
- 德国卡尔斯鲁厄理工学院一个研究团队开发了仅有一个原子组成的量子晶体管，而且能够在室温下运行。这一研究开启了计算能力和效率的新篇章。控制电子信号传输的晶体管是现代电子产品的基础。在逾半个世纪以来，晶体管尺寸和能耗的稳步降低，一直是推动计算能力增长的基本动力。 新型晶体管依靠移动一个银原子开启或关闭电路。材料科学新闻Nanowerk称这种晶体管是世界上最小的晶体管。更重要的是，新型晶体管被描述为“量子开关”，这意味着它可以比目前的晶体管携带更复杂的信息。 德国研究团队最值得关注的声明是，新型晶体管可以
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晶体管
- 本篇文章将进一步阐述面向使用第四代移动通信技术(4G)LTE频带的无线通信基站基础设施并采用EPC8004高频氮化镓场效应晶体管设计的包络跟踪电源。包络跟
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晶体管 电源
- 电源，用通常理解的话说：是一种可以为我们电子电 器提供合适电压，电流，波形与频率的转换装置!比如：直流电源，可以理解为频率为零，波形为直线的
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逆变电源 开关电源 场效应管
- IGBT有三个电极，分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结
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IGBT 场效应管 检测方法
- 一般我们在做电路设计时候，三极管开关电路和MOS管开关电路有着以下四种区别：首先是三极管是用电流控制，MOS管属于电压控制;然后就是成本问题，三极
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三极管 场效应管
- 模拟电路再怎么说，关键的是多学多做，做出片子就自然懂得哪些知识点需要掌握了。这里就主要谈谈学习模拟电路要求的四个知识部分，要成为模拟电路的设
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模拟电路 晶体管
- 普通达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极连接在一起复合而成，其基极b 与发射极e之间包含多个发射结。检测时可使用万用表的R×1 kΩ或R×10 kΩ档
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普通达林顿管 晶体管 万用表
- 在每个智能设备当中，芯片起到了至关重要的作用，不论是PC、智能手机还是智能可穿戴设备，CUP作为核心元器件都是必不可少的存在。但就这么一个小小的玩意，中国目前却无法有效地进行量产。
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芯片 晶体管
晶体管－场效应管介绍
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