Q3是一个PNP型开关，此开关控制另一PNP型开关Q4，Q5是另另一NPN型开关，与本文无关。
实验是想研究Q3偏置电阻对Q4导通情况的影响。电路的设计需求是Q3导通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3导通而VCE较大时，Q4也随之导通。这种情况在Q3负载电容R29固定时，往往是由R27取特定范围值导致的。在PSpice中做个DC扫描，R27从100k变化到10M，结果发现Q3确实不用完全关断Q4就导通了，而且R29的电流不会降低太多，也就是R29的分压没降低多少Q4即可导通，此时Q3对R29分压
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晶体管 开关电路
1、PNP管做旁路晶体管时，虽然压降较小，但其输出阻抗大，需要特定的ESR的电容才能稳定，同时允许的功率耗散较小，应小心在重载条件下使用。
2、因为晶体管的基极电流较大，导致当晶体管做耗散管时，芯片的接地电流常常较大(几个mA甚至数十个mA)，在电池供电的应用中，这可能会大大缩短电池的寿命!
3、因为线性稳压器是通过消耗功率来获得输出电压的稳定，功率的消耗将主要转化为热量，因此，当线性稳压器芯片太烫的时候，一定要考虑是否在其上消耗了过多的能量。
4、A/D转换器的类型和特点：
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PNP 晶体管
Lightwave报道，斯坦福大学的研究者最近在美国光学学会OSA的Optica杂志撰文称找到一种利用基于MZ干涉仪的网状结构来构建多种光网络用光器件的办法。
斯坦福大学电子系David A. B. Miller博士在他的文章“基于不完美器件的完美光学技术”中指出，最近，学者们开始发现干涉仪可以用来构建几乎任何可以想到的光学器件。对干涉仪网的研究可以开启未来利用光学器件代替现在的电子器件来进行线性工作的大门。
根据Miller博士的描述，
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晶体管 集成光路核心单元
根据国外媒体报道，有研究者最近研发出了一种可在1秒钟内开合900亿次的LED发光设备，可作为光计算技术的应用基础。
目前，智能手机的电池内部拥有多达数十亿的晶体管，它们使用了可在每秒开合数十亿次的电子来进行供电。但如果微芯片可以使用光子而非电子来处理和传输数据，计算机的运行速度就能得到大幅提升。不过首先，研究者们需要开发出能够快速开合的光源。
虽然激光可以满足这种要求，但它们存在能耗过高和发射装置体积过大的问题，因此并不适合在计算机内部工作。而现在，杜克大学所开发出的这种快速发光设备让研究
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晶体管 LED
导读：本文主要讲述的是晶体管的原理，感兴趣的童鞋们快来学习一下吧~~~很涨姿势的哦~~~
1.晶体管原理--简介
晶体管是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，开关速度可以非常之快。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。
2.晶体管原理--结构
晶体管
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晶体管 晶体管原理
导读：晶体管，只是对所有以半导体材料为基础的元件的统称，那么问题来了，晶体管工作原理是什么呢?接下来就让我们以双极性晶体管和场效应晶体管为例来详细了解一下吧～
一、晶体管工作原理- -简介
晶体管，英文名称为transistor，泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，如二极管、三极管、场效应管等等。晶体管具有整流、检波、放大、稳压、开关等多种功能，具有响应速度快、精度高等特点，是规范化操作手机、平板等现代电子电路的基本构建模块，目前已有着广泛的应用。
二、晶体管工作原理- -分类
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晶体管 晶体管工作原理
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出新的稳压器ZXTR2105F，该产品把晶体管、齐纳二极管及电阻器单片式集成起来，有效在高达60V的输入情况下提供5V 15mA的输出。这款稳压器晶体管采用了小巧的SOT-23封装，可减少元件数量，以及节省微控制器应用的印刷电路板面积，例如个人电脑和服务器的直流散热风扇，以及工业与汽车市场的电机驱动器、排气扇和传感器应用。
ZXTR2105F旨在替代三个分立元件，当一般用来从12V或24V的输入产生4.7
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Diodes 晶体管
近日，美国研制出世界上首个仅有原子厚度的硅烯晶体管，而CPU的未来，就全靠它了。
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CPU 晶体管
