- 意法半导体今天宣布一全新射频EEPROM芯片系列的首款产品M24LR64样片正式上市。新产品能够让客户在供应链中任何环节、产品生命周期的任何时间灵活地无线设置或更新电子产品参数，设备制造商无需连接编程器，甚至无需打开产品包装，即可更新产品参数，设置软件代号或激活软件。这个创新的存取方法不仅能使设备厂商为产品增加新功能，同时还能降低制造成本，简化库存管理流程，快速应对瞬息万变的市场需求。
M24LR64是一款内置标准I2C串口的EEPROM存储器，可与大多数微控制器或ASIC芯片通信，此外，还提供
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- 目前，全球半导体产业正在复苏，各国推出的大规模经济刺激计划使平板电视和智能手机需求大增，市场价格快速回升，半导体企业整体业绩也大幅改观。
除了各国政府的经济刺激计划外，企业也通过大规模减产和工厂重组来减少供应，2009年上半年半导体市场开始逐渐复苏。2010年1月，容量为1G的电脑存储器价格平均每个2.45美元，比2008年12月时的最低价格高出近4倍;USB闪存也达到每个2美元，涨了近1倍。
排名全球半导体行业第三的东芝2009年第三财季半导体业务盈利47亿日元，与2008年亏损1174
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- NAND FLASH开始广泛应用于星载存储器,针对FLASH的数据高效管理成为该类存储器研究的重要组成部分。本文以商用文件系统YAFFS2为基础,结合空间应用的数据存储特点,引入文件系统的概念对存储器数据进行管理,制定了针
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FLASH 星载 存储器
- 2010年全球存储器可能出现供应缺货，而且非常可能会延续下去。为什么?可能有三个原因，1)，存储器市场复苏;2)，前几年中存储器投资不足;3)，由ASML供应的光刻机交货期延长。
巴克菜投资公司的分析师 Tim Luke在近期的报告中指出，通过存储器的食物供应链看到大量的例证，认为目前存储器供应偏紧的局面将持续2010整年，甚至延伸到2011年。
据它的报告称，2010年全球NAND闪存的位增长可达70%，而2009增长为41%。2010年全球DRAM的位增长达52%。
Luke认为
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- 三星电子(Samsung Electronics)高层近期表示，2010年全球半导体市场成长最快的是亚洲地区，消化全球70%芯片产出，未来包括PRAM 、OXRAM、STT-MRAM、Polymer Memory等技术，皆有助于提升效率并降低成本，都是存储器技术的明日之星，而现在位居主流地位的12寸晶圆厂，预计到2015年将不符合经济效益，届时将迎接18寸晶圆厂时代来临。
三星电子资深副总裁文周泰(Joo-Tai Moon)日前参加首尔SEMICON国际半导体展时指出，在全球半导体市场中，亚洲地
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- 对于整个电子产业来说，2009是个幸福缺失的年份，不管我们如何痛恨这一场金融风暴带来的腥风血雨，至少我们已经撕去了属于2009年最后一页日历，迎来了崭新年轮的开始。既然最黑暗的时刻都已经挺过来了，未来总会比现在光明些吧。
从2008年四季度开始的这场金融风暴，在重创了全球经济的同时，不可避免地将整个电子产业的发展水平拉回了2001年。经历过2008年的全行业深渊性坠落之后，在一片肃杀悲观中到来的2009堪称整个产业惊心动魄的一年，多家分析机构不断下调对半导体产业发展的预期，最可怕的数据预测整
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- 岁末年初，又到了总结与展望之时，综合业界的信息得知：全球半导体市场在2009年陷入困境幸而回稳，而2010年将重新步入快速发展之路，这一观点已成共识。
变数多多的2009年
2009年的世界半导体市场变化真是光怪陆离、变幻莫测，为笔者所首见。
回望一年来公布的数据，连连更迭，令人无所适从。例如，为业界推崇的WSTS(世界半导体贸易统计协会)2008年11月所作的秋季预测，认为2009年世界半导体市场将仅略降2.8%，可到2009年6月的春季预测，时隔半年便来了个大跳水，骤然剧降21.
