晶体管－场效应管 文章 进入晶体管－场效应管技术社区
场效应管分类作用参数和管脚识别
- 文章主要讲解场效应管分类作用参数和管脚识别的方法。 概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(108～109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用: 场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容
- 关键字： 场效应管
快速定性判断场效应管、三极管的好坏的秘诀
- 下面这篇文章主要介绍一下如何快速定性判断场效应管、三极管的好坏希望对大家的学习有所帮助。 一、定性判断场效应管的好坏 先用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的 。 二、判断结型场效应管的电极 将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空
- 关键字： 场效应管，三极管
一款驱动压电管的高压放大器
- 文章主要介绍能驱动压电管的高压放大器，感性趣的朋友可以看看。 在扫描隧道显微镜中驱动操作装置的压电管状定位器需要使用高压低电流驱动电路。图1所示电路具有6 kHz的-3dB带宽，可驱动高阻低电容的压电负载。该电路成本低，可代替商用驱动器。晶体管Q3和Q4构成了一个电流反射镜，R3设定Q4的集电极电流。该集电极电流可由IC3=IC4=[VCC-(-VCC)-VBE(Q4)]/R3公式确定。运算放大器IC1为Q5提供基极驱动，Q5又驱动Q6。当IC1输入端无信号时，Q6和Q3的集电极电流平衡，
- 关键字： 晶体管
场效应管工作原理
- 下面分为几个方面给大家介绍一下场效应管工作原理，对于学习电子方面的同学，非常有帮助的。 场效应管工作原理(1) 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(108～109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击
- 关键字： 场效应管
从晶体管特性曲线看饱和问题
- 我前面说过：谈论饱和不能不提负载电阻。现在再作详细一点的解释。 借用杨真人提供的那幅某晶体管的输出特性曲线。由于原来的Vce仅画到2.0V为止，为了说明方便，我向右延伸到了4.0V。 如果电源电压为V，负载电阻为R，那么Vce与Ic受以下关系式的约束： Ic = (V-Vce)/R 在晶体管的输出特性曲线图上，上述关系式是一条斜线，斜率是 -1/R，X轴上的截距是电源电压V，Y轴上的截距是V/R(也就是前面NE5532第2帖说的“Ic(max)是指在假定e、c极短路
- 关键字： 晶体管
如何判断分结型场效应管、绝缘栅型场效应管
- 场效应管分结型场效应管、绝缘栅型场效应管两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管(IGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。由于绝缘栅型的栅极为金属铝，所以又称为MOS管。绝缘栅型又可分为增强型和耗尽型，其中耗尽型是添加了离子的。 如何判断分结型场效应管、绝缘栅型场效应管：结型场管脚识别场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、
- 关键字： 场效应管
晶体管－场效应管介绍
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