导读：场效应管的作用是什么呢?它只是作为场效应管存在于电路中吗?答案是否定的。就像我们存在于这个社会中一样，不仅是父母的孩子，是孩子的父母，还有同学、同事、朋友等多重身份，场效应管也是如此，接下来我们就来八一八场效应管有哪些“身份”吧~~~
一、场效应管的作用- -简介
场效应晶体管(Field Effect Transistor)简称场效应管(FET)，由于其仅靠多数载流子导电，故也将其称为单极型场效应管，是一种常见的电压控制型半导体器件。具有输入阻抗高、功耗低、动态
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场效应管 场效应管的作用
宜普电源转换公司(EPC)推出的150 W、8 Ω D类音频放大器参考设计(EPC9106)采用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计，包含四个接地的半桥输出功率级电路，使得设计可以升级及扩展。在这个基于氮化镓场效应电晶体的系统中，我们把所有会影响D类音频系统的音质的元素减至最少或完全去除。
根据Intersil公司的D2 Audio的共同创办人兼前任CTO Skip Taylor博士所说：「eGaN FET的功率级准确地以高功率复制D类脉宽调制(PWM)信号并具有超高线
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宜普 晶体管 EPC9106
自碳单原子层材料石墨烯发明以来，研究人员已经研发出了多种其它单原子层材料，其中就包括了碳的同族材料硅，但硅烯(即硅的单原子层)面临的一个难题是它会与空气中的氧气迅速发生反应而瓦解。本周一，研究人员宣布他们成功的用硅烯构建出场效应晶体管。
报告发表在《Nature Nanotechnology》上。他们的银的表面制造出一大片硅烯，然后覆盖氧化铝充当保护层，蚀刻掉部分铝，将剩余部分金属作为源漏接触，通过在二氧化硅表面沉淀铝，他们得到了一个可用作场效应晶体管的设备。
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二维硅原子 晶体管
传闻称联发科今年发布10核、12核芯片，业内人士戏称联发科做的不是手机芯片，而是“核弹”。联发科是手机核战的“始作俑者”，手机各界对其态度褒贬不一。此次，联发科如果率先推出10核甚至12核芯片，想必会再度站到风口浪尖。联发科的核战策略，虽然能有效地提升其品牌形象和地位，但对整个手机行业和市场却带来了不良的竞争环境。
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联发科 晶体管
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出全球首批采用DFN0606封装的NPN晶体管MMBT3904FZ和BC847BFZ，以及PNP晶体管MMBT3906FZ和BC857BFZ。新产品的电路板面积仅0.36mm2，比采用了DFN1006 (SOT883) 封装的同类型器件小40%，并能提供相等甚至更佳的电气性能。这些器件的离板高度只有0.4mm，非常适合智能手表、健康和健身设备等可穿戴产品，以及智能手机与平板电脑等受空间限制的消费性产品。
Diodes公司首批DF
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Diodes 晶体管
导读：本文主要介绍场效应管的开关电路。场效应管相信大家都很熟悉了，由于其开关特性，常常被用到各种电子电路中，但是在电路中它又是怎样工作的呢?就让小编为大家解释一下吧!
1.场效应管开关电路—场效应管
场效应管(FET)是场效应晶体管(field-effect transistor)的简称，它是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。由于它仅靠半导体中多数载流子导电，有时被称为单极性晶体管。场效应管不但具有
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场效应管 开关电路 场效应管开关电路
华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司(“华润上华”)自主研发的“跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法”专利技术，近日荣获2014年第七届无锡市专利金奖。该项专利填补了国内空白，开创了国内首个可应用于单片智能开关电源集成电路工艺技术，达到国际领先水平。目前，该项专利已应用于华润上华晶圆生产线，累计产出已达24万片，大幅提升了企业营收能力，两年内为华润上华新增直接销售额3.8亿元，新增利润4500万元。
该项专利提供一种提高跑道形NLDMOS晶
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华润微电子 NLDMOS 晶体管
晶体管－场效应管介绍
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