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- 满足StrataFlash嵌入式存储器要求的LDO应用电路,德州仪器(TI)推出的TPS79918低压差(LDO)线性调节器为新的Intel StrataFlash嵌入式存储器(P30) 提供了所需性能。英特尔公司正从它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存储器(J30)转向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
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- 由于系统带宽不断的增加，因此针对更高的速度和性能，设计人员对存储技术进行了优化。下一代双数据速率（DDR）SDRAM芯片是DDR3 SDRAM。 DDR3 SDRAM具有比DDR2更多的优势。这些器件的功耗更低，能以更高的速度工作，有更高的性能（2倍的带宽），并有更大的密度。
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- 据彭博(Bloomberg)报导，海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品，同时，海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率，并倍增NAND Flash的产能。
根据研究机构iSuppli资料，2009年第3季海力士于全球DRAM市场市占率为21.7%，落后三星电子(Samsung Electronics)的35.5%，
海力士也将增加NAND Flash产能，金钟甲表示，2010年底前海力士计划倍增NAND
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- 2010年存储器产业热度急速升温，许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂，纷积极募资抢钱，而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱，未来再以货源抵债，近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援，未来将以DRAM和NANDFlash货源偿还，形成鱼帮水、水帮鱼的上下游紧密合作关系。海力士可望以此笔金援将NANDFlash制程大量转进32奈米，全力从美光(Micron)手上抢回全球NANDFlash三哥宝座，并防止三星电子(SamsungElectronics)和东芝(Tosh
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海力士 存储器
- 存储器大厂Micron以50：50比例与澳大利亚Origin Energy公司组成合资的光伏技术公司。
至此关于合资公司的细节未能透露。2009年5月Micron曾准备化500万美元来促进LED Solar方面的嘗试。
该项目执行总经理Andrew Stock表示将利用Micron在存储器方面的实力来推动光伏发展及市场化。
Origin Energy是澳大利亚领先的集成能源公司，工作范围涉及天然气,石油开釆与生产、发电及能源行业。该公司列于澳大利亚股票市场ASX的前20位，有近400
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- 存储器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半导体业中经常分成两类，DRAM及闪存类。由于其两大特征，能大量生产以及应用市场面宽，使其半导体业中有独特的地位。业界有人称它为半导体业的风向标。
纵观DRAM发展的历史，几乎每8至10年一次大循环，最终一定有大型的存储器厂退出，表示循环的结束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的东芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇梦达最先退出。奇梦达的退出使市场少了10万片的月产能。
在全球硅片尺寸转移中，存储器也是走在前列，如
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存储器 DRAM NAND NOR SRAM
- DDR2和DDR3 1月上旬合约价走势迥异，DDR2合约价大跌，DDR3却大涨，凸显世代交替已提前来临，将加速DDR2需求急速降温，快速转移到DDR3身上，近期台系 DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3，尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶和瑞晶，预计第1季底DDR3比重将达70%，速度超乎预期。不过，亦有业者认为，若大家都抢著把DDR2产能转走，说不定会意外让DDR2跌势止稳，反而有利于DDR2价格走势。
台 DRAM厂表示，原本业者认为在农历春节前DDR2买气还有最后一搏机会，因为DDR2若
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DRAM DDR2 DDR3 存储器
- 2010年存储器产业热度急速升温，许多熬过景气低潮期但口袋空空的存储器大厂，纷积极募资抢钱，而最直接方式便是向下游存储器模块厂借钱，未来再以货源抵债，近期海力士(Hynix)便获得金士顿(Kingston)达1亿美元金援，未来将以DRAM和NAND Flash货源偿还，形成鱼帮水、水帮鱼的上下游紧密合作关系。海力士可望以此笔金援将NAND Flash制程大量转进32奈米，全力从美光(Micron)手上抢回全球NAND Flash三哥宝座，并防止三星电子(Samsung Electronics)和东芝(
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存储器 DRAM NAND
存储器介绍
什么是存储器
